Rashba效应影响下InAs/GaAs自组织量子点中极化子性质

考虑Rashab自旋-轨道相互作用对半导体量子点中极化子基态能量的影响．采用LLP中耦合的方法处理了电子-声子相互作用．结果表明由于Rashba效应的影响使得极化子的基态能量分列为上下两支而且Rashba自旋-轨道相互作用能与总的基态能及其它能量成分间的比例关系，随电子波矢K变化非常显著．Rashba自旋-轨道相互用作使得量子点中极化子基态能量在无任何外磁场的情况下发生分裂，所以完全不同于强磁场影响下的简单Zeeman效应，然而，自旋-轨道相互作用引起的分裂有时掺杂着Zeeman分裂。因此它引起的分裂属于复杂分裂．声子对总能量的贡献为负，由于声子的存在极化子争裂能较裸电子更为稳定．     

第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议

第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议（11th International Conference on Defects-Recognition，Imaging and Physics in Semiconductors（DRIP XI））于2005年9月15-19日在北京举行，来自26个国家（地区）的共124位代表与会。会议由中国科学院半导体研究所和浙江大学共同主办，会议主席是中国科学院半导体研究所的王占国院士，会议程序委员会主席则是浙江大学硅材料国家重点实验室的杨德仁教授；会议国际指导委员会和会议国际程序委员会分别由著名学者JeanPierre Landesman、Piotr Edelman等16人和18人组成。     

异步电机直接转矩控制系统中定子磁链的观测方法

介绍了几种异步电机直接转矩控制系统中定子磁链的观测方法,并讨论了各自的实质及其优缺点,以及今后研究定子磁链的观测方法的实际意义。     

基于信号谱熵的模糊Hamming网络缺陷识别

无缝钢管损伤监测和诊断的关键在于缺陷信号特征的提取和识别，作者研究了无缝钢管内伤、外伤及孔洞等缺陷信号的频域特征，提取信号二维谱熵指标作为特征指标，运用改进的模糊Hamming神经网络识别方法，对无缝钢管的缺陷进行识别，结果表明，该方法具有很高的识别精度，实例中识别准确率达100％，由于该识别方法不需要示教学习过程，因此能够应用于实时在线缺陷识别。     

GaP1-χNχ混晶（χ-0．24％～3．1％）发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制．GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征，表现出明显的带隙降低的趋势．测量结果显示，在组分χ≥0．24％的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态，在低组分的混晶中，只存在一种激活能，仍然保持有束缚激子的特征；而在高组分样品(χ≥0．81％)中存在两种激活能．高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征．另一方面也表现出新的发光机制．     

低聚苯乙烯基亚膦酸氧化反应研究

用稀硝酸和过氧化氢将低聚苯乙烯基亚膦酸(PSPUA)氧化为相应的膦酸(PSPNA),并用红外和质谱表征.结果表明过氧化氢仅能部分氧化PSPUA,稀硝酸可将PSPUA完全氧化为PSPNA.氧化反应的最佳条件为:10%的稀硝酸,85℃,氧化反应2h.     

微电子学系介绍

微电子学系有着源远流长的学术渊源,发展历史可以追溯到1956年由著名物理学家黄昆院士领导、在北大物理系创建的我国第一个半导体物理专业。半个世纪以来,微电子学专业及其前身北大半导体物理专业在中国微电子技术的发展过程中发挥了重要作用,是我国微电子领域培养高级人才和科研开发的重要基地。19 77年我国第一块1KMOSDRAM即诞生于北京大学,2 0 0 1年微电子学与固体电子学学科又被评为国家重点学科。微电子学系具有良好的人才培养与科学研究的先进设施,现在拥有3个国家或部委重点实验室:微米 纳米加工技术国家级重点实验室、新工艺新…     

趋磁细菌磁小体的生物矿化作用和磁学性质研究进展

趋磁细菌磁小体研究是揭示生物矿化作用和探索生物活动与地磁场之间联系的重要研究内容。细菌成因的磁铁矿颗粒也是部分湖泊和海洋沉积物磁性的主要载体。本文将在介绍趋磁细菌基础上，重点评述磁小体形成过程研究、磁测量技术、沉积物中化石磁小体的识别方法、环境指示意义等方面的新进展，并简要展望未来磁小体研究及其应用前景。     

Growth of Magnetite Nanoparticles under Magnetic Fields

1 Introduction Over the past several years, the preparation and characterization ofnanoscale magnetic materials, especially one-dimensional (1D) nanostructure, have attracted much attention as the nanomaterials would allow investigating the fundamental aspects of magnetic-ordering phenomena in magnetic materials with reduced dimensions and could lead to new potential applications such as data storage technology[1-6].     

镀NiFeB膜的绝缘层包裹BeCu丝的巨磁阻抗效应和低频磁电阻效应

用化学镀方法制备了镀NiFeB膜的绝缘层包裹BeCu复合结构丝. 该复合结构丝在较低频率驱动电流下有较大的巨磁阻抗效应. 在10 kHz时磁阻抗效应(ΔZ/Z)_max达31.4%, 500 kHz时(ΔZ/Z)_max为250%. 同时在较低频率驱动电流下出现了磁电阻效应, 当频率为540 Hz时磁电阻效应(ΔR/R)_max为–8.5%, 10 kHz时(ΔR/R)_max达38.7%. 由于软磁NiFeB层的作用, 当交流驱动电流通过BeCu导电丝时产生了等效电阻和电感, NiFeB复合丝的巨磁阻抗效应特性和低频磁电阻效应与此密切相关.