多原子极性半导体中体极化子的内部激发态

研究多原子极性半导体中强耦合体极化子内部激发态的性质，采用线性组合算符和么正变换方法计算多原子极性半导体中强耦合体极化子的基态能量，第一内部激发态能量和激发能量。     

半导体表面态的研究与展望

半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支，因为半导体器件的体积越来越小，靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态，其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。     

非磁金属中间层对磁性隧道结磁电阻效应的影响

用自由电子近似方法对具有非磁金属中间层的磁性隧道结的磁电阻进行了研究，从理论上讨论了非磁金属中间层对磁电阻的影响。数值计算结果表明，当外加偏压不同时非磁金属中间层的作用是不同的。在外加电压使电子从非磁金属中间层穿过势垒的情况下，非磁金属中间层的变厚可以增强隧穿磁电阻效应。这一性质可以用于磁性隧道结的优化。     

量子点荧光探针的合成

量子点具有宽的激发光谱，窄的发射光谱，高的荧光量子产率，比有机染料寿命更长等优越的荧光特性，是一种理想的荧光探针，本文评述了量子点荧光探针合成的最新进展。     

半导体纳米粒子气—固复相光催化氧化气相有机污染物的研究

本文介绍了半导体纳米粒子气—固复相光催化氧化法的原理及影响因素,探讨了气相有机物光催化降解的过程和动力学,综述了提高半导体纳米粒子光催化活性的途径,讨论了气相有机污染物光催化降解进一步研究的方向,并对应用前景作出展望。     

磁空间群Pб_ 3/m''''m’c''''不可约共表示的计算

群表示理论在群论的发展和应用中占有十分重要的地位,它对求解C-G系数,同位标量因子及母分系数是必不可少的。本文主要以P6_3”m′m′c′的对称点L点为例,应用诱导表示的方法,介绍磁空间群不可约共表示的计算方法。     

控制光子的“半导体”——光子晶体

光子晶体是一种新型功能材料,其最基本的特征是具有光子频率带隙,频率落在带隙内的电磁波被禁止在光子晶体中传播。本文简述了光子晶体的基本性质和理论研究方法,介绍了光子晶体的制备,并对光子晶体的应用前景给予了简短的评述。     

富氧条件下In2O3／A12O3催化剂C3H6选择性还原NO

以碳氢化合物作为还原刑的选择性催化还原法(SCR)被认为是净化稀燃汽车尾气中NO的最有效途径之一．采用深胶—凝胶法制备了In2O3／Al2O3氧化物催化剂，对其进行了BET、XRD、XPS及TPD表征．在固定床反应器上用C3H6作还原剂，考察了不同焙烧温度，H2O及SO2对催化剂活性的影响．结果发现，催化剂的最佳焙烧温度为600℃，在反应温度为400℃时，NO最大转化率为95％．水蒸汽存在下，NO转化活性温度窗口向高温方向移动，NO最大转化率下降到90％，对应的反应温度为450℃．添加φ(SO2)＝0．009％后，催化剂在低于350℃的区间还原NO的活性得到一定程度的提高，表现出促进作用．当反应温度大于350℃后，催化活性明显下降，NO最大转化率下降到58％．     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述，系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质．研究了半导体能带隙所表现出的特有性质．     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。