Fabrication and Properties of CoSm-Based Multilayer Thin Films

In recent years, SmCo series thin films have been found to be good candidates for fabricating integrated electromagnetic components and ultrahigh density magnetic recording media[1,2]. Up to now,intensive studies of such films have been carried out in order to obtain appropriate microstructure, crystallographic orientation and other properties. Substitution of Cu or Ni for Co in SmCo/Cr series films leads to a decrease of the saturation magnetization, magnetic switching volume, and to an increase of uniaxial anisotropy and coercivity[3-5].Various deposition conditions have also been investigated[6]. The large increase in coercivity for the annealed SmCo/Cr films is due to the growth of crystallitest[7,8]. In this article, we report a study of the deposition process,structure, and magnetic behavior of sputtered Sm (Co,Cu, Ti)/Cr series thin films.     

晶种辅助法控制合成CdS纳米棒

本论文以CS2为硫源．首先在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)胶束中制备CdS纳米棒品种．然后利用晶种辅助法实现了不同长径比的CdS纳米棒制备。实验结果表明晶种辅助生长法能否成叻与晶种在反应体系中溶解特性有很大关系。     

一种MOSFET器件模拟的新方法

逆算子方法是一种新发展起来求解强非线性问题的近似解析法,对这种方法在MOSFET器件模拟中的基本思想和实现方法进行了阐述,并将其运用于MOSFET器件模拟中,求解了半导体区域的一维非线性泊松方程,得到了MOSFET的一些重要参量的解析表达式,所获得的结果与数值计算的结果比较表明,该方法获得的结果物理意义明确、分析过程简单,收敛速度快捷.     

Pr-Fe-V-Ti合金系ThMn12型化合物及氮化物的合成与磁性

本文报导成功地合成了Ti或V,Ti同时稳定的镨系1:12相化合物.Pr(Fe,V)12化合物不存在,PrFe11 Ti化合物仅在1110℃-1030℃狭窄的温度范围内形成,以部分V替代Ti,可使1:12相形成温度范围明显增大,形成温度降低.氮化之后,ThMn12结构不变,但体积膨胀约4.5%.PrFe11 V1-xTixNδ((0.2≤x≤1)合金样品的饱和磁化强度为144～150 emu/g,居里温度为457℃～477℃,各向异性场大于7 T.     

(Ba, Pb)TiO3半导体陶瓷的特殊敏感性及其机理

研究了具有多孔网状结构(Ba,Pb)TiO₃半导体陶瓷的电阻温度特性, 发现在空气中长时间放置的(Ba, Pb)TiO₃陶瓷在居里点以前有一段电阻值随温度升高而增大的反常阻温特性. 进一步的研究结果表明(Ba, Pb)TiO₃陶瓷反常的阻温特性与其湿敏性相关, 在11%~93%相对湿度范围内, 电阻值变化3个数量级, 而且在单对数坐标中其湿阻特性曲线接近线性. 结合表面吸附、晶界势垒、铁电-顺电相变, 综合分析了(Ba, Pb)TiO₃陶瓷的特殊敏感性机理, 并给出定性解释.     

Measurement of Magnetization Curve and Magnetic Relaxation for 2H-NbSe2 Crystals

The characteristics of electronic transport properties: behaviors of magnetization curve and magnetic relaxation of a typical normal superconductor 2H-NbSe2 are investigated. The results show that Tc and △Tc of the samples are 7. 2,0. 18 K, indicating that superconducting energy gap at zero temperature is 1. 1 meV. No fish tail shape is found in the magnetization curves at several temperatures. The relationship between remnant magnetic moment and time reveals that the magnetic flux creep of the sample agrees with the Kim-Anderson thermal activation model with the relaxation rate S=0.000 36 at T=6 K.     

CoFe2O4,CoFe2,CoFe2/CoFe2O4磁性粒子合成与光催化应用

用水热法结合溶胶凝胶法制备4种磁催化剂材料,并用X射线衍射、透射电子显微镜、超导量子干涉仪和紫外-可见谱仪研究它们的结构、形貌、磁性及对污染物亚甲基蓝的催化降解性能,目的是获得具有强磁性的催化剂材料,便于水处理后的回收利用.4种磁载催化剂材料中,催化性能最好的样品在150 min内能去除水中84%的亚甲基蓝污染物;CoFe_2/TiO_2有较高的降解效率(72%),且有很好的磁分离能力.分析认为,催化性能与粒子大小、界面成分、结晶性、TiO_2与磁性粒子的比例有关,是多种因素的协同效应.     

Eu~(3+)掺杂La(OH)_3一维纳米线的磁学和发光性能研究

采用溶剂热法成功制备La(OH)_3和La(OH)_3:Eu~(3+)纳米材料,表征了样品的晶体结构、微观形貌、宏观磁性及发光特性。结果表明,所制备样品是微观尺寸均匀,分散性良好,直径约为14 nm、长度约为107 nm的一维线状结构。纯La(OH)_3和La(OH)_3:Eu~(3+)纳米线均表现出室温铁磁性能,且其饱和磁化强度和荧光发射随掺杂浓度的提高先升高后降低。Eu~(3+)掺杂浓度为3%时,所制备的La(OH)_3:Eu~(3+)纳米线的饱和磁化强度最高(43.1 memu/g),是纯La(OH)_3纳米线(2.04 memu/g)的22倍。该掺杂浓度的样品同时表现出了优异的荧光发射性能,在589 nm,616 nm和696 nm处具有Eu~(3+)的特征荧光发射谱线。此类材料在特殊纳米功能器件、磁性荧光靶向药物等方面具有潜在的应用价值。     

超声波辅助球磨纳米MnxMg1-xFe2O4的制备和表征

采用超声辅助球磨法制备了具有尖晶石相的纳米锰镁铁氧体Mn_xMg_(1-x)Fe_2O_4(x=0.2,0.5,0.8),并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、振动样品磁强计(VSM)、荧光强度测试仪、电导率仪对反应产物进行了一系列的表征.X射线衍射图谱表明当反应进行到60h,单相立方尖晶石结构已经完全形成.透射电子显微镜表明样品(x=0.2)粉末的平均尺寸在25nm左右.饱和磁化强度在x=0.5时达到最大的74.22emu/g,并且随着x值的增大,饱和磁化强度降低.在不同实验条件下,荧光强度和电导率有着明显的不同,其变化说明超声辅助球磨对反应有显著的耦合作用.     

名义上无序的GaInP合金的发光瞬态过程研究

报道了名义上无序GaxIn1-xP(x=0.52）合金的发光瞬态过程，对样品在77K和300K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明，这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度。在77K的高激发强度下，衰退过程符合单指数衰退规律，在低激发强度下，符合双指数衰退规律；而在300K下，衰退过程都符合双指数衰退规律。在77K下的时间分辨光谱里观察到了PL谱峰的蓝移现象和载流子的转移过程。