磁场及磁性元件间力特性研究

依据实验中电磁，永磁两种元件同极间的力学现象，提出了关于磁力线性质的三个假说，认为磁力线具有线间斥性，最小阻径性和磁力线通过铁磁质时的容限性，并应用上述三个假说和相关的电磁理论，对实验中的力学现象进行了解释。     

四大顶级IT展“会师”2008上海国际信息化博览会

2008年3月18日，为期三天的“2008上海国际信息化博览会”在上海新国际博览巾心盛大开幕。本次信博会由上海市信息化委员会、上海市浦东新区人民政府共同主办，国际半导体设备与材料协会（SEMI）、慕尼黑国际博览集团（MMI）、     

Al_xGa_(1-x)As中3d过渡金属杂质深能级

由于Al_xGa_(1-x)As半导体合金在光电子学中得到重要的应用,故它的各种物理性质引起人们广泛的兴趣,其中包括各种深浅杂质的电子结构。但是,相对而言,人们对Al_xGa_(1-x)As中3d过渡金属杂质电子态了解还很不够,对不少3d杂质实验研究还很缺乏,尤其是由于3d杂质复杂的多电子特性,迄今还没有见到关于Al_xGa_(1-x)As中3d杂质深能级的详细理论研究。另外,了解这样一种典型的阳离子准二元合金中3d过渡金属杂质深能级随合金成份的变化趋     

a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。     

紊乱是物理学的喜讯

格温(E.G.Gwinn)和韦斯特韦恃(R·M·Westervelt)在他们最近的一篇论文(Phys Rev Lett 59 157—160,1987)中探讨了冷却P型锗的电子迁移从规则行为向紊乱行为过渡的一条途径。在此以前,利谢贝尔(A.Iibchaber)和他的合作者用很不相同的物理系统(水银的对流)找到了一条同一性质的途径。这个新实验作为半导体物理学的一项研究是很有趣的,并由于它的许多技术结果:这两个实验都显示了很高的精确度,因此,现在能被实验家们用于检验向紊乱过渡的理论。紊乱已成为物理学的一门活跃分枝的一个总括的名称,它描述在大部分决定性非线性动力学系统中出     

多段式半导体激光器的端面输出谱

在充分考虑激光源于放大自发辐射、而自发辐射可能产生于半导体激光器（LD）有源层中的各点等物理事实的基础上，我们采用射线法、以递推公式的形式导出院多段式半导体激光器的输出谱的解析表达式，并对某些常见的情况进行了简单扼要地讨论。     

东莞市中镓半导体科技有限公司

东莞市中镓半导体科技有限公司总部设于广东东莞,以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托,并于2009年成功引进该研究中心为我公司的创新科研团队。我公司成为国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料以及开发相关技术的企业。公司拥有多项核心国家发明专利及国际发明专利,创造性地将MOCVD技术、激光剥离技术和HVPE技术相结合,成功开发出了高品质的GaN衬底系列产品,该系列产品及相关设备已批量生产及销售,主要     

半异体形变势及其应变层异质结带阶

采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过ＩｎＰ／ＩｎＡｓ、ＩｎＰ／ＧａＰ、ＧａＡｓ／ＩｎＡｓ、ＧａＰ／ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ／ＩｎＡｓ等应变层异质结在不同应变情况下的价带带阶计算，并证实了该方法的实用性。