CCD为摄影技术带来“革命化”变革

博伊尔和史密斯通过高感光度的半导体材料。将变化的电子信号转换成数字信号。使图像的高效存储、编辑和传输等都成了可能。事实上，在发明CCD的一年后，博伊尔和史密斯就首次将CCD用于摄像机的制造之中。     

Growth mechanism of liquid Hg/solid β-HgS metal-semiconductor heterostructures

Density functional theory （DFT） was utilized to simulate the reactions occurred in the mixture solution of cysteine and Hg（II） ions with the ratio 〈 2. Simulation result shows that Hg ions will coordinate to cysteine by the thiol groups with the form of S-Hg2 and S-Hg3; and moreover, the content of free Hg ions can only be reduced by these two forms. OH- plays an important role in the growth of β-HgS, because its nucleophilic substitution reaction supplies plenty of Hg-S-Hg radicals, which will be adsorbed onto the surface of liquid mercury ball and form the precursor of 13-HgS（111） plane. Three valent bonds adsorption of Hg-S-Hg radicals onto the surface of Hg ball has more adsorption energy （-32.768 kcal mol-1） than that of two valent bond adsorption （-20.882 kcal - mol-1）. Hg balls will stop growing after completely covered with Hg-S-Hg radicals and their size will be limited. The growth direction of β-HgS is parallel to the ＂repel- ling＂ force, that is [111] direction in β-HgS lattice. The calculated results are in good agreement with the experimental observations, demonstrating that the DFT method can be taken as a very useful tool to interpret the solution reactions that cannot be solved by conventional methods.     

半导体激光器筛选方法及可行性测试

生命期测试和筛选测试在开发和生产半导体激光器中是一个重要的测试过程。尽管这些测试过程原则上很简单,实际上这些测试过程因激光器的差异而变得十分复杂,要求较低的花销,要求在延长的时间中有高稳定的测量方式。在过去的30年里,已经开发出了设备和技术来支持这个技术领域。     

（Er0.8Y0.2）2Fe17Cx的磁性和穆斯堡尔谱研究

利用快淬手段制备了高碳含量间隙化合物（Ｅｒ０．８Ｙ０．２）２Ｆｅ１７Ｃｘ，利用＾５７Ｆｅ穆斯堡尔谱分析了７７Ｋ和室温下化合物中各铁晶位及平均超精细场随碳含量的变化，并研究了化合物的自旋再取向现象，自旋再取向温度随碳含量增加而升高。     

CdO—Fe2O复合氧物半导体气敏材料的制备和性能

采用化学共沉淀法，制备了系列ＣｄＯ－Ｆｅ２Ｏ复合氧化物气敏半导体材料，研究了制备条件对电导和气敏性能的影响。     

半导体热效率演示仪改进

带着“探索、模仿、质疑、创新”的科技活动精神,经过在演示与创新实验室中的积极实践,将所了解半导体发光二极管和电路知识应用于演示仪中,对半导体热效率演示仪进行了创造性改进。使其对发电效果增设了更合理的显示方式。     

中电集团四十六所:半导体材料研究的前锋

中国电子科技集团公司第四十六研究所(原信息产业部电子46所)是电子材料专业研究机构,是国内最早从事半导体材料和光纤研究开发的单位之一,始建于1958年。40多年来不断发展壮大,技术力量日益雄厚,技术装备优良,历年来取得的各类科研成果200多项,其中国家级奖励20多项,获国际大奖2项。“半导体照明及显示用砷化