多段式半导体激光器的端面输出谱

在充分考虑激光源于放大自发辐射、而自发辐射可能产生于半导体激光器（LD）有源层中的各点等物理事实的基础上，我们采用射线法、以递推公式的形式导出院多段式半导体激光器的输出谱的解析表达式，并对某些常见的情况进行了简单扼要地讨论。     

东莞市中镓半导体科技有限公司

东莞市中镓半导体科技有限公司总部设于广东东莞,以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托,并于2009年成功引进该研究中心为我公司的创新科研团队。我公司成为国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料以及开发相关技术的企业。公司拥有多项核心国家发明专利及国际发明专利,创造性地将MOCVD技术、激光剥离技术和HVPE技术相结合,成功开发出了高品质的GaN衬底系列产品,该系列产品及相关设备已批量生产及销售,主要     

半异体形变势及其应变层异质结带阶

采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过ＩｎＰ／ＩｎＡｓ、ＩｎＰ／ＧａＰ、ＧａＡｓ／ＩｎＡｓ、ＧａＰ／ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ／ＩｎＡｓ等应变层异质结在不同应变情况下的价带带阶计算，并证实了该方法的实用性。     

还原时间对FeCo／Al2O3纳米复合材料结构和磁性的影响

采用溶胶-凝胶法及在氢气中还原的工艺制备了纳米FeCo／Al2O3复合材料。利用X射线衍射、透射电镜和振动样品磁强计对样品微观结构和磁性进行了研究。结果表明，纳米FeCo／Al2O3复合材料中的FeCo合金为体心立方结构。随着还原时间的延长，α-FeCo合金晶粒尺寸变大，样品的比饱和磁化强度和矫顽力增加。     

用分子束外延技术按样定制半导体微观结构

在按样定制的半导体微观结构中，通过把异质结精确地植入晶体内即可定域地确定所期望的势能差。分子束外延技术用于以一个原子接一个原子的构建晶体薄膜，从而可以在微观惊工内精确地“裁剪”人工层状晶体。在ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶格中各组分的周期性调制产生了新颖的电子性质，它开辟了崭新的技术用途。     

西安：“十城万盏”试点工作跨越发展

自2009年3月被列为“十城万盏”试点城市以来，西安市半导体照明试点工作取得了跨越式发展。截至目前，西安市半导体照明示范应用工程LED灯具总投资达1．2亿元，应用数量达3．5万盏，列入首批示范应用工程15项，培育半导体照明产品制造企业34家，初步形成了自主技术创新与产品应用紧密结合的半导体照明产业集群，取得显著品牌效应的本地企业有了长足发展。     

《半导体器件》课程中GaN基光电器件差异性教学探讨

在《半导体器件》课程中加强宽禁带半导体器件的教学是科学技术与国民经济快速发展对高等学校基本职能所提出的根本要求。本文阐述了把第三代宽禁带半导体GaN基光电器件作为新型半导体器件进行重点教学的必要性和意义．同时也指出需要采用差异化的教学方法来讲授新型器件在结构、工作原理与光电性能等方面的特殊表现。     

以产学研为着力点 打造科技东莞

<正>近年来,东莞市以产学研合作为着力点,大力实施"科技东莞"工程,先后被认定为省产学研合作示范城市、国家"十城万盏"半导体照明试点城市、全国知识产权质押融资试点单位和广东省科技金融结合试点城市,并连续六次被评为国家科技进步先进城市。     

半导体电子封装中外来物为什么失效?

<正>随着电子封装技术的飞速发展,由于原材料种类的不断增加和生产流程的不断扩展,污染物的控制变成了一个极具挑战性工作。电子封装中的外来物失效分析一直以来都是一项极具挑战性的工作。