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271.
半导体技术发展限制及其逻辑发展趋势 总被引:4,自引:0,他引:4
许居衍 《世界科技研究与发展》1999,21(5):15-18
本文从半导体微电子技术的发展轨迹与限制讨论中,分析了微电子技术生命周期,并沿着上述脉路,指出了半导体技术将在尽力逼近其限中,不断增长高密度嵌入设计水平,不断扩展跨学科横向应用,并最终进入技术平台期,等待新的突破。 相似文献
272.
黄和鸾 《辽宁大学学报(自然科学版)》1994,21(1):30-38
由于现代外延生长技术的不断完善,使异质结器件、量子阱与超晶格材料的生长与应用得到迅速发展.本文概述了目前半导体材料与器件研究最先进的几种外延生长技术,包括MBE、MOCVD、CBE、ALE和HWE. 相似文献
273.
274.
合成了GaW9Fe3配合物,通过IR、UV、ICP、XPS、极谱等手段进行了表征,并测定了配合物的穆斯堡尔谱和磁性. 相似文献
275.
文献[1—3]报道了在CdS中掺入CuSO_4和In_2(SO_4)_3,并且在高比例助熔刘NaCl-CdCl_2(CdS:混合助熔剂≤2:1)的条件下进行热处理而制得的光敏硫化镉(CdS:Cu·In),对红光敏感且抗湿性能强.本研究在CdS粉末中,除掺入CuCl_2外,还首次掺入适量的BiOCl,并且在较低助熔剂(CdS:混合助熔剂=5:1;NaCl:CdCl_2=1:4)下热处理,制备出了对红光具有敏感性和抗湿性强的CdS:Cu·Bi多晶材料,并且研究了它的化学组成和结晶状态. 相似文献
276.
孙仁安 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》1988,(3)
本文介绍了有机共轭体系的结构特点和利用简单Huckel分子轨道(HMO)理论对聚乙炔的电子结构予以处理,以展示其半导体的能带结构和分子中具有长短键交替的特征。并试图从化学角度理解拓扑激发(即孤子)的导电机理。 相似文献
277.
MAYanwei XlAOLiye 《科学通报(英文版)》2004,49(23):2435-2439
The advance in first generation Bi-2223 HTS wire has enabled the demonstration of superconducting power cables, magnetic energy-storage devices, transformers,fault current limiters and motors. However, the low irreversibility field (H^*) prevents application of Bi-2223 at 77 Kin any significant field. Worldwide activities are therefore,focused on developing a second-generation HTS technology based on YBCO, for which H^* (77K)-7 T. In this paper, we discuss the status and commercial prospects of second generation HTS wire technologies. In addition, we review the recent results and discuss the prospects of future applications. 相似文献
278.
配位聚合物[Co2(C3H4N2)4(C10H2O8)]n的晶体结构、磁性及光-电性能 总被引:3,自引:1,他引:2
采用溶液热合成方法, 得到了新颖的Co(Ⅱ)配位聚合物单晶体. 它是以[Co2(C3H4N2)4(C10H2O8)]为重复单元、用均苯四甲酸根为桥而联成的一维无限链状聚合物. 该配合物单晶属三斜晶系, 空间群P 1, a = 0.9610(1) nm, b = 0.9684(1) nm, c = 0.7924(1) nm, α = 96.695(9)°, β = 102.741(6)°, γ = 116.551(5)°, V = 0.6236(2) nm3, Z = 2, R1 = 0.0342, wR2 = 0.0990. 表面光电压光谱测试结果表明, 它在300~800 nm范围内, 表现出了较明显的光伏响应带. 另外从该化合物的变温磁化率研究结果可以看出, 该聚合物具有弱的反铁磁物质行为. 相似文献
279.
介绍近年来在Ⅲ族氮化物和Ⅲ-Ⅴ化合物缺陷等方面的一些研究进展。并着重展示对Ⅲ族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物,以及Ⅲ-Ⅴ化合物Fe杂质和DX中心能级精细结构等研究的结果。 相似文献
280.