Si6和Si10微集团结构的Xa—SW研究

本分析了Ｓｉ原子微集团中存在幻数的原因，并用自洽场一多重散射Ｘａ方法，从能量最低原理，研究了６个Ｓｉ原子微集团和１０个Ｓｉ原子微集团的可能构型，指出悬挂键在Ｓｉ微集团中起了重要作用，同时必须考虑键角畸变的因素。     

异双核网状｛NBu4[CuCo（OX）3]｝x的合成光谱及磁性研究

本文合成了标题配合物｛ＮＢ４「ＣｕＣｏ（ＯＸ）３」｝ｘ。用ＥＳＲ，ＩＲ等对配合物进行了表征，并测定了配合物的变温磁化率，其数值用最小二乘法和自旋哈密顿算符（Ｈ＝－２ＪＳ１．Ｓ２导出的磁方程拟合，求得交换参数Ｊ＝－５６．２ｃｍ＾－１，表明配合物间存在着反铁磁相互作用。     

CH3CSNH2／NH4OH钝化GaAs（100）表面的XPS表征

一种新的含硫化合物ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液被用来钝化ＧａＡｓ（１００）表面．应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表征了该钝化液处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，能有效地消除Ｇａ和Ａｓ的氧化物，并且Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这标志着ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液对ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，Ａｓ的硫化物不稳定，进一步与ＧａＡｓ衬底反应，生成稳定的ＧａＳ钝化层，此种钝化液可直接应用于半导体器件钝化工艺对ＧａＡｓ表面处理     

场控变阻材料在高压陶瓷电容器边缘电场改善中的应用

利用场控变阻材料电阻率随电场变化的特点，改善留边型平板高压陶瓷电容器电极边缘的电场，可以大幅度提高陶瓷电容器的性能，探讨了ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系玻璃加入掺杂ＺｎＯ制成的半导体玻璃釉对陶瓷电容器电击穿强度，充放电寿命的影响，通过配方，工艺、电极结构的优化可以使留边型高压陶瓷电容器的击穿强度提高８０％以上，充放电寿命提高了１０倍以上，并与具有类似场控变阻性能的半导体漆作了对比。     

Mo对Fe—Cu—Nb—Si—B合金磁性的影响

用Ｍｏ部分替代Ｆｅ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ合金中的Ｎｂ而制备的Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｍｏ２Ｓｉ１２．５Ｂ１０非晶合金，在５００－６２０℃的温度范围内进行了等温退火处理。对退火后样品进行了磁性、微结构及物相研究，表明在５３０℃左右退火后具有最佳软磁性能。当退火温度大于６００℃时，有Ｍｏ２ＦｅＢ２及其它化合物析出从而使合金软磁性恶化。Ｍｏ与Ｎｂ一样有抑制晶粒生长，细化晶粒之作用。     

N—Ga1—xAlxAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ低温光伏的异常特性，在暗条件下降温的样品，其低温光钛的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃，这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ〉０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化。     

GaAs／GexSi1—x系统的电子能带结构

采用紧束缚方法计算生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｊ２）４／（ＧａＡｓ）的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。     

亚毫米金属微机械部件加工工艺研究

用一种廉价，批量化加工微机械零部件的工艺（准ＬＩＧＡ技术）制作了亚毫米金属（镍）微齿轮，微马达．实验结果表明，紫外线深曝光和精密电铸这些常规并结合牺牲层技术，进行金属（镍）微部件加工这一套工艺是可行的，同时文中对于影响微部件加工精度的因素进行了初步讨论。     

四元合金 A_x~ⅢB_y~ⅢC_(1-x-y)~ⅢD~v 的有序结构

随着分子束外延(Molecular-beam epitaxy,MBE)、金属有机化学汽相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)和有机金属汽相外延(Organometallic vaporphase epitaxy,OMVPE)等生长技术的出现,大量新型半导体合金和超晶格材料被制成。近年来出现的Ⅲ-V族四元合金因其独特的性能引起了人们广泛的重视。它们作为光电器件的基础材料已得到越来越多的应用。例如,利用In_0.5(Al_xGa_(1-x))_0.5P合金的宽带隙和形成双异质结构的性能,可制成短波长激光器和发光二极管;用GaInAs/AlGaInAs制成量子阱激     

超微粉α-Fe_2O_3的光声谱

纳米材料由于其中粒子直径与晶体中电子的德布罗意波长相当,显现许多特异的物理和化学性质,引起了许多科学工作者的浓厚兴趣。由于纳米材料中既有由约50％的原子组成的长短程均有序的晶粒,又有由约50％原子组成的既无长程秩序又无短程秩序的界面,可以预料这种材料会有其它固体材料所没有的独特的体相和界面性质。由于纳米材料是由纳米尺度粒子经加压后制得,因此开展纳米粒子的性质研究是纳米材料研究的基础而又重要的一个环节。为此我们进行了半导体纳米微粉α-Fe_2O_3的光声谱测量和研究。