钴铁氧体磁粉穆斯堡尔谱的研究

钴铁氧体磁粉在磁场和温度同时作用下,它的各向异性常数和矫顽力都发生变化;一般认为这是由于磁粉内Co~(2+)离子迁移引起的.但根据我们的实验;这种磁粉在钴含量相同时受到磁场和温度作用后,它的各向异性和矫顽力的变化量和磁粉Fe~(2+)的含量成正比.因此,我们认为,这样的变化是由于磁粉内Co~(2+)-Fe~(2+)的离子对迁移所造成的.目前,直接观察磁粉内离子的分布和迁移过程还十分困难.本文利用穆斯堡尔谱研究钴铁氧体磁粉经磁热处理后Fe~(2+)离子的分布情况.     

半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计

半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO_3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电容器的物理性能及其极限作定量分析、对边界层电容器的性能作出设计并对提高性能的方法进行探讨.     

Er离子注入多孔硅的发光

硅是最重要的半导体材料,在微电子领域有着广泛的应用.室温下硅的禁带宽度为1.11 eV,相应的发光波长为1.14μm.在近红外波段,硅是间接带材料,发光效率很低,无法在光电子领域实际应用.近年来,人们用稀土离子Er掺入硅中,获得了Er~(3+)离子在1.54μm的近红外发光.这正是光纤传输的最低损耗波段.在掺Er的硅基材料上能否获得有实用功率的发光或激光器件,人们对此表现了极大兴趣.然而,理论评估表明前景不容乐     

纳米晶Fe_(72.7)Cu_(0.8)Nb_2V_2Si_(13.5)B_9合金的高频磁性和超顺磁性行为

典型的Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9和Fe_(73.1)Cu_(1.2)Nb_(3.2)Si_(12.5)B_(10)合金含有较贵的Nb,原始非晶带比较脆.我们用V代替部分Nb制成了Fe_(72.7)Cu_(0.8)Nb_2V_2Si_(13.5)B_9合金,降低了成本,明显改善了脆性,非晶带可对折而不脆.对新合金高频磁性及起始磁化率的温度关系进行了研究,观察到纳米铁磁粒子系统的超顺磁性行为,本文报道这些方面的实验结果.     

铜（Ⅱ）与碱土金属异三核配合物的合成与表征

合成了三种新的异三核配合物〔 Cu2 (oxae) 2 M〕(Cl O4) 2 ,oxae表示 N,N′—二 (2—氨乙基 )草酰胺根阴离子 ;M代表 Ca、Mg和 Ba.通过元素分析 IR、UV、ESR、电导及磁性测量等手段对配合物进行了表征 ;测定了配合物〔 Cu2 (oxae) 2 Mg〕(Cl O4) 2 的变温 (4— 30 0 K)磁化率 ,其数值用最小二乘法和由金属离子间磁交换作用的哈密顿算符 (κ =- 2 Jν1 .ν 2 )导出的磁方程拟合 ,求得交换积分 J=2 .56p-1 ,表明在该配合物中 Cu( )— Mg( )— Cu( )存在着弱的铁磁性相互作用     

Bi_2DyFe_5O_（12－x）薄膜的磁性及MOSSBAUER研究

利用Ｘ－射线衍射，磁性测量及测量等手段研究了溅射态氧化物薄膜Ｂｉ＿２ＤｙＦｅ＿５Ｏ＿（１２－ｘ）的结构，磁性及晶化过程，得到了一些新的结果。     

磁性薄膜克尔回转角的测试方法研究

本文阐述了差动法测量克尔回转角的原理,给出了检测信号电压的计算公式,描述了具体测试装置,实验测定了Gd-Tb-Co膜、Gd-Co膜以及Tb-Fe-Co膜的极向克尔效应磁光回线和克尔回转角.文中对测试误差进行了讨论.     

集成激光器-波导器件

本文报道了利用沉积-旋涂技术,在AlGaAs/Ga As激光器之间,进行波导互连的实验结果。     

实施“国家半导体照明工程”计划——厦门在行动

半导体照明技术是21世纪最具发展前景的高新技术领域之一，作为新型高效固态光源，半导体照明具有寿命长、节能、安全、绿色环保、无热辐射、色彩丰富、微型化、易控制等显著特点、发光光谱已覆盖红外、紫外、可见和全波段。半导体技术与普通照明产业的结合引发了照明产业的科技革命和产业革命。     

聚乙烯醇基自形成磁性液体的零场粘滞特性

用共沉淀-酸蚀法,制得了稳定的自形成聚乙烯醇(PVA)基CoFezO4的磁性液体,测量了基液粘度随聚乙烯醇体积浓度(φs)的变化,磁性液体随磁性微粒体积浓度(φv)不变而φs变化和φs不变而φv变化下零磁场粘滞度．比较在不同条件下的实验结果,研究基液和磁性微粒体积分数φv对磁性液体粘滞特性的影响,并解释了实验所得到的η～φ关系．