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131.
132.
徐世洋 《中国新技术新产品精选》2011,(20):150-150
为提高钢板退火时的表面清洁度,有必要将钢板表面残留物清洗掉,这些残留物主要包括残留轧制油、铁粉等。采用氢氧化钠型的清洗剂即可较容易地除去残留轧制油,而铁粉因其固有的特点较难除去,通常采用磁性过滤器进行处理,其通常有两种方式:棒链式和转毂式,通过对比分析,找出各自所适用的环境和工况。 相似文献
133.
本文采用传统固相反应法制备多晶样品(La_(0.9)Eu_(0.1))_(4/3)Sr_(5/3)Mn_2O_7,并对其磁性和磁卡效应进行研究.研究表明:在低温部分出现反铁磁和铁磁相互竞争,在三维铁磁有序转变温度(T_c~(3D)≈75 K)至二维铁磁转变温度(T_c~(2D)≈227 K)范围内出现铁磁顺磁共存;此外,在T_c~(3D)附近,出现了较大的磁熵变,当外加磁场为1 T时其最大磁熵变值为1.69 J/(kg K),这表明该材料可能适合在液氢温区内作为一种磁制冷材料. 相似文献
134.
李丽 《中国新技术新产品精选》2009,(24):13-14
EDMOS晶体管广泛地用于半导体器件在很多领域内,如高压MOS场效应管。EDMOS含有一个轻掺杂漏极区域来提升击穿电压.正归功于它们的优越性,这类晶体管正作为功率器件在智能型功率集成电路领域快速地取代双极晶体管. 相似文献
135.
《河南大学学报(自然科学版)》2016,(2)
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Zintl相Sr_3Ga_2M_4(M=P,As)的电子结构和成键特征.计算得到的晶格常数和实验符合得很好,确保了计算的准确性.相似的态密度表明两种化合物能带结构近似,Sr_3Ga_2P_4和Sr_3Ga_2As_4的带隙分别为0.99eV和0.74eV,价带顶最高点和最低点分别位于Γ点和X点说明材料为窄带隙间接半导体,满足对热电材料的带隙要求.利用电子局域函数分析其成键特性,晶体结构内部展现出共价键和离子键的共存,符合Zintl相材料成键特征,这种复杂的结构有利于材料的低热导率.对有效质量的分析和计算进一步表明材料具有潜在的热电特性. 相似文献
136.
在群速率概念的基础上,讨论了自旋极化电子的隧穿系数和渡越时间与半导体层厚度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两磁性铁磁体中磁矩夹角之间的关系。结果表明:不同自旋取向的电子在隧穿铁磁/半导体/铁磁三明治异质结过程中,隧穿系数表现出振荡特性,而渡越时间则表现出明显的分离特性。 相似文献
137.
磁性磨料光整加工技术是一种非常重要的光整加工技术,与低频振动和超声振动相结合,可实现高精度、高质量和高效率的光整加工。介绍了磁性磨料光整加工、振动辅助磁性磨料光整加工及超声辅助磁性磨料光整加工技术的原理和特点及相关的国内外研究现状。根据难加工合金材料复杂曲面的特点,提出实现复杂曲面磁性磨料光整加工,需要就以下问题开展进一步研究和探索:通过提高加工间隙的磁通量密度及磁能与其他能量复合来提高光整加工效率;建立复杂曲面磁性磨粒光整加工过程控制函数;探讨在磁极工具的空间几何约束作用下复杂曲面磁性磨料光整加工工艺的规划方法等。 相似文献
138.
超级13Cr不锈钢的钝化膜耐蚀性与半导体特性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用极化曲线和Mott-Schottky曲线,研究了超级13Cr马氏体不锈钢在100、130、150和170℃且含CO2和Cl-的腐蚀介质中浸泡7 d所形成的钝化膜的电化学行为和半导体性质.同时应用光电子能谱表面分析技术分析了超级13Cr钝化膜中的元素价态.结果表明,超级13Cr马氏体不锈钢经腐蚀过后形成的钝化膜表层中Mo和Ni以各自硫化物的形式富集,而Cr以Cr的氧化物的形式富集.在100℃和130℃形成的钝化膜具有良好的耐蚀性,而在150℃和170℃形成的钝化膜耐蚀性下降.产生这种现象的原因与表面钝化膜的半导体性能密切相关,在100℃和130℃中形成的钝化膜具有双极性n-p型半导体特征,且随着温度升高掺杂数量增多,而150℃和170℃介质中形成的钝化膜为p型半导体,故随着温度升高,超级13Cr马氏体不锈钢的耐蚀性能下降. 相似文献
139.
草酸作用下不同粒径纳米Fe3O4的光催化氧化合成及其磁性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用空气氧化法,在可见光和微量草酸作用下,室温条件进行了不同粒径(10.5~30.2 nm)纳米Fe3O4的制备及其磁性能研究.结果表明:在可见光作用下,随草酸络合剂的添加,纳米Fe3O4的粒径减小,均匀性及分散性有所提高;在微量草酸存在下,随光照度的增强,纳米Fe3O4的粒径有所减小;Fe2+与草酸的络合增强了对可见光的利用率,加快了体系的氧化速率,高的反应速率使纳米Fe3O4晶粒减小;不同粒径纳米Fe3O4分别呈现出不同的磁性能. 相似文献
140.
采用吡啶取代的单臂氮氧自由基与抗磁金属Cd(Ⅱ)进行配位,得到了一个新的单核配合物[Cd(1M4Py)3(OCN)2·2H2O](其中IM4Py=2-(4'-吡啶基)-4,4,5,5-四甲基咪唑啉-1-氧基自由基).单晶X-射线衍射结果表明,配合物属四方晶系,I4(1)/a空间群;晶胞参数a=1 443 9(3)nm,... 相似文献