自由边界条件的无规混合圆形磁性系统磁特性的微磁学研究

采用能量极小原理的微磁学方法对铁磁/反铁磁无规混合圆形磁性系统进行模拟计算,研究自由边界条件下该系统的磁特性.发现系统存在M-H磁化曲线的阶梯效应,并解释了小自旋的反铁磁耦合是产生这一现象的根本原因,同时,解释了自由边界条件下系统的平均自由度较周期边界条件下系统的自由度大是产生阶梯数目增多的原因.     

非晶多层膜Fe/SnO2的磁特性

采用高频溅射制备了Fe/SnO2非晶多层膜，当SnO2层厚度ds固定为5mm时，样品的饱和磁化强度Ms随Fe层厚度dm的减小而降低，这主要受死层效应和维度效应的影响，样品在dm很小时，呈现准二维磁性，样品的居里温度Ic随dm的减小而单调下降，当Fe层固定为2ng时，Ms随ds的减小而升高。     

Fe-Ti非晶合金的磁性研究

利用机械合金方法制备了FexTi100-x非晶合金，并对其样品进行了室温的磁性测量和分析．     

稀释晶场中最近邻弱交换相互作用对重入现象的影响

利用有效场理论研究了稀释晶场中混合自旋Blume-Capel模型纳米管系统的重入现象,得到了系统的重入现象与稀释晶场取值概率、晶场和外壳层与内壳层格点间最近邻交换相互作用的关系.结果表明:取值概率、交换相互作用和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比恒定晶场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁化行为:负晶场...     

双原子层铁纳米带初始态的磁化强度分布研究

采用磁化强度分布的正弦模型,推导无限长铁纳米带退磁能的简单表达式,结合数值计算,得到生长在W(110)表面上双原子层铁纳米带初始态磁化强度的周期和纳米带宽度的关系,结果与实验相符.由拟合磁化强度周期的实验值得到的双原子层铁纳米带的饱和磁化强度比决状铁磁材料大得多,交换常数则小得多.     

Er2Fe17-xSix(x=O,1,2)合金的分子场理论分析

用两格点子分子场理论分析了合金Er2Fe17-xSix(x=0,1,2)的饱和磁化强度随温度的变化关系,得到了分子场系数nEE、nEF、nFF,计算了居里温度,给出了分子场强度HEr(T)、HFe(T)随温度变化的曲线。结果表明,当x增加时,分子场系数nFF明显增大,分子场强度HFe(T)亦随之增大,而HEr(T)在较低温区域减小,在较高温区增大,并且nFF的增大是居里温度提高的主要原因。     

CO-Fe3O4磁性流体磁性能的研究

制备了以超细Co、Fe     

对向靶溅射α″-Fe16N2薄膜的结构与磁性

用对向靶反向溅射法制备了α″－Fe16N2薄膜,用X射线衍射（XRD）和振动样品磁强计（VSM）对其结构、磁性进行了分析讨论,对磁性的分析表明造成饱和磁化强度存在较大差异的原因与其晶胞的大小有很大的关系。     

Y（Fe1—xCox）11.3Nb0.7化合物的室温饱和磁化强度Ms？…

用脉冲强磁场测量法和奇点探测法（ＳＰＤ）,研究了电弧炉熔炼方法制备的１：１２型稀土过渡族金属间化合物Ｙ（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１１．３Ｎｂ０．７（ｘ＝０．００,０．０５,０．１０,０．１５,０．２０）多晶样品的室温磁特性,研究结果表明,Ｙ（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１１．３Ｎｂ０．７系列化合物的室温（３００Ｋ）各向异性场Ｂａ和饱和磁化强度Ｍｓ,随Ｃｏ含量的增加,都先增加后降低。     

IV-VI族稀磁半导体的磁化理论

简单介绍了IV-VI族稀磁半导体的特性。IV-VI族稀磁半导体的自发磁化、矫顽力和居里温度等性质可由载流子浓度调节。对制造技术导致的缺陷反应迟钝用常规制备方法就可以制备IV-VI族稀磁半导体。作为一种磁离子和载流子能被分别导入和控制的稀磁半导体,IV-VI族稀磁半导体有利于研究稀磁半导体中的铁磁特性。给出了IV-VI族稀磁半导体由独立磁离子杂质、相邻杂质相互作用、晶格反磁性和载流子自旋密度四部分作用组成的总磁化强度的各部分的数学表达式。