发展中的晟纳吉光伏材料有限公司

内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司是一家全球领先的、专门从事半导体硅材料和太阳能硅材料的研发与生产一体化的高科技企业。主要生产经营重掺半导体级硅单晶棒、硅抛光片和太阳能电池级硅单晶棒、硅单晶片。同时也加工为此配套的掺杂剂、籽晶、石墨热系统等等一系列相关产品。公司成立于2006年1月。坐落于内蒙古呼和浩特出口加工区,目前注册资金1．5亿元人民币。     

基于数据挖掘的铁水硅质量分数SVM预测方法

提出了一种基于蚁群聚类算法数据挖掘预处理的支持向量机(SVM)预测方法.利用其在处理大数据量、消除冗余信息等方面的独特优势,寻找与预测炉况同等的多个历史铁水硅质量分数,由此组成具有高度相似炉况特征的数据序列,将此数据序列作为SVM的训练数据.这种处理方法可减少数据量,提高预测的速度和精度.将该系统应用于铁水硅质量分数预测中,与单纯的SVM方法相比,具有较高的预测精度.     

一种新型磷酸硅铝分子筛的合成及表征

采用水热合成法,以三乙烯四胺(TETA)为模板剂,磷酸、正硅酸乙酯、乙酸镁及氢氧化铝为原料,通过调节模板剂的用量、晶化温度、晶化时间和 pH 值,合成出含镁的磷酸硅铝分子筛,原料的物质的量之比为 n(P): n(Si): n(H2O): n(Ni): n(Al): n(TETA)=1.00:0.25:0.18:0.51:30.00:0.65,晶化温度为150~170, pH ℃值为6.0,晶化时间为24 h     

Blue emission from hydrogen-containing a-Si：H／SiO2 multilayers and the investigation of its mechanism

A series of hydrogen-containing a-Si:H/SiO2 multilayers with different a-Si:H sublayer thickness were fabricated by layer-by-layer deposition and in situ plasma oxidation in a plasma-enhanced chemical vapor deposition system (PECVD). Optical induced blue emission from the samples was observed by the naked eye at room temperature, which has never been reported in the luminescence study of Si/SiO2 multilayers up to now. Both the photoluminescence (PL) peak and the absorption edge show a blue shift as the a-Si:H sublayer thickness decreases. The origin of the blue emission and the effect of hydrogen are discussed.     

硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题

实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。     

多孔硅的制备和光致发光

用阳极氧化方法制备了多孔硅样品，研究了样品在室温下受温下受紫外光（３５５ｎｍ）激发的发光特性，发现着阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加，发光峰呈蓝移，用ＫＯＨ溶液和水对多孔硅处理，发光光谱有明显变化，解释了有关发光现象。     

硅中杂质,缺陷对器件制作与性能的影响及控制

本文针对硅中杂质、缺陷对器件制作和性能的影响进行研究,提出控制杂质与缺陷的不良影响和提高器件的成品率和优品率的途径。     

三甲基硅基烯醇醚的合成

本文研究了酮类化合物与原位产生的三甲基碘硅烷反应,制取了1-三甲硅氧基环己烯,2-三甲硅氧基丙烯和α-三甲硅氧基苯乙烯。此法原料易得,反应条件温和,反应时间短,产品纯度和收率高。     

玻璃与硅片场致扩散连接过程中的电流特性与断口分析

对K4 玻璃与硅片在大气中进行了场致扩散焊 (阳极焊 )焊接试验。结果表明 ,K4 玻璃与硅片在焊接温度为 30 0～ 4 5 0℃和焊接电压为 70 0～ 85 0V的范围内都能够实现较好的连接。试验还表明 ,阳极焊过程中的电流随时间的延长而降低并渐趋稳定、随焊接温度和焊接电压的降低而减小。利用扫描电镜和能谱分析等手段对拉伸断口及接头组织和成分进行了分析。