硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题

实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。     

非晶态合金Pd77.5Ag6.0Si16.5中含氢引起的内耗峰

用倒扭摆研究了非晶态合金Pd_(77.5)Ag_(6.0)Si_(16.5)的低温内耗和切变模量行为.经电解充氢后在120—130K范围内发现一个弛豫型内耗峰,随氢含量的增加,峰高增大,峰温移向低温,退火去氢后则具有可逆趋势.弛豫激活能为0.28±0.05eV.氢内耗峰的微观机制,是处于四面体或八面体中间隙位置的氢原子应力感生有序.     

钛和锆钨硅杂多酸盐异构体的合成及表征

合成了α－和β－Ｍ１０－ｎＨｎ〔ＳｉＷ９Ｔｉ３Ｏ４０〕·ｘＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｋ＋、Ｍｅ４Ｎ＋），α－（Ｍｅ４Ｎ）４Ｈ２〔ＳｉＷ１１ＺｒＯ４０〕·１３Ｈ２Ｏ和β－（Ｂｕ４Ｎ）４Ｈ２〔ＳｉＷ１１ｚｒＯ４０〕·１４Ｈ２Ｏ等杂多酸盐异构体。并用ＩＲ，ＵＶ，ＴＧ和ＤＴＡ、极谱以及Ｘ－射线粉末衍射等手段进行了表征。     

氢化纳米硅薄膜的光声光谱研究

分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱，并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比．纳米硅的光吸收系数比后两者都高（特别是在１．４～１．９ｅＶ之间，高出近一个数量级），其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响，此外，纳米硅光声谱中Ｕｒｂａｃｈ边宽且缓，反映出这种材料很高的无序程度．     

n^＋／p常规硅太阳电池表面“死层”的减少方法

磷透过热生长氧化层扩散的方法，可以减缓高浓度浅结磷扩大硅表层带来的晶格损伤（即“死层”）双晶Ｘ射线衍射图形和杂质纵向分布测量均证实了这一点，用此方法制备的常规结深的太阳电池，其相对光谱响应４００～６００ｎｍ波段内平均提高了５０％，在ＡＭＯ（２５℃）条件下，其光电转换效率也从常规电池的１１．８％提高到１２．３％，转换效率可望在工艺最佳化研究后得到进一步提高。     

在阿拉伯树胶存在下,罗丹明B—硅钼杂多酸缔合物分光光度法测定铝合金中的痕量硅

本文研究了硅钼杂多酸—罗丹明B—阿拉伯树胶显色体系,从而建立了水相测定硅的高灵敏度分光光度法,应用于铝合金中痕量硅的测定,结果较满意。     

NaOH(KOH)-SiO_2-CH_2OHCH_2OH体系中全硅方钠石的合成

1985年Bibby和Dale首次报导了在非水体系(乙二醇和正丙醇)中全硅方钠石的合成。最近,Van Erp等报导了在其它非水溶剂中全硅方钠石的合成。但在KOH存在下全硅方钠石的合成未见报导。我们探索了非水体系中全硅方钠石的合成。     

硅压阻流速仪及其应用

由两根平行放置的皮托管作为测压探针，硅压阻传感器作为压力敏感元件组合成的流速探头，尺寸小，动态频响良好（士１ｄＢ频带宽为１２００Ｈｚ），适用于一维的动态流速测量。配套用的放大器设有温度和频率补偿及线性化电路，可得到线性的输出信号。在国管和明槽内进行的断面流速分布量测结果与理论计算值以及其它仪器的实测资料能较好地符合。在雷诺数不大的情况下可以测出边界底层内的紊动强度分布。     

温场对CZ硅单晶氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响

利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。