氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态

研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.     

高硅沸石中二元物系表面扩散系数的预测

用动力学蒙特卡罗（Kinetic Monte Carlo，KMC）方法模拟客体分子单组分及双组分混合物在高硅沸石（Silicalite）分子筛中的扩散，与分子动力学（Molecular Dynamics，MD）方法的模拟结果及Maxwell-Stefan（M-S）方程计算对比说明KMC方法的合理性，而由真实的体系性质获得正确的跳跃频率值及合适的晶格模型是获得正确计算结果的关键，且一旦由单组分研究获得正确的跳跃频率值及晶格模型，便可直接移用至多组分体系的KMC模拟中。     

富钾硅复合物对水稻土中有效K，Si，Ca，Mg的影响

富钾硅复合物为绿豆岩煅烧产物，本文通过盆栽对比实验研究它对水稻土中有效K，Si，Ca，Mg的影响，结果表明：水稻土中施入K，Si，Ca，Mg后，被水稻带走部分养分，土壤养分仍有变化；尽管富钾硅复合物中的K，Si，Ca，Mg多为枸溶性养分，但均能供给水稻生长发育需要，并具有一定后效．     

方波脉冲电沉积氧化锌薄膜的研究

以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性.用同样方法在多孔硅衬底上电沉积ZnO薄膜,经过1000℃氧气氛下热处理1h,在紫外光照射下可发射强绿色荧光.     

新型取代缺位钨杂多酸盐的合成与结构

标题化合物K4[H3 xSiCoxW12-xO40]·16H2O(x=0.75)是由硝酸钴Co(NO3)2与β-11-钨硅杂多酸盐β-K8[SiW11O39]反应制得的.其晶体属于四方晶系,空间群为P4n2,晶胞参数:a=b=1.412(2)nm,c=1.2384(3)nm,α=β=γ=90(°),V=2.4692(8)nm,Dc=4.343g·cm-3,Z=2.X-射线单晶结构分析表明,其晶体是由具有硅氧四面体SiO4为中心,具有D2d对称性的阴离子[H3 xSiCoxW12-xO40]4-、阳离子K 以及水分子堆积而成三维结构;其中Co2 统计地取代了β-11-钨硅杂多酸盐的空位,不同于熟知的α-、β-或γ-型单空位取代杂多酸盐结构的形成过程也作了讨论.     

新型Al-Mg-Si-Cu合金热压缩流变应力研究

在Gleeble 1500热模拟机上对一种新型Al-Mg-Si-Cu合金热压缩流变应力行为进行了研究,应变速率为 0.005~5 s-1、变形温度为350~550 ℃.结果表明:在较小应变(<0.15)出现一峰值后流变应力随应变的增加有所降低,表现出较明显的动态软化;在实验范围内,流变应力值随着应变速率减少和变形温度升高而降低,可用Zener-Hollomon参数的幂指数关系描述合金的流变应力行为,其变形激活能Q为236 kJ/mol.图5,参11.     

核磁共振法表征磷改性斜发沸石骨架硅铝的变化

用固固相P—Al同晶取代的方法，采用焙烧和微波两种加热方式磷改性斜发沸石。并用^27Al、^29Si和^31P高分辨MASNMR表征磷改性前后斜发沸石骨架上的硅铝变化，结果表明，两种方法都能使沸石骨架Al脱除，形成八面体Al(H2O)^3 6，骨架硅铝比显著增大，微波法对斜发沸石骨架P—Al同晶取代效果比焙烧法好，同时，两种方法对磷改性斜发沸石的骨架结构影响也不同。     

硅表面双聚体空位附近原子沉积的理论研究

采用经验紧束缚近似方法模拟重构硅(100)表面单个双聚体空位(SDV)附近的单个硅原子的沉积行为，根据绘制的SDV附近附加能量差异的三维及投影图，确定了沉积束缚点和一些鞍点，并研究其可能的扩散路径。     

水稻对硅、钾、钙、镁的吸收动力学研究

为了研究水稻对硅、钾、钙、镁的不同吸收效应，同时探索含钾硅酸盐矿物的肥料价值，本文采用了动力学研究方法．结果表明：水稻对硅、钾、钙、镁的吸收速率因肥料配比差异而不同；而施用多元复合物，水稻生长过程中对硅、钾、钙、镁的吸收速率明显增加；四个动力学方程对水稻吸收养分规律的拟合度都达到了极显著性或显著性水平；单从相关系数及其变异系数来看，四种养分的拟合情况均以Freybdkucg方程为最好．     

包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象

采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.