硅表面双聚体空位附近原子沉积的理论研究

采用经验紧束缚近似方法模拟重构硅(100)表面单个双聚体空位(SDV)附近的单个硅原子的沉积行为，根据绘制的SDV附近附加能量差异的三维及投影图，确定了沉积束缚点和一些鞍点，并研究其可能的扩散路径。     

HDTV视频同步与消隐时序控制信号的CPLD设计

ATSC HDTV视频输出采用了SMPTE的相应标准．将像素计数与行计数相结合，采用统计行分类编码的算法对SMPTE274M、SMPTE296M、SMPTE293M和SMPTE295M标准的同步与消隐时序控制信号进行了多平台的仿真分析，并在ALTERA公司的EPM7128上最终实现了本设计．     

步进程控放大器的CPLD实现

ispLSI1032是Lattice公司生产的在系统复杂可编程逻辑器件。本文介绍利用可编程逻辑器件ispLSI1032和AD7520实现1000倍步进增益可调的程控放大器的设计方法。     

平面锥形光波导模斑转换器的研究

基于三维有限差分束传输法（FD－BPM）对平面光波导器件中的关键元件之一－平面锥形模斑转换器作了深入的研究，对线性和数种非线性侧面边界的模斑转换器进行了数值仿真和对比，分析了平面锥形模斑转换器侧面边界函数对耦合损耗的影响，以及模斑转换器中模场分布随传输距离的变化，确定了不同长度的平面锥形模斑转换器的最佳侧面边界，指出长度在200－1000μm范围内具有余弦边界的平面锥形模斑转换器性能最佳，并且发现，光纤中的出射光进入模斑转换器以后，光波模式会逐渐发生变化，并最终转化为单模。     

纳米--物质世界的新大陆

在物质世界的微观和宏观两个领域内，人类在小步地前进着；而在介于它们之间的1—100纳米的世界里，20年前科学家们发现了深藏其中的一些物理和化学上的奇异现象，比如物体的强度、韧性、比热、导电率、扩散率、磁化率等完全不同于我们现有的常识。由这些全新的发现可能导致的全新理论的问世将会给人类带来怎样的影响，会成为一场持续多久的革命呢?请看中国科学院纳米科技项目首席科学家白春礼院士的报告。     

包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象

采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.     

配制高性能混凝土对原材料要求的探讨

高性能混凝土具有高流动性、高耐久性的特点，其组成原材料应满足各项性能的基本要求．胶凝材料用量较高，水灰比较低，最大骨料粒径较小，可采用普通水泥，但必须与高效减水剂有很好的相容性．     

非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜及生长机制探讨

利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150 nm×150nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式.     

硅压阻式传感器与AD7705芯片在压力测量中的应用

介绍一种新型测量压力的元件——硅半导体压阻式传感器，并以MPX2100压阻式传感器为例，配合AD7705芯片构成压力测量系统，阐述压力测量系统的工作原理，说明系统的软、硬件设计方法．     

在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究

提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜，能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体，光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散，在Wagner理论基础上，用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。