GaAs（100）表面上含Cl物种的形成和激光诱导的脱附

用ＸＰＳ分析了盐酸处理前后的ＧａＡｓ（１００）表面。未处理ＧａＡｓ（１００）表面上有约１．７ｎｍ厚的氧化层；盐酸处理可除去氧化层并在表面上形成一层氯化镓物种。本实验还用３５５和１９３ｎｍ激光研究了此含氯物种的激光诱导脱附过程。结果表明，３５５ｎｍ激光导致氯化镓热脱附，从激光的热效应可推测出表面氯化镓物种可能是ＧａＣｌ；１９３ｎｍ激光可将ＧａＣｌ解离，从而导致光解Ｃｌ脱附。     

n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs背反射簿层电池光谱响应的理论分析

n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs 异质结构背电场背反射簿层电池的光谱响应的计算结果表明:结深x_j对光谱响应有重要的影响,尤其是短波;基区厚度H_2的变化对长波光谱响应也非常敏感,存在一最佳的基区厚度值;比较理想的电池结构参数是:x_j<0.05μm,n型表面区扩散长度L_?>x_j,基区扩散长度 L_1>2H_1。     

不掺杂GaAs膜注入载流子感生线偏振光吸收谱和光荧光谱

实验测量ＭＯＶＰＥ生长不掺杂ＧａＡｓ膜注入载流子感生线偏振光吸收谱和激光光荧光谱。结果表明注入载流子引起带隙和光荧光谱峰值明显减小。它们与注入载流子浓度均呈非线性变化关系。     

GaAs中过渡金属深能级的量子化学计算

本文采用17个原子的原子蔟,用电荷-组态自洽的EHMO方法,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得杂质能级在能隙中的位置与实验结果较好地符合.     

GaAs(110)解理面的反射电子显微术观察

反射电子显微术是利用固体表面的反射电子直接观察表面的实验技术,在最近十几年来得到了较大的发展.将此技术应用到晶体表面微观结构的直接观察上,能以较高的分辨率揭示表面结构的细节,如单原子高度台阶、位错等,并可进行表面结构变化的动态观察,从而使反射电子显微术成为表面科学研究的有力工具.它的发展研究无疑会对表面科学产生重要的影响.本文报道了用JEM-200CX电子显微镜对GaAs(110)解理面观察结果.     

GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析

基于GaAs(114)A表面的几何结构，采用散射理论的格林函数方法，首次从理论上计算了GaAs（114）A表面的电子结构，得到了该表面的投影能带结构，并从键合结构上分析了各表面态的轨道特征和色散特性，结果表明，在基本带隙中有4个表面态，异极带隙中有2个表面态，这些表面态分别与表面的离子悬挂键相对应。     

砷化镓材料

文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程中得到性能参数较为理想的晶体材料而应采取的有关工艺措施。