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51.
用X光电子能谱(XPS)、先致发光(PL)和俄歇电子能量谱(AES)研究P_2S_5/NH_4OH对n型GaAs(100)晶面的钝化作用.测试结果表明,钝化后在砷化镓(100)面上的自然氧化物已被除去,表面形成了一层性质稳定的硫原子层.硫原子与砷、镓原子分别有效地成键,阻止了砷化镓表面氧化物的组成,并消除了表面存在的悬挂键,从而大大优化了GaAs(100)面的特性.PL实验结果支持了上述结论.实验结果表明钝化后GaAs表面复合速度下降,表面态密度降低. 相似文献
52.
实验观测了He-Ne激光辐照不掺杂GaAs膜和GaAs多量子阱的反射光强,对比研究了实验的结果。 相似文献
53.
利用集团模型探讨了硫对砷化镓(110)理想表面悬挂键的饱和作用,着重于定性讨论硫去除禁带内砷化镓表面态的可能性,这有助于了解硫钝化砷化镓表面的机理,计算采用电荷自洽的EHT方法,结果表明,硫确能与表面砷化镓原子形成较强的共价键,并把悬挂键形成的表面态移出禁带,其中硫与镓的相互作用更为强烈。 相似文献
54.
高压液封直拉法生长的未掺杂半绝缘GaAs和水平法生长的掺Cr的半绝缘GaAs二种样晶在有As气氛和没有As气氛保护下分别在真空封管中在740℃退火4小时后,电学测量发现有As气氛保护的GaAs表面未出现热反型,而没有As气氛保护的GaAs表面出现热反型层。光致发光谱测量发现在热反型的样品中并没有出现与Mn_(Ga)相连系的1.41eV发射峰,而是与C_(As)相连系的1.490eV发射峰强度在退火后大大增强。一系列实验表明在真空退火后SI-GaAs表面低阻反型层的产生可能是由于在热退火过程中表面产生的大量V_(As)向内扩散,使表面层中的Ci填充V_(As)形成C_(As),从而使表面层的C_(As)受主浓度增加,导致形成低阻反型层。 相似文献
55.
XU XingSheng WANG ChunXia SONG Qian DU Wei HU HaiYang ZHAO ZhiMin LU Lin KAN Qiang CHEN HongDa 《科学通报(英文版)》2007,52(18):2473-2476
A photonic crystal vertical-cavity-surface-emitting laser (PC-VCSEL) with a wavelength of about 850 nm was realized. The direct-current electrically-driven PC-VCSELs with a minimum threshold current of 2 mA and a maximum threshold current of 13.5 mA were obtained. We fabricated a series of PC-VCSEL chips whose lattice constants are in the range from 0.5 to 3 μm with different filling factors, and found that the laser characterization depends on the lattice constant, the filling factor, the size of cavity, etc. 相似文献
56.
本文研究了半绝缘GaAs/Al0.3Ga0.7As多量子阱的电光效应和光折变效应。用光调制反射谱分析了样品的结构,用电调制透射谱测量了电吸收和电折变;用二波混合的方法测量了它的光折变性质。对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较。 相似文献
57.
砷化镓场效应管的潜在性失效 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高GaAsMESFET静是放是失效阈值,通过ESD实验前、后直流参数和热分布变化获取不足10%的器件表面为永久性失效,而90%以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ns级瞬时冲击下,辅之以电热迁移和扩散,致使GaAsMESFET肖特基势垒受到不同程度损伤,G-S、G-D间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理,找出在设计、工艺和材料上的缺陷,以提高器件抗静电能力。 相似文献
58.
59.
60.
在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上,针对国内工艺技术的特点,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术。该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器,在输入端设计π型宽带匹配电路,并采用经实验验证和优化设计的平面压控变容管。模拟结果表明,该压控带通滤波器性能优越,有10dB以上插入增益,通带宽度约30MHz,调频范围宽约400MHz,工作于1.44 ̄1. 相似文献