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GaAs红外发光二极管的可靠性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从反向测试中出现的二次击穿器件,分析了其失效原因,表明晶体内缺陷或机械损伤琪的热斑引起器件发生二次击穿,从而提出了工艺改进措施。 相似文献
46.
国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了国产卫星用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×109 -5 × 1013 cm-2的变化.实验表明,2种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势.背场 Si太阳电池性能参数短路电流Isc和最大输出功率Pmax衰降变化快,辐照注量为2 × 1010cm-2时, Pmax就已衰降为原值的75%,而GaAs/Ge太阳电池对应相同的衰降辐照注量达8×1011cm-2,且 Isc和Pmax衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3 × 1012 cm-2时才迅速下降.背场Si太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ev+0.14 eV和Ev+0.43 eV深能级有关,而GaAs/Ge太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ec-0.41 eV深能级有关. 相似文献
47.
损伤层深度和翘曲度是鉴别晶片加工质量好坏的2个重要指标。用x射线回摆曲线法和非接触式电容法分别测量了砷化镓(GaAs)材料在线切割中的损伤层深度和翘曲度,分析了引入损伤和翘曲的主要因素。随着切割速度的降低,损伤层厚度略有减小。随着钢丝张力的增加和切割速度的降低,翘曲度明显改善。 相似文献
48.
徐至中 《复旦学报(自然科学版)》1995,34(5):586-590
采用紧束缚方法计算了生长在GexSi1-x合金(001)面上的应变GaAs层的带间光跃迁振子强度,以及生长在Si(001)衬底上的应变超晶格的三次非线性光极化率。 相似文献
49.
对由AlyGa1-yAs,AlxGa1-xAs和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的自旋向上和自旋向下的子带产生劈裂,而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方。 相似文献
50.
利用选区电子衍射及明暗场电子衍射成像技术,在Mn^+注入GaAs及随后退火的样品表层发现有二十面体准晶颗粒形成。能谱及电子能量损失谱分析表明,这些粒子不含As,由Ga和Mn元素组成,约含50at%的Mn;其结构具有五次对称性和非周期分布的电子衍射斑点,这些具有2/m35↑-对称性的GaMn准晶粒子同具有闪锌矿结构的GaAs基体之间具有确定的取向关系:i-5↑-//〔110〕GaAs;i-3↑-// 相似文献