GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析

基于GaAs(114)A表面的几何结构，采用散射理论的格林函数方法，首次从理论上计算了GaAs（114）A表面的电子结构，得到了该表面的投影能带结构，并从键合结构上分析了各表面态的轨道特征和色散特性，结果表明，在基本带隙中有4个表面态，异极带隙中有2个表面态，这些表面态分别与表面的离子悬挂键相对应。     

杨裕生 要全面理解汽车电池的污染问题

正废电池处理过程中,如果制度不严、管理不善、技术落后,都可能污染环境。中国工程院院士杨裕生日前表示,所有电池都是化学品作为原料提取和加工的,电池生产、废电池处理过程中,如果制度不严、管理不善、技术落后,都可能污染环境。燃油车是铅电池大用户,我国现在每年5 000万电池用于燃油车上,每年生产2 000多万辆汽车。光     

砷化镓材料

文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程中得到性能参数较为理想的晶体材料而应采取的有关工艺措施。     

挪威研制出半导体新材料

<正>挪威科学家近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料"砷化镓纳米",具有透明、韧性佳且价格低廉等优点,在未来半导体产品市场极具竞争性。挪威科技大学电子与电讯系的研究人员介绍说,他们采用自动分子束外延生长法,在原子级薄石墨烯上生成了这种半导体纳米线。虽然它不是一种全新产品,但却是半导体装置生产方法的一个新模板,可以应用于未来太阳能电池和发光二极管的生产,有望改变半导体工业现有的设备     

砷化镓金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析

本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快.     

MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

氩注入砷化镓中的高分辨电镜观察

本工作用高分辨显微术观察氩注入砷化镓中的精细结构，由于注入惰性气体所产生的高压泡压迫泡周围点阵收缩所产生的压应变可用来缓解表面层张应变，本文将探讨选用注氩为ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ功能材料减少界面应变的可能性。     

P—AlGaAs／n—GaAs异质结载流子输运机理

在20～300K的温度内测量了P-AlGaAs/n-GaAs异质结伏安特性和光伏谱随温度的变化,认为在正偏压下,通过p-n结的载流子输运过程有隧穿复合和扩散两个机构参与,对实验数据进行拟合,计算一些重要参数。