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991.
双模压缩真空态在Tavis-Cummings模型中的原子关联 总被引:1,自引:0,他引:1
考虑了原子的偶极相互作用.通过计算Tavis-Cummings模型下压缩真空态的原子关联,阐明了在双模压缩真空态与环境(原子)通过双光子发生相互作用过程中量子关联随时间的演化关系.通过计算机模拟出两原子处于各种初态下时原子交叉关联随时间的演化图象,分析出在压缩指数r、偶极相互作用常数ga和相位φ等改变时的变化情况,结果表明k值的改变对于原子关联具有重要意义.当两原子处于激发态和当两原子处于一Bell基时时增大k都可以提高体系的原子关联程度. 相似文献
992.
993.
在镀铝 (0 .5~ 4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积 1~ 4μm厚的α- Si薄膜 (基底沉积温度为 30 0℃ ,沉积速率为 1 .0μm/h) ,然后样品在共熔温度下、 N2 气保护中热退火 ,可使其快速晶化成多晶硅薄膜 .结果表明 :在铝薄膜的诱导下 α- Si薄膜在温度 550℃附近退火 5min即可达到晶化 ,X-射线衍射分析显示样品退火 30 min形成的硅层基本全部晶化 ,且具有良好的晶化质量 . 相似文献
994.
目前国内外暂无沉井基础与真空预压处理技术结合的研究。试验通过模型来模拟沉井在不同真空预压处理程度的软土地基中的下沉,对沉井侧摩阻力、刃脚底部阻力进行分析,并通过数值模拟进行对比分析,这对实际工程与理论研究都有参考意义。试验结果表明:随着真空预压处理时间的增加,沉井在软土地基中下沉时的侧摩阻力逐渐增加,靠近刃脚附近侧摩阻力减小的趋势消失;刃脚底部的土压力随着沉井下沉缓慢减小,其中刃脚斜面的土压力占比较工程实际偏大;在软土基础中沉井自重荷载在真空预压处理后提高了250%,且当含水率降低到45%左右时,沉井自重荷载有明显的提升;现有理论计算方式对于刃脚踏面的竖向受力计算偏大,对于刃脚斜面的竖向受力计算偏小。 相似文献
995.
真空退火法制备的VOx薄膜的微观结构研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以V2IO5粉末为原料采用真空蒸发镀膜法结合真空退火还原的方法,在单晶Si(100)衬底上得到了以VO2为主的薄膜,采用X射线衍射(XRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)技术对不同退火条件下所得薄膜的物相和表面形貌进行分析,得到了薄膜的微观结构与退火条件的关系,并对最佳退火条件进行了探索。 相似文献
996.
为了保证预应力钢绞线在张拉后处在一个良好的受力状态,应及时将预应力管道进行封闭,以防止预应力钢绞力暴露在空气中产生腐蚀。因此,管道压浆的作用就显得非同小可了,考虑到现行施工中普遍采用真空压浆,故此对真空压浆施工应注意的一些要求进行共同探讨。 相似文献
997.
本文研究了Lal-x(PO3)_3:Tbx3+(0〈x≤0.6)的真空紫外荧光特性,发现La(PO3)3的阴离子基团(PO3)3^3-可以有效地吸收163和174 nm处的激发能,而且,(PO3)3^3-(174nm)的吸收带与La3+-O2-(200nm)和Tb3+(213 nm)的吸收带互相重叠,能量可以有效地从荧光粉基体传递到发光中心Tb3+。在172nm激发下,当Tb3+浓度(x)达到0.45时,得到最佳的发光强度,色坐标位于(0.343,0.578),衰减时间为4.47ms,发光效率可达商用荧光粉Zn1.96SiO4:0.04Mn2+的71%。 相似文献
998.
氘离子源的等离子体特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用发射光谱法研究了真空放电氘离子原源的等离子体性质。此等离子体处在钛空心阴极之中,是在真空放电时,由钛阴极释放出的氘和钛蒸气被分电离而形成的。实验测定了氘原子巴尔末谱线系中前三条谱线的强度。 相似文献
999.
1000.
采用快速退火工艺,促使非晶硅膜固相晶化,获得具备器件质量的微晶硅膜,以此晶化膜作基本材料,采取侧向光伏效应的工作模式,以金属-绝缘体-半导体(MIS)结构成功地研制出了一维微晶硅膜的光位敏探测器,实验结果表明,该器件具有非晶硅器件与晶体硅器件互补兼容特色。 相似文献