真空态多光子Jaynes—Cummings模型中场熵的演化

研究真空态多光子Ｊ－Ｃ模型中场熵演化特性，讨论了原子相干性，失谐量和跃迁光子数的影响，并与热光场，相干光场Ｊ－Ｃ模型中场熵演化进行了比较。     

金刚石表面的金属化

用真空蒸镀法在金刚石镀覆Ｔｉ层，并经扩散处理使金刚石表面形成ＴｉＣ膜，实现了金刚石表面的金属化，Ｘ射线衍射分析证实了ＴｉＣ的存在，利用ＸＰＳ定量分析验证了在金刚石表面碳原子与钛镀层之间的反应模型，经表面金属化的金刚石烧结体的力学性能测试表明，金刚石与粉末合金界面上的结合得到增强。     

功能覆盖膜对场发射阵列（FEA）电子发射性能的影响

为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（ＦＥＡ）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）以及其它淀积技术。在１０＾－６Ｐａ下测量具有不同覆盖膜的硅ＦＥＡ二极管的Ｉ－Ｖ特性，测量结果表明除Ａｕ和Ｍｏ外，其它覆盖材料都对ＦＥＡ电子发射性能有改进，经ＴａＮ覆盖的ＦＥＡ发射电流最大。由Ｆ－Ｎ曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。     

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．     

浅淡10KV配电变压器的保护

在10kV终端用户配电变压器的保护通常有三种方式：一是利用跌落式熔断器，二是利用负荷开关加高压熔断器所构成的组合电器，三是利用真空断路器。这三种配置方式在技术和经济上各有优缺点，现对这三种方式进行综合比较分析。     

基于MSC1162A驱动芯片的VFD显示模块的设计

介绍了基于MSC1162A驱动芯片和PIC16F73设计的VFD显示模块,实现了VFD的动态显示,介绍了VFD显示模块的显示驱动方法和SPI数据快速通讯应用.其产品已经批量生产并具有良好的实用性和稳定性.     

L型连续退火炉退火工艺的模拟实验

结合唐钢镀锌线退火炉的工艺特点,热模拟了退火工艺,检验了退火后带钢的力学性能和金相组织,为实际生产提供了理论依据.     

快速高温热退火对InGaNAs/GaAs量子阱的影响

从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs量子阱材料在高温热退火过程中的结构和物理性能的变化。在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移。     

热处理制备碳纳米洋葱状富勒烯的研究

采用真空热处理方法，以石墨为原料制备洋葱状富勒烯。利用高分辨电子显微镜对其进行了观察和表征。用金属纳米颗粒掺杂催化制成的纳米洋葱状富勒烯，石墨化程度较高。催化剂对纳米洋葱状富勒烯的形成有较大影响。这种制备纳米洋葱状富勒烯的方法工艺简单、产量较高，产品易于纯化，比较易于工业化。     

模拟退火算法机理研究

从机理上分析了采用Metropolis概率接受准则的重要性 ,认为按照该准则可以使模型跳出局部极小值 ,避免了落入局部极小点的可能 ,然后在退火计划的控制下模拟退火算法 ,最终可以找到最优解 ;深入分析了算法的退火计划和模型扰动 ,以及两者之间的配合的技巧 ,认为算法本身可以作进一步的改进 ;并提出了改进的思路 ,为下一步的具体改进打下了基础