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121.
KdV方程N个纯孤子的碰撞由这N个孤子碰撞后的相移来描述,而位相的移动又依赖于无反射势初值-N(N+1)sech2x的散射参量.本文首先解出N为任意正整数时的散射参量表达式,然后根据逆散射变换(InverseScatteringTransformation,简记IST)得到了N个孤子相移的精确表达式。  相似文献   
122.
给出一种利用莫尔条纹测量顼形分布的方法,在该方法中,利用偏振手段进行了莫尔条纹的相移,以提高条纹判读的精度和速度,与其它类似方法比较,这种方法在相移过程中未引入任何附加误差,并且相移量可任意选择,该方法不仅精度高,而且可自动判读和自动相移。  相似文献   
123.
固体密度基准的准确度主要取决于对单晶硅球直径的准确测量. 为了准确测量硅球直径, 针对传统五幅相移算法之不足, 提出了“改进型五幅算法”, 在保持该算法高准确度特点的同时, 通过将技术上难以实现的步长“准确控制”(理论上要求绝对准确)转换成步长测量问题, 解决了该算法在精密测长中的技术难题; 在算法突破的基础上, 利用“压力扫描”原理设计出“腔长可变式”法-珀标准具, 建立了一套与国外同行相比技术原理新颖、提高潜力较大的相移法精密测长系统. 该测量系统对硅球直径的测量准确度优于3 nm; 单晶硅密度的测量不确定度达到1×10-7.  相似文献   
124.
考察了在考虑不同阻挫时,极限环振子耦合系统的斑图动力学行为.每个极限环振子只与其最近邻的4个振子相互作用.螺旋波斑图,湍流和西洋棋盘斑图等都被观察到.我们使耦合系统中极大部分都以相同的相移,其中随机选择少量的耦合以不同的相移,称之为缺陷.当没有缺陷时,整个二维系统呈现出来的是螺旋波斑图结构,当随机改变其中的较少的联接属性(相移)时,就会出现靶波,当缺陷进一步增加时,靶波又会消失,这是个渐变的过程.  相似文献   
125.
针对光栅投影三维形体重建过程中,获得的相位存在2π折叠问题,采用格雷编码光栅将视场范围分割为2N个子区域,然后在每个子区域内采用相移法获得-π与π的相位,视场上每个点的相位为编码与相位的结合,依据双目立体视觉理论,就可以计算出每个视场上每个位置的深度信息.  相似文献   
126.
为了应对传统延时锁相环(Delay locked loop,DLL)的谐波锁定问题,提出一种结合施密特频率选择器的DLL型90°移相器.采用施密特频率选择器和双数控延时线结构,有效提高该移相器的锁定频率范围.另外,提出的施密特频率选择器能有效抑制输入时钟频率噪声,使移相器稳定工作.在SMIC 55 nm CMOS工艺下流片,工作电压1.2 V,版图有效面积为0.131 mm2.测试结果表明,提出的移相器在250 MHz到800 MHz频率范围内稳定工作;800MHz时,功耗为5.98 mW,且90°相移时钟的抖动峰峰值和均方根值分别是25.9 ps和2.8 ps.  相似文献   
127.
研究了基于π相移光纤布拉格光栅(π-PSFBG)的高精度应变传感特性,利用OptiGrating软件仿真计算出π-PSFBG的关键应变传感参数,给出了相应的应变传感特性方程.在应变测量范围0~2100με内,验证了应变、反射率等关键参数与π-PSFBG中心波长之间的数值关系,得出π-PSFBG的应变灵敏度为1.218 pm·(με)~(-1).  相似文献   
128.
为了研究Ultra-Wideband(UWB)系统中可分辨多径分量和不可分辨多径分量携带信号的误码率问题,利用Radio Activated Key Entry(RAKE)接收机的分集技术,在信号发射端分别采用 Binary Phase Shift Keying (BPSK)和Pulse Position Modulation(PPM)调制方式,从这2种调制方式的解析式入手,推导出BPSK与PPM在可分辨和不可分辨多径分量下误码率表达式,并针对在相同叉指数和信噪比下,分别对这2种多径分量信号在不同调制方式下的误码率进行仿真分析.仿真结果表明,在相同调制方式下,可分辨多径的抗误码率性能要优于不可分辨多径的情况.而且,采用BPSK调制无论是可分辨多径还是不可分辨多径,在抗误码率性能上,均优于PPM调制方式.  相似文献   
129.
基于偏振相移和相关分析,提出一种高分辨率、方便实现的干涉条纹细分原理.该原理将细分环节由电子线路信号处理部分向前移,通过干涉条纹强度分布综合信息的分析与处理来实现,即通过具有高分辨率的偏振相移操作,对干涉相位进行相位调控,使干涉条纹强度分布回到位移起始时的状态,则与相位调控量对应的光程,即为位移的λ/2小数倍部分.由于偏振相移采用具有极大放大倍数的硬件机械运动实现,因而能取得可靠的高分辨率细分.理论分析和模拟结果显示,该干涉条纹细分原理可容易地达到nm级细分分辨率.  相似文献   
130.
MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372o/3. 5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。  相似文献   
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