利用单片机实现直流他激电机的无触点无级调速系统

以比例式零压法为基础 ,提出了直流他激电机的无触点无级调速控制方案和对低压电机用场效应管替代晶闸管的办法 .利用单片机直接控制晶闸管 ,解决了触点寿命问题 .通过单片机的计数口检测电机轴脉冲轮的脉冲信号可实现电机的速度控制和位置控制 .检测和控制都避开了 A/D和 D/A转换 ,具有一定的实用价值 .     

镉镍电池直流屏在变电站中的应用

介绍了镉镍电池直流配电屏的组成及功能，并对直流屏运行和操作中应注意的问题及镉镍蓄电池的维护等进行了阐述。     

高压旋转水射流防治煤矿冲击地压实验研究

冲击地压是采矿业中突发性、瞬息难以预见的灾害，它的发生常常会造成巨大的经济损失和人员伤亡。因此，研究便捷、可靠的防治方法，成为防冲减灾工作中的重要课题之一。传统防治方法中的大孔径机械钻孔卸压法，存在卡钻、长距离大孔径钻孔钻不动、排渣困难等难题。本文作者采用高压旋转水射流钻孔法，从地面实验中克服了上述问题，并研制了相关设备。通过多次试验数据表明，该方法是可行的，并为长距离、大孔径钻孔卸压“防冲”研究提出了一个新的可行的科学方法。     

合肥盆地侏罗系沉积岩中高压-超高压变质岩物源年代学

对安徽省独山地区高压-超高压变质岩物源进行了同位素年代学的研究, 证明它们属三叠纪时期扬子向华北大陆下俯冲和折返过程中的产物. 对在凤凰台组发现的一类高压-超高压变质岩砾石, 测得多硅白云母、磷灰石和全岩的Rb-Sr同位素等时线年龄值为232.1±2.1 Ma (MSWD = 0.59). 对三尖铺和凤凰台组沉积岩中碎屑成因的多硅白云母, 其40Ar/39Ar年龄谱的坪年龄值一致, 分别为216.5±0.6和217.4±1.3 Ma.     

基于模拟电路的无刷直流电动机神经元控制器

从神经元特性出发，研究一种适用于无刷直流电动机控制的模拟电路神经元控制器，获得连续的神经元控制器表达式和权值变化表达式，并进行原理框图设计和给出具体的权值学习电路，仿真实验表明，该控制器具有良好的控制品质，证明了该系统的有效性。     

随机激励下高压管道的疲劳寿命分析

应用功率谱密度(Power Spectral Density)法对随机基础激励下高压管道进行疲劳寿命分析．给出了在随机激励作用下结构的随机响应计算方法，由随机过程和Miner线性累积损伤理论，推导了功率谱密度法估算结构寿命的公式．在此基础之上，以一飞机高压管道结构为例，编写程序求解出其疲劳寿命值．算例表明，在某些结构的应力响应无法实测或难以实测到的情况下，采用功率谱密度法分析其疲劳寿命显得简洁有效．     

高压脉冲电场杀菌技术在食品工业中的应用

高压脉冲电场杀菌技术用于食品杀菌具有能耗低 ,时间短、有效保存食品营养成分和天然色、香、味等特点 ,具有广阔的工业化应用前景 .对高压脉冲电场的灭菌机理 ,影响因素 ,能耗与经济效益 ,研究现状前景等问题做了探讨     

高压喷射灌浆技术在大坝防渗加固中的应用

高压喷射灌浆技术在病险坝防渗加固中得到广泛应用,龙河口水库大坝加固截渗墙的最大深度超过40m,现场进行了近9个月大规模的高压喷射灌浆试验。通过对常规三管法旋喷和摆喷试验成果和不足的分析,提出新三管法旋喷(高水压、高浆压)新工艺。通过钻孔取样、围井抽水和现场开挖等检验,新三管法旋喷获得成功,旋喷桩径较常规三管法有明显增大,桩间搭接良好。     

利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。