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321.
引发拐壁疲劳断裂的主要原因是连接断路器操动机构与分闸弹簧拐壁的主拉杆两侧的锁紧螺母松动,造成主拉杆偏转位移超出与拐壁连接时的技术要求,造成拐壁与弹簧拉杆连接轴承之间接触不稳定,两者之间存在类似翘翘板的挤压运动,挤压运动一方面使拐壁圆环上受力不均匀,局部应力很高,另一方面,挤压运动会使金属局部壁温升高,拐壁材质抵抗断裂能力大大下降,两者共同作用导致拐壁圆环断裂。 相似文献
322.
采用各种表面陷光技术可以增强太阳电池表面的光吸收,由此能够提高太阳电池的能量转换效率.本文评述了采用表面织构、表面等离子增强效应、光子晶体、透明导电氧化物薄膜等表面陷光结构的光学特性,及其在改善太阳电池光伏性能方面的研究进展.指出了各自潜在的优势和存在的问题,并提出了未来研究的若干技术对策. 相似文献
323.
324.
金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。 相似文献
325.
采用熔体快淬方法制备的[(Fe1-xCox)0.675Pt0.325]84B16(x=0.1~0.5)系列纳米晶甩带,通过优化退火热处理后,运用磁力/原子力显微镜(MFM/AFM)研究了Co浓度对样品的晶体与微磁结构的影响.结果表明,甩带的微磁及微晶结构与Co对Fe替代的浓度密切相关.甩带的微磁结构可确定为交换耦合畴结构,由随机分布的黑白相间的点状畴构成,且畴的尺寸约为3~6个其晶粒尺寸的大小.运用Landau-Lifshitz自由能最小化理论解释了纳米晶甩带形成交换耦合畴的机理.甩带的微晶颗粒的直径随着Co含量的增加而变化,但都小于100 nm.具有高矫顽力(iHe)样品呈现了更一致、更大的磁畴结构和更均匀、更细小的晶粒结构.平均的畴尺寸与晶粒尺寸的比例(w/D)可以半定量地表征交换耦合的强度,当x=0.3时w/D达到最大值,此时交换耦合最强,这与磁性测量的结果完全一致 相似文献
326.
信息技术和科技的发展,也带动了材料向多元化方向发展。混凝土材料的智能化已经成为现实。智能化使混凝土材料具备了自感知、自适应、等特性,自动调整特殊功能组分的种类和分量,以满足人们不同的需求。碳纤维本身具有良好的导电性,而通过调整碳纤维的掺量,可以降低普通水泥基材料的电阻,而使得碳纤维水泥基复合材料具有良好的导电性能。 相似文献
327.
室温下采用直流磁控溅射法在PI衬底上制备出具有优异光学性能的ZnO∶Ga透明导电薄膜.研究结果表明,制备了具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶GZO透明导电薄膜.讨论了薄膜厚度对PI衬底上制备ZnO∶Ga薄膜的结构、表面形貌和电学性质的影响.实验数据表明,一定同质缓冲层可有效降低薄膜应力,改善薄膜性能,所得GZO薄膜厚度为129nm时,电阻率具有最小值3.2×10-4Ω.cm. 相似文献
328.
主要给出了一类特殊的单边(拟)Poisson模的定义以及相关性质的探讨,此外构造出了所定义的单边Poisson模范畴与某具体结合代数模范畴的范畴等价. 相似文献
329.
根据连续重复的单元之间平均热流密度处处相等,将组合壁传热简化成一维稳定传热.按热流方向沿不同材料层将单元分成若干部分,求得单元即组合壁的平均热阻.当围护结构由组合壁与其他材料层结合而组成时,宜采取单独求组合壁热阻,进而求围护结构传热阻. 相似文献
330.
本文采用化学镀的方法对粉煤灰微珠表面进行镀银处理,制备出导电良好的银包粉煤灰微珠,且探讨了粉煤灰微珠粒径、镀银工艺参数对镀银效果和镀银微珠导电性能的影响。实验结果表明:粉煤灰微珠粒径越大,镀银效果越好;经每升含有30mLHF(质量分数36%)和10gNH4F的粗化液处理和每升含有3gAgNO3银氨活化液的处理的微珠镀银效果好;银氨镀液中AgNO含量应为8g/L,镀液的pH值应控制在10~11。 相似文献