Pb（Cd1／2Te1／2）O3）及三元系压电陶瓷Pb（Cd1／2Te1／2）O3—PbZrO3…

研制了一种新的三元系统压电陶瓷材料Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｔｅ１／２）Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，本系统材料压电性强，时间稳定性极佳，其时间稳定性比改性的ＰＣＭ提高一个数量级，作者认为稳定性的提高原因，不是由于材料的“软化”，而在于Ｔｅ＾６－离子在电畴界面的偏聚对畴壁的“钉扎”作用，确定了Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｔｅ１／２）Ｏ３是顺电相其含量以４－６ｍｏｌ％为宜，部分Ｃｄ＾２＋取代Ｚ＾４＋ｒ，使本系统材料“     

化学电源的发展

化学电源在二十世纪九十年代得到了雨后春笋似地发展，例如锌锰电池、镍氢电池、锂离子电池、第一代……第四代锂电池、锌镍电池、锌空气电池、燃料电池等等。市场和科学的发展极大地缩短了化学电源从常规研究成果转变成产品的周期。在21世纪直流电源将比交流电源更有价值。     

纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料的制备及烧结动力学

高分子绝缘材料的广泛运用给工业生产和人们生活带来了极大的方便,其静电效应也带来了严重的危害.纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料属于半导体材料,作为一种颜料添加于涂料中,涂覆于绝缘制品表面,使其具有导电、抗静电和屏蔽电磁波等功能.以尿素为沉淀剂,利用均匀沉淀法制备出纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料,粒径约为10nm左右,电阻率为36.70Ω·cm;研究了沉淀剂、反应温度、Sn4 /Sb3 摩尔比等最佳工艺参数选择;SO42-离子引入对掺锑SnO2(ATO)电性能、粒径大小及形貌的影响;建立了ATO前驱体烧结过程的反应动力学模型,进而估算烧结反应的活化能为67.793kJ/mol.     

液位检测控制系统设计

本文介绍了单片机和大规模集成电路在工业液位显示、控制中的应用，解决了工业中对液位显示的复杂电路和控制上的单一性，给出了硬件电路和软件设计方法。     

有耗介质中的爬行波

该文提出了将爬行波电流本征函数级解与Ｐｒｏｎｙ方法相结合，提取导电圆柱有耗介质包层表面爬行波电流模及其幅主工的新方法。该方法不仅解决了爬行波电流模传播常数的常数值计算，而且还解决了爬波电流模的幅度计算。     

碳纳米管负载Mo-Co-S加氢脱氮催化剂研究

用多壁碳纳米管(简写为CNTs)作载体制备负载型Mo Co S催化剂,x%MoiCoj/CNTs(x%为质量百分数),以乙腈和吡咯的加氢脱氮(HDN)作为探针反应,考察它们在该类催化剂上加氢脱氮的反应化学行为,并与γ Al2O3 和活性炭(AC)分别负载参比样作比较研究.实验发现,在583 K,0.1 MPa,CH3CN/H2 =2.3/97.7(mol/mol),GHSV=2 200 mL(STP)·h-1·(g catal.)-1的反应条件下,在7.2%Mo3Co1/CNTs催化剂上,所观测乙腈 HDN的比反应速率达到 0.51μmol CH3CN·s-1·(mmol Mo)-1,是γ Al2O3 和AC分别负载相同Mo3Co1 载量催化剂的1.46和1.76倍,相应各自最佳Mo3Co1 载量催化剂的1.89和2.55倍.相似的反应化学行为在吡咯 HDN反应中也观测到.对比研究表明,用 CNTs代替γ Al2O3 或AC作为催化剂载体并不导致所负载Mo3Co1 催化剂上乙腈或吡咯HDN反应的表观活化能发生明显变化.H2 TPR研究揭示,与γ Al2O3 或AC负载的体系相比,CNTs负载催化剂具有较高的可还原性:不仅表现在其还原所需温度较低,还表现在较高的还原“比耗氢量”,后者暗示有较多的高价 Mon+ 物种可被还原至具催化活性的较低价态(Mo4+);在另一方面,CNTs载体对H2 优异的吸附活化性能可期在工作态催化剂表面营造较高氢稳态浓度的表面氛围;这两方面的因素都有助于乙腈或吡咯加氢脱氮反     

电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究

研究了Al，B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响。室温电阻率测定表明，加入Al，B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率，随着Al，B和Zr加入量的增加，试样的室温电阻率下降。讨论了Al，B和Zr在碳化硅中的存在形式，并分析了试样的导电机理。     

温度对普通硬磁泡畴壁中VBL链的影响

实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕，为准确测得ＶＢＬ链不稳定的最小临界温度提供了一种实验方法     

运用学习理论指导电视教材编制研究

运用学习理论的思想和原则对电视教材编制中存在的几个主要问题进行剖析。分析其产生的原因，指出学习理论对这些问题的具体指导作用．以期能使电教人员重视对学习理论的学习研究，指导电教实践活动的开展．