光本性否定光速不变原理及现行米定义

1961年、1967年、2005年、2006年国外公布了几个实验报告,直接和间接地示意:光子带有微量负电荷。加之牛顿在1704年和爱因斯坦在1905年都曾经明示过:光束可能是经典性质点流。于是,光子就应该是带着微量负电荷的经典性质点。随之,光的折射、反射、衍射、干渉及偏振等各种光学实验现象,都是光子与其近旁的介质原子核及其核外电子之间的库仑力作用,所产生的光子速度方向发生了改变后才形成的可视影像。光本性中的这种经典性质点特征,逻辑地否定了光速不变原理及现行米定义。     

量子化学研究不同取代基对六苯并蔻电荷传输性能的影响

应用密度泛函理论在B3LYP/6-311+G(d)、M06-2X/6-311+G(d)、CAM-B3LYP/6-311+G(d)理论水平,分别计算12个不同取代基取代的六苯并蔻分子的电荷传输速率.研究结果显示，采用长程较正泛函CAMB3LYP更适合目标体系的电荷传输性能研究.在六苯并蔻环上，引入6个—CH₃与—CN取代基，得到的六苯并蔻衍生物分子与母体六苯并蔻相比，空穴迁移率相对较大，分别为2.51、0.92 cm²·V^-1·s^-1，可设计为性能优良的p型有机半导体分子；引入6个—SH、—CH2SCH₃及—COOCH₃取代基，得到的3个分子与母体六苯并蔻相比，对分子的电荷传输速率改善较小；引入—SCH₃、—OCH₃、—OH、—NHCH₃、—N(CH₃)2等5个取代基，所得到的5个分子电子迁移速率为空穴迁移速率的1.7～18倍，有望设计成性能优良的n型有机半导体材料.     

电荷耦合器件的自适应电路

介绍了电荷耦合器件（ＣＣＤ）自适应电路的基本原理，详细讨论了用可编程只读存贮器（ＥＰＲＯＭ）循环寻址法设计该电路的方法，并说明了这种方法的优越性。最后指出了自适应电路的应用。     

两种FEP驻极体商品膜脱阱正电荷输运特性的比较

该文利用Ｔｅｆｌｏｎ ＥＥＰ Ａ型（美国杜邦公司）膜和国产ＦＥＰ商品膜，借助于ＴＳＤ电流谱测量和热脉冲技术研究了热活化过程中的正电荷平均电荷重心向体内的迁移规律，建立了脱阱电荷在体内的输运模式。文中还对正电晕充电的Ｔｅｆｌｏｎ ＦＥＰ Ａ型和国产Ｆ４，６薄膜驻极体的电荷贮存寿命和电荷在材料内的迁移等驻极体性能作了比较研究。     

扫描仪技术原理

本文简要介绍了扫描仪的工作原理及支持环境和软、硬件接口、扫描仪的性能指标及扫描仪的分类及特点。     

电极表面涂敷对电荷注入的影响

在强电场的作用下，绝缘介质中的载流子除杂质离子外一般是徕自电极注入，文中采用电极表面涂敷改性ＳＰ硅漆，形成“金属电极－涂敷层－涂体介质”复合界面，有效地降低了电极注入强度，由地电极注入与其极板极性有着密切关系，还讨论了涂敷不同极性的电极极板对电荷注入的影响。     

三嗪衍生物的结构对锌腐蚀的影响

通过浸泡实验、极化测量,考察了在26％NH_4Cl中三嗪衍生物对锌腐蚀的影响;计算了三嗪衍生物中的活性原子的局部电荷.结果表明.活性原子的局部电荷越多,对锌腐蚀的阻抑作用越好.     

介观电路中电荷、电流的量子涨落

近年来,宏观量子力学与介观物理问题的研究十分引人注目,并已取得了一系列的研究成果。随着微电子技术的发展,人们竭力提高电子器件的工作速度,因而不断降低元件的尺寸,可是这种努力终将由于集成度的提高,使单位面积功耗增加以及元件尺寸缩小,带来原理性的限制而达极限。因此,必须考虑器件以及电路的量子力学效应。早在50年代,Landau、路易塞尔等物理学家就用量子力学方法研究宏观的电路问题。最近,由于介观物理的兴起,使这一问题的研究又成为热点。本文用量子力学方法,研究了一个有源RLC电路的电荷、电流量子零点涨落,给出了绝对零度时,该电路的量子噪声的大小。 对于一个与电压电源ε(t)串联的RLC电路,它的经典运动方程为     

环境光对CCD检测的影响及其解决办法

讨论了生产线上环境光对ＣＣＤ检测的影响及其解决办法。利用ＣＣＤ输出信号中的测试像元信号控制光源直流供电电压，构成ＣＣＤ自动调光光源，以保证ＣＣＤ光敏面的暴光量略小于饱和暴光量，提高ＣＣＤ检测输出信号的信噪比。     

高功率激光与MNOS型电荷耦合器件相互作用过程的等离子体诊断

电荷耦合器件(Change-coupled devices,CCD)是一种全固体自扫描摄像器件,因其具有体积小、图像畸变小、无残像和寿命长等优点,因而在摄像、探测和信息处理与存储等领域得到广泛应用.在一些特殊的场合,CCD经常要与激光光源配合使用,不可避免地存在着激光与CCD相互作用甚至产生损伤的问题.这里所说的损伤又有组成CCD的半导体材料中处于杂质能带的电子吸收激光能量大量向导带跃迁,引起暗电流增加而使器件饱和或失效的软损伤和激光束直接作用于CCD,致使器件中材料或结构硬损伤等.对前一问题,已有文献进行了相关的研究.本文利用调Q-YAG激光与NMOS结构的CCD多次重复作用产生的等离子体形貌及其Mach-Zehnder干涉图,研究了高功率激光与该种光电器件的相互作用过程.首次得到了脉宽为15ns的1064nm激光对MNOS结构相互作用过程的等离子体干涉图及有关实验结果.