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941.
有机-无机复合材料是由有机物和无机纳米材料复合而成的.目前有3种制备方法:溶胶-凝胶法,插层复合法和超微无机粒子直接分散法.通过采用软化学方法--溶胶-凝胶过程,制备了氧化锌纳米晶/对-二羟基苯基卟啉复合材料,系统地研究了复合体系的荧光和吸收等光学特征.  相似文献   
942.
采用sol-gel法制备了La^3+掺杂BaTiO3纳米陶瓷.用DTA-DTG,XRD,PAT和PIA等对目标产物进行分析测试.研究结果表明,在800℃下煅烧2h得到粒径约为50~70nmBaTiO3纳米粉体,La^3+的掺杂可以降低BaTiO3纳米晶体的烧结温度并使其晶格发生收缩畸变,当0≤x≤0.2,产生弱束缚电子从而导致电阻率降低;当0.2≤x≤0.4产生钡空穴从而导致电阻率升高.  相似文献   
943.
快速制备纳米SiO2的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用溶胶-凝胶技术,利用正硅酸乙酯的水解和缩合反应,用NH4Cl作为阳离子表面活性剂,在短时间内制备了纳米SiO2粉末。研究了pH值、水与正硅酸乙酯的体积比、溶胶凝胶温度和焙烧温度对纳米二氧化硅制备时间及其粒径的影响,并用粒度分析仪对SiO2粉体颗粒进行了表征。结果表明,采用此方法制得的SiO2粉体颗粒平均粒径为67.5nm,较理想的反应条件为水与正硅酸乙酯的体积比为10,反应温度为60℃。  相似文献   
944.
高析氧过电位Ti/SnO2+Sb2O4阳极的制备及性能   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用溶胶-凝胶涂层技术,以无机物SnCl2.2H2O,SbCl3为前驱物制备了Ti/SnO2 Sb2O4电极。电极的晶体结构通过XRD进行了表征,得知涂层中的SnO2是金红石结构,并计算出涂层氧化物属于纳米级,平均粒度为6.5 nm。考察了锑的掺入量和烧结温度对电极性能的影响,结果表明:锑原子质量分数为4%,烧结温度600℃为较佳工艺条件;电流密度10mA/cm2时,电极的析氧电位高达2.1182V(vs.NHE),说明Ti/SnO2 Sb2O4电极是一种优良的阳极电催化剂。  相似文献   
945.
氧化钒薄膜的掺锆实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
以V2O5和Zr(NO3)4.5H2O为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备了掺Zr^4+的VOx(2≤X≤2.5)相变薄膜。通过对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试,结果发现:所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2,所掺入的Zr与VOx完全互溶,但其中Zr的价态未发生改变。掺杂薄膜随Zr含量的增加其电阻突变温度下降.同时其电阻突变量级也随之降低。  相似文献   
946.
采用溶胶-凝胶法在纯钛基底表面制备富钙S iO2薄膜,将所制备的样品进行模拟体液(1.5SBF)浸泡实验,并对浸泡前后薄膜表面的组成、结构与形貌变化进行了研究.结果表明,纯钛基底表面涂覆富钙S iO2的薄膜在1.5SBF中浸泡7 d后其表面可迅速形成由球状碳磷灰石(CHA)颗粒组成的沉积层.  相似文献   
947.
通过有机改性溶胶-凝胶制备(Ormosils)方法,利用正硅酸乙酯(TEOS)、二甲基-二甲氧基硅烷(DiMe-DMOS)和甲基三甲氧基硅烷(TMMS)为前驱体对溴酚蓝(BPhB)、溴甲酚绿(BCG)和溴百里酚蓝(BCB)的包埋,制备对pH有宽程响应的敏感膜,并以此进行了氨浓度的检测.对Ormosils膜包埋BPhB、BCG和BCB后pH响应性能的研究结果表明,传感敏感膜对NH3的响应范围为0~15μg/mL,响应时间(t95)为3 min,检测限为1μg/mL.研究工作还利用BPhB和BCG膜进行水体中氨含量检测的初步研究.  相似文献   
948.
以Sn粒为原料,在柠檬酸体系中,用溶胶凝胶法合成了四方晶系的SnO2粉体.对前驱体进行了TG-DTA分析,用XRD、TEM对产物的组成、粒径大小、形貌进行了表征.结果表明:Sn∶柠檬酸的摩尔比为1∶2,煅烧温度在550℃时可生成粒度小、纯度高的SnO2纳米晶粉体.  相似文献   
949.
运用溶胶-凝胶法合成前驱物Sn(OH)4胶体,在不同温度下加热分解得到一系列纳米SnO2试样,并用X-射线衍射(XRD)图谱和透射电子显微镜(TEM)表征不同温度下热处理得到试样的结构和形貌,研究了分解温度与产物粒径大小之间的关系以及微晶生长动力学.  相似文献   
950.
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