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421.
作者用高频溅射法在不锈钢SUS304BA上镀Ta、Ti、Si、Al、Zr的五种氧化物薄膜,并研究了它们的结构、组成及耐蚀性.发现pHpzc低的氧化物薄膜有好的耐蚀性.  相似文献   
422.
采用射频磁控溅射方法在玻璃基板上制备了氧化锌(ZnO)薄膜样品,利用X射线衍射(XRD)表征和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征,研究了沉积温度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响.结果表明:所有ZnO样品都是c轴高度择优取向的多晶薄膜;沉积温度对ZnO样品晶体质量和光学性能都具有明显的影响;随着沉积温度的升高,ZnO薄膜(002)衍射峰的半高宽单调减小,而(002)晶面取向度、平均晶粒尺寸和可见光波段平均透过率则单调增大.当沉积温度为500°C时,ZnO薄膜样品具有最高的(002)晶面取向度(0.987)、最大的平均晶粒尺寸(22.1 nm)和最好的可见光波段平均透过率(82.3%).  相似文献   
423.
磁控靶溅射刻蚀的模拟研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
建立了磁控溅射单粒子模型,结合靶表面磁场的分布,用MonteCarlo方法研究了溅射气体粒子的运动规律,得到靶表面刻蚀的图形,发现靶中间圆环的刻蚀最强,这与实验结果和磁场的水平分量分布一致.  相似文献   
424.
采用非平衡磁溅射方法,在不同衬底偏压条件下,在Si(001)衬底上制备出氮化碳薄膜,实验发现,氮化碳薄膜的沉积率取决于衬底偏压。通过对红外、电子能量损失谱的测试分析发现,衬底偏压对氮化碳薄膜中原子间的键合情况也有一定影响。  相似文献   
425.
采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜,分析了ZnO薄膜的晶体结构和表面形貌.结果表明:所制备的 ZnO薄膜是具有(002)晶面择优生长的多晶薄膜.溅射气压为0.3Pa时,薄膜的晶粒尺寸较大,结晶度提高.  相似文献   
426.
用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2 :Pt薄膜和表面层掺杂SnO2 /SnO2 :Pt双层膜 .实验结果表明 ,由室温至 2 0 0℃ ,这两种薄膜对CO气体均显示了较高的灵敏度和选择性 .单层膜厚度和双层膜导电层及气敏层厚度对灵敏度有明显的影响 .通过对掺杂单层膜和双层膜气敏特性的比较 ,对粉末溅射SnO2薄膜的气敏响应机理进行了探讨 .  相似文献   
427.
Cu/diamond复合材料由于具有较高的热导率和可调控的热膨胀系数,已成为电子封装热管理材料的研究热点。但是,通常情况下Cu与diamond之间的润湿性较差,且二者之间不发生化学反应,因此无法形成较强的界面结合,使得金刚石的导热潜能不能充分发挥。界面热导(h)对于Cu/diamond复合材料获得高导热性能起着决定性作用。通过金刚石表面金属化或金属基体合金化的方法加入碳化物形成元素,可以改善Cu与diamond的界面结合,同时有效调节Cu与diamond的声学性能失配,提高Cu/diamond复合材料的导热性能。本文采用磁控溅射法制备具有不同纳米厚度(5~150 nm)Cr中间层的Cu/Cr/diamond样品,利用时域热反射技术实验测量Cu与diamond的h值,分析Cr中间层厚度对Cu与diamond的h值的影响。研究结果表明,在Cu和diamond之间加入Cr中间层,能够解决Cu与diamond不润湿的问题,改善界面两侧材料的声学性能失配,从而有效提高Cu与diamond的h值。当添加5~150 nm厚度的Cr中间层时,Cu与diamond的h值比未添加Cr中间层时提高11%~374 %;当Cr中间层厚度为5 nm时,Cu与diamond的h最大值为270 MW?m?2?K?1。当Cr中间层厚度逐渐减小时,Cr层内的热载流子由电子主导向声子主导转变,利用Cr中间层的声子热传导途径,可以有效提升金属Cu与非金属金刚石之间的热传导效率。将Cr中间层厚度减小到21 nm以内,可以显著提高Cu与diamond之间的h值。本研究提供了一种调控金属/非金属异质界面热导的方法,并为Cu/diamond复合材料的界面设计提供理论参考。  相似文献   
428.
介绍了基于流量计法原理搭建的抽速测量装置.在1×10-4~1×10-2Pa下使用磁悬浮转子真空计测量压力,当压力低于1×10-4Pa时使用电离真空计测量压力.提出了一种测量电离真空计抽速与放气率的方法,测量了电离真空计在1×10-6~1×10-4Pa压力下的抽速与放气率.在搭建好的设备上,测量了微型溅射离子泵对氮气和氦气的抽速.使用COMSOL软件分析了不同压力下泵的放电状态并与实验结果进行对比,所得结果一致性好.流量计法的相对标准不确定度低于4.4%  相似文献   
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