壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响

用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难.     

混合气体介质阻挡放电中的电子激发温度

采用光谱法,研究大气压下氩气/空气介质阻挡放电中电子激发温度随空气含量的变化.放电装置为水电极介质阻挡放电装置,通过氩原子763.51nm(2P6→1S5)和772.42nm(2P2→1S3)两条谱线相对强度之比计算电子激发温度.实验结果表明:当空气的体积分数为10%～60%时,电子激发温度随空气含量的增加而减小.     

基于多背景模型的海面运动目标检测

提出一种在反射光较强的条件下基于多背景模型的海面运动目标检测方法.使用基于统计模型的变化检测方法将被监控场景区分为海浪波动显著的背景区域和海浪波动不显著的背景区域;对这两种区域中的像素点分别以Weibull分布模型和Gauss分布模型建立背景模型;使用建立的背景模型检测海面的运动目标.实验结果表明,在海面反射光较强且波浪波动较大的情况下,用该方法可以比较准确地检测到海面的运动目标.     

弹壳静电分布对引信微带天线性能的影响

用均匀带电圆筒模拟带电弹壳分析了弹壳静电分布对微带天线谐振频率、方向图和增益的影响.首先,采用拉普拉斯方程法推导了均匀带电圆筒空间远场计算公式.然后,运用唯一性定理和场的迭加原理得到了合成场远场计算公式.最后,根据理论分析所得到的结果利用Matlab计算了微带天线辐射方向图,并分析了微带天线辐射方向图随着圆筒不同带电量的变化情况.     

基于LabVIEW 7．0 Express的测定化学电池E—t关系的虚拟仪器

研制了基于LabVIEW 7．0 Express的实时测定电池电动势(E)与温度(t)关系的化学虚拟仪器系统．运用集成运放器设计制作了电池电动势和温度的调理电路，通过PCI2002卡双通道同时采集，实现了E随t变化关系的跟踪测定，计算机实时绘出E—t曲线．用LabVIEW Function模板中的相关函数编程，剔除野值，获得最佳拟合E—t函数表达式．应用结果表明：该系统操作简单、界面友好，实时数据显示和自动处理数据，避免了人工操作和数据处理的人为误差，结果令人满意．     

风机盘管加新风系统对室内相对湿度控制能力的分析

对风机盘管的运行调节方式和选型方法进行了分析，动态模拟了风机盘管加新风系统在实际运行中的室内相对湿度变化，揭示了夏季室内相对湿度超标的原因，并对风机盘管加新风系统的设计选型提出了改进的方法。     

数理统计在排污申报登记工作中的应用

通过对南洋河4个重点污染源连续监测的数据,运用数理统计的方法对其进行分析,剔除可疑数据,最后得出不同期间排污规律无显著性变化的结论,介绍了数理统计在排污申报登记工作中的具体应用。     

Mg-Ni合金在球磨过程中温度变化的理论及实验研究

通过计算磨球运动的最大速度估算了Mg-Ni粉末在球磨过程中可能达到的最高温度,并采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪研究了样品经400 r/min球磨不同时间后的相结构、形貌及微区成分的变化规律.结果表明:当球磨速度为400r/min时,可使落入两个直径为20mm的碰撞磨球之间、质量为0.033 3 g的粉末温度从298 K升到932 K.利用实验得出的片状金属的质量(0.015～0.025 g)推算出样品在400r/min球磨时的温度变化范围为845.6～1 409.4 K,使镁粉熔化的最小球磨速度为269 r/min,经400r/min球磨15 h后,Mg-Ni样品由成分不均的晶体相组成,球磨35 h后则转变为成分均匀的非晶体.图4,表2,参5.     

基于模糊熵和均值量化的盲文水印方案

提出了一种新的DCT域盲文水印算法，该算法应用模糊熵测度选择边缘特征显著的子块作为嵌入子块，然后应用均值量化来增强嵌入水印的鲁棒性．实验结果表明，嵌入水印后的图像具有很好的不可见性，同时对常见的信号处理和噪声干扰具有良好的鲁棒性．     

LiNbO3:Fe晶体中不同强度分布的片光导致的折射率变化

从Kukhtarev方程组和基于载流子光伏迁移机制的简化模型出发, 对不同强度分布的片光在LiNbO₃:Fe晶体中导致的折射率变化分布进行了理论分析. 数值模拟的结果与简化模型得出的解析表达式相吻合. 采用切片干涉法对矩形、Gauss和平方律分布的片光辐照LiNbO₃:Fe晶体导致的折射率变化进行了实验测量. 利用理论分析得到的解析表达式很好地拟合了测量数据点. 根据衍射的角谱理论和射线方程分别对写入光强度分布沿传播方向上的一致性以及晶体自散焦效应的影响进行了数值模拟, 结果表明实验测量的结果是可靠的. 因而在LiNbO₃:Fe晶体中可以通过改变写入光的强度分布得到不同的折射率变化分布, 利用数值模拟或由简化模型得出的解析表达式可以对给定强度分布的片光导致的折射率变化分布进行预测.