铂掺杂对氧化锡超微粒子薄膜表面结构及气敏特性的影响

用直流气体放电活化反应蒸发法制备了氧化锡超微粒子薄膜（Ｉ），再用直流平面磁控溅射法掺杂Ｐｔ。Ｐｔ的掺入使Ｉ的晶粒增多，电导下降，还使薄膜的气敏特性到显著改善，讨论了Ｐｔ掺杂对薄膜灵敏度影响的机理。     

梯形二聚体二正丁基锡羧酸酯的合成和晶体结构

将(n-Bu2Sn)2O(二正丁基氧化锡)与有机酸HL(HL=2-(2-甲氧基-4-甲酰基苯氧基)乙酸)在苯中进行脱水,用乙醇重结晶,获得新型二正丁基锡羧酸酯[(n-Bu2Sn)4(L)2O2(OC2H5)2](1).采用元素分析、1HNMR、FT-IR和晶体结构测定等手段对其进行了结构表征.结果表明:3个双锡双氧环构成以平面Sn2O2为中心的对称梯形二聚体结构;2个环内Sn原子为五配位,构成以Sn原子为中心的扭曲三角双锥构型;2个环外Sn原子均为六配位,构成以Sn原子为中心的扭曲单加帽三角双锥构型.     

纳米掺锑氧化锡粉末的制备和性能研究

采用阴离子交换除氯水解法和不同干燥法制备了掺锑氧化锡纳米粉末,用XRD,TEM和BET对粉末的物相、形貌、比表面积进行了表征.结果表明,用乙酸异戊酯共沸蒸馏干燥是比较有效的脱水方法,可以用来制备比表面积大(82.665 m2/g)的纳米掺锑氧化锡粉末.     

叶绿素铜钠盐敏化SnO2超微粒薄膜的光电转换性能

采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法,制备ＳｎＯ２超微粒薄膜（ＵＰＦ）作光电极。ＳＥＭ分析结果表明,平均粒径为６０ｎｍ。采用叶绿素铜钠盐作光敏剂、ＳｎＯ２ＵＰＦ作光电极、Ｉ／Ｉ３氧化还原作电解液,导电玻璃或镀有金属铝膜的载玻片作集电极,我电化学基片。研究Ｉ／Ｉ３电解液,染料、两极距离及不同集电极对光电性能的影响,获得单位面积的开路电压（ＶＯＣ）为２６８ｍＶ,短路电流（ＩＳＣ）为２０μＡ。     

钢化过程中低辐射玻璃SnO_x:F薄膜氧含量的变化及其影响

采用有机金属化合物化学气相沉积法(MOCVD)在浮法玻璃上沉积了F掺杂的氧化锡薄膜,制备低辐射镀膜玻璃,并在高温电阻炉和钢化炉内分别进行热处理和钢化实验,对不同条件下的电学性能进行了研究。采用XPS和AES对薄膜中[O]/[Sn]平均含量的变化进行了分析。结果表明,在650℃之内,表面电阻没有发生明显改变,但此后快速上升至86.68Ω/□;薄膜O和Sn的含量不符合化学计量比,[O]/[Sn]比均小于1.20;随着热处理温度的提高和时间的延长,薄膜中O含量有所提高,与表面电阻的变化趋势接近。     

氧化锡UPF的表面性质分析

对采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备的氧化锡超微粒子薄膜（ＵＰＦ）进行了ＳＥＭＸＲＤ及ＡＥＳ的表面分析、并讨论了不同基体薄膜表面性质的影响。     

纳米SnO2气敏性质研究

利用液相化学法制备Pd掺杂的纳米SnO2气敏材料，研究了材料对三种还原性气体的灵敏度和选择性，并对敏感机制进行了讨论。     

用喷涂法和溶胶—凝胶工艺制备PT／SnO2（Sb）／SiO2薄膜

用喷涂法在石英玻璃衬底上制备Ｒｓ为１００－２００Ω／ｃｍ＾２的ＳｎＯ２（Ｓｂ）透明导电薄膜，并且以ＳｎＯ２（Ｓｂ）／ＳｉＯ２为衬底和底电极，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰｂＴｉＯ３（ＴＰ）。薄膜。ＴＰ膜为多晶，与ＳｎＯ２（Ｓｂ）膜之间不存在界面反应。     

激光束对SnO2超微粒薄膜的改性作用

通过脉冲激光辐照SnO2超微粒子薄膜，研究激光束对此薄膜的改性作用。扫描电镜及X射线衍射分析表明，在激光照射区，薄膜表面氧化锡微粒重组、聚集、择优生长、晶形改善，同时薄膜仍保持超微粒子的结构。对气敏特性的研究得出，激光辐照可明显改善SnO2超微粒子薄膜对汽油的灵敏性。