表面修饰的纳米氧化锌的分散稳定性研究

通过采用不同的修饰剂,对合成的纳米氧化锌进行表面修饰,进而研究了修饰后的纳米氧化锌的分散稳定性.经研究发现,修饰后的纳米氧化锌Zeta电位增大,产品的稳定性增加.     

钴掺杂氧化锌的粉体制备和光催化性能研究

采用水热法制备Co掺杂ZnO粉体,研究反应的温度、pH值、时间、Co离子浓度等对复合粒子的影响。结果表明:反应的最佳温度为140℃,最佳pH值为6.25,最佳时间为6 h,最佳浓度比为1:20。通过X射线衍射仪、光催化实验对其进行表征,实验表明Co掺杂的ZnO粉体其光催化性能相对于纯氧化锌有明显提高,随着掺杂浓度的增加而升高,到达1:16.7时达到峰值。     

保温时间对氧化锌压敏瓷组织和电性能的影响

采用不同的保温时间制备ZnO压敏电阻,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了保温时间对氧化锌压敏电阻电性能和显微组织影响机理.保温时间的变化对压敏瓷的相成分基本没有影响.适当的延长保温时间,压敏瓷的晶粒发育越好,晶粒尺寸越大越均匀;过长的保温时间会导致压敏瓷的晶粒粗大.保温时间的延长,压敏瓷的漏电流变化不大,致密度和电位梯度逐渐减小.研究结果表明:当保温时间为2 h时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位梯度为332 V/mm,非线性系数为30,漏电流为0.1 μA.     

瓷套式500kV氧化锌避雷器的电位分布计算及均压环设计

采用有限元－解析结合解法,对330kV和一种新型500kV氧化锌避雷器（MOA）电阻片的电压承担率进行了计算,解决了含复杂介质和导体结构的轴对称无界电场的数值计算问题,其程序设计与通用的有限元法完全相似,在330kVMOA的计算结果与实测结果取得了良好一致性的基础上,分析了影响新型结构500kVMOA电阻片的电压承担率的多种因素,并给出了电阻片的电压承担率分布较为合理的一种结构设计方案。     

镀膜光纤声光传感器的网络模型

主要研究氧化锌镀膜光纤声光传感器.首先介绍了氧化锌镀膜光纤的几何结构,分析了此几何结构压电声光振荡的基本原理,然后建立了氧化锌镀膜光纤声光传感器T型网络的等效电路模型,并由此推出了Z参数及A参数网络模型,从而为进一步研究奠定了基础.     

热氧化法在镀铜锌箔上制备ZnO纳米片

温度500℃时,在CuSO₄浸蚀过的锌箔上用直接氧化法制取纳米氧化锌。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和透射电子显微镜分别对其形貌、物相、微观结构进行表征和分析。研究结果表明:在500℃氧化硫酸铜浸蚀锌箔可以得到较好的纳米片状结构。经过分析发现氧化锌纳米片厚度为50～100 mm,它由晶粒尺寸10nm的六方晶体组成。用直接氧化法在CuSO₄浸蚀过的锌箔可实现低温条件下制备出纳米片材料,将来可能会成为一种制备纳米氧化锌材料的重要方法。     

科技前沿

正信息科学Information Science编辑圈点:意念控制电脑,听起来仿佛天方夜谭的妄想变成了现实!人们在通过语音、触摸、手势和眼球移动来控制使用移动设备之外,可以随心所欲了。三星研制意念控制电脑日前,三星新兴科技实验室最新研制了一款脑力控制的平板电脑,用户可以通过意念打开应用程序,发送信息,从播放列表中选择歌曲。三星公司研究人员与美国德克萨斯州大学电子工程学副教授罗兹贝赫·贾法里建立合作,开发一     

应变对氧化锌压电性能的调制机理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了ZnO材料的压电性能与其所处应变状态的关系,探索并揭示了应变对ZnO材料压电性能的调制规律和影响机制.结果表明,随着体系所处的应变状态依次从较大的压应变、较小的压应变、较小的拉应变到较大的拉应变变化时,ZnO材料沿[0001]方向的压电系数e33单调递减,而并非定值.体系受较大拉应变时的压电系数仅约为受较大压应变时的1/8.我们发现体系沿[0001]方向的波恩有效电荷的变化与应变产生的与极化方向不共线的化学键的旋转的共同作用,可能是导致体系压电性能随应变状态发生变化的主要原因.这种由应变引起的机电耦合性能调制效应可为涉及ZnO及同类材料压电性能的器件设计和应用提供新的思路和理论支撑.     

ZnO对LMAS系微晶玻璃微波介电性能的影响

采用微扰法,研究了不同质量分数的ZnO以及不同的热处理制度对SiO2-Al2O3-MgO-La2O3微晶玻璃系统微波介电性能的影响。结果表明,ZnO能有效地改善SiO2-Al2O3-MgO-La2O3系微晶玻璃的微波介电性能。当ZnO质量分数为8%,在850℃下保温处理72 h,得到的样品最佳参数为:εr=14.053,Q=1 338.821,τf=85×10-6/℃。