低能正电子与氦原子的弹性散射

对电子与氦原子相互作用的模型势进行了修正.用修正前后的模型势计算低能电子被氦原子散射使得S分波相移与实验结果一致,把同样的模型势(忽略交换势)应用到低能正电子被氦原子散射,得到了低能正电子的分波相移、弹性散射截面、动量转移截面.结果表明,用修正后的模型势所得到的结果与实验值符合得很好.从而说明对模型势的修正是合理的.     

6H-SiC表面热氧化SiO2的正电子谱研究

本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术,应用于对SiC表面热氧化生长的SiO2特性的研究．S参数和W参数在退火前后的变化,直观的反映出SiO2/SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变．通过与SiO2/Si样品的对比,证实C元素及其诱生空位型缺陷的存在,很可能是影响SiO2/SiC氧化层质量和SiC MOS击穿特性的重要因素,后退火工艺可以提高SiO2/SiC中氧化层的致密性．实验表明,慢正电子湮灭多普勒展宽谱是研究热氧化SiO2特性的有效手段     

~(11)碳-蛋氨酸与~(18)氟-脱氧葡萄糖在脑良性病变及低级别胶质瘤诊断中的比较

目的:鉴于11碳-蛋氨酸(11C-Methionine,MET)在良性病变和在低级别胶质瘤鉴别诊断价值的研究尚少,本研究目的是筛选出术前用11C-MET和18氟-脱氧葡萄糖(18F-FDG)两种显像剂进行脑正电子断层显像(PET/CT)成像对良性和低级别胶质瘤(共22例)进行回顾性研究,评价两种显像剂分别对上述两种病变的显示能力,病变边界勾画情况以及鉴别诊断价值,为11C-蛋氨酸在脑内良恶性病变的诊断提供依据.方法:本研究包括脑内占位病变22例(其中良性病变5例,新发低级别胶质瘤WHO I级和II级共17例).每例外科手术或活检前均行18F-FDG和11C-MET PET扫描(两次扫描间隔时间在1周以内),根据病灶及正常对照区(大脑对侧相应正常区域)勾画出的感兴趣区(region of interest,ROI)进行标准摄取值(Standard uptake value,SUV)平均值测量,计算良性及低级别胶质瘤的肿瘤/非瘤比(tumor/normal brain uptake ratio,T/NT比值)的平均值及标准差.对比两种显像剂在上述两组病变中T/N比值的差别并进行统计学分析.结果:(1)11C-MET在良性病变和低级别胶质瘤中的T/NT比值分别是1.59±0.28和1.52±0.48,组间差别无统计学意义(P0.05);18F-FDG在良性病变和低级别胶质瘤中的T/NT比值分别是0.91±0.48和0.77±0.65,组间差别无统计学意义(P0.05).(2)在本组所有22例病变中,11C-MET显示病变呈高代谢者19例,18F-FDG显示病变呈低代谢者17例.(3)11C-MET所示病灶边界清晰者17例,18F-FDG对病灶边界显示清晰者仅2例.(4)17例病灶显示清晰的患者11C-MET显示病变范围均大于18F-FDG.结论:虽然11CMET和18F-FDG两种显像剂均无法将良性病变与低级别胶质瘤区分开,但11C-MET对病灶侵犯范围及边界的显示均明显优于18F-FDG FDG,11C-MET还可检测和随访低级别胶质瘤(即惰性肿瘤)的生长情况,可为临床提供更多诊断、预后及治疗信息,因此,11C-MET可常规应用于脑内占位病变的显示,且其效果优于18F-FDG.     

正负电子湮没中的粒子关联

本文研究了e_e→-强子反应中的粒子关联，首先研究多重数关联，然后研究由全同玻色子的Bose-Einstein对称性引起的关联，最后，作者提出一种新的源分布－QK（Q）分布，据此研究e e-湮没的B－E关联，并与实验数据比较，得出正负电子湮没中粒子关联的相关结论。     

铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小，测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致Ｃｕ－Ｏ面空穴浓度增加，转室温度Ｔｃ减小。     

正负电子组成的分子问世了

据2007年9月15日Science News报道:美国两位物理学家首次制成由电子和正电子组成的分子。在此基础上进一步提高技术有可能将反物质凝聚为液态或固态,甚至可用于产生γ-射线激光。科学家们将反质子和正电子组成反氢原子,十多年前就做到了。反氢原子独处时和氢原子一样是稳定的,但却很     

正电子素探测多孔材料内表面特性

本文讨论了以正电子素为探针探测不同相结构的氧化铝和HY分子筛等多孔材料内表面的一些物理和化学性质.发现在α、θ混合桐的氧化铝中存在着孔径为不到1纳米的小孔和几个纳米的大孔,随着温度升高,小孔向着大孔方向扩胀.也发现在非活性的氧化铝中表面正电子素强度与孔的比表面积存在着线性关系,在活性氧化铝中却有明显的偏离.还发现正电子素在HY分子筛内表面和笼内与质子酸发生了氧化还原反应,并求出了反应速率常数。     

关于一类单模算符e~(iφ)和e~(-iφ)的本征态和本征值

研究一类单模算符eiφ=1a/f(N)和e-iφ=a-1/f(N).通过应用Bose算符的性质和算符的技巧,发现了该算符在Fock表象的本征态.这在光子和原子的相互作用方面有重要贡献.     

正电子湮没辐射一维角关联实验的图示拟合软件

本文介绍了适用于非金属的正电子湮没辐射一维角关联实验谱的图示拟合方法及其在微机IBM-PC/XT上实现的软件。软件采用了多高斯组分的数学模型,避免了非线性拟合时必须输入拟合参数初值的困难。拟合过程直观、简单、易于掌握。