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211.
程控状态变量RC有源滤波器的优化综合技术   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了基于Butterworth传递函数的二阶状态变量RC有源滤波器的优化综合技术,进而给出了一种由单片机参与的能自动跟踪输入信号频率、选择合适滤波器截止频率的程控滤波系统实例.其特点是实现电路简洁,网络参数易确定,调试方便,截止频率解析式明确,且有较好的精度,其电路和设计方法在数据采集和工程测试等领域有较好的应用参考价值.  相似文献   
212.
GPS/推位组合导航系统测试模拟器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈勤  宋红江  高伟  曹洁 《应用科技》2004,31(4):44-47
提出了一种GPS/推位组合导航系统测试模拟器的设计方案。针对GPS/推位组合模式的工作特点,利用面向对象技术进行模块分解,设计出可以为相关组合导航系统的验证提供数据源,测试滤波算法,应用性较强、具有可扩展性的测试模拟器。  相似文献   
213.
拉伸法快速绘制轴测图的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据轴测投影的基本定理和正投影图,在AutoCAD中不用坐标变换,也不用UCS系统及三维造型技术,仅用拉伸、复制、平移、修剪等常用的绘图技术,即可快速绘制出各种理想的轴测图,免除了不停变换坐标系统和逐个输入各点坐标的烦恼.此方法独特,方便快捷,易学易用,充分发挥了AutoCAD的常用绘图和编辑工具的优越性。  相似文献   
214.
2.5 G ATM IP宽带测试接口的研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
实现了国内首例全面实现2.5G ATM/POS、GE、FE的宽带网络测试接口的研制.测试接口采用一种产生分析模块,支持多种接口模块,之间使用标准接口连接,主要发送和分析逻辑采用FPCA(Field Programmable Gate Array)实现,对外通讯接口是以太网口.采用实时操作系统,进行系统的初始化配置等以及与终端的通讯.系统集成度高,控制灵活,易于软件和逻辑升级.  相似文献   
215.
研究自适应设计下的拟似然方程 ∑ni=1xi(yi- μ(x′iβ) ) =0 ,在一定的条件下证明了以概率 1此方程当n充分大时有解^βn,^βn 为β0 的强相合估计 ,且得出了 ^βn- β0的收敛速度 ;然后又在一定的条件下证明了 ^βn 的渐近正态性的一些结果  相似文献   
216.
为利用平面连杆机构的急回特性节省动力和提高劳动生产率,讨论了平面连杆机构的急回特性.运用Pro/ENGINEER对一个具体的双曲柄机构建模并进行运动仿真,找到其极位夹角,从而给出了一种验证双曲柄机构具有急回特性的方法.  相似文献   
217.
利用原核表达系统获得包涵体表达形式的重组蛋白h PD-L220~123(Ig V结构域)和h PD-L220~208(Ig V结构域和Ig C结构域);将重组蛋白利用Ni-NTA柱亲和层析纯化与复性后,作为免疫原免疫Balb/c雌性小鼠制备鼠抗人的多抗血清,经ELISA法检测其效价均达到1∶106;Western-blot实验结果表明,制备的多抗血清均能特异性识别h PD-L2蛋白.以制备的多抗血清进行IHC实验评估与鉴定,结果显示:以h PD-L220~123重组蛋白为免疫原制备的多抗血清阳性较弱且定位模糊,以h PD-L220~208重组蛋白为免疫原制备的多抗血清具有很强的膜定位且背景清晰.  相似文献   
218.
以正硅酸四乙酯(TEOS)为改性剂,在常温下对竹炭表面处理,并对处理前后的材料进扫描电子显微镜(SEM)、N_2吸脱附、傅立叶转换红外线光谱(FTIR)等结构表征。将改性材料制成电极,以1 mol/L Na_2SO_4为电解液进行循环伏安(CV)、交流阻抗和恒流充放电等测试;其结果显示,在20 mV/s的扫描速率下,经0.50%的TEOS改性的竹炭中制成的电极材料的电化学性能较好。与改性前相比,当电流密度为1 A/g时,比容量达到76.5 F/g,比电容提高了80%。TEOS改性成本较低,简便易行,效果显著。  相似文献   
219.
利用含时密度泛函理论(time-dependent density functional theory(TDDFT)),研究了锑烯纳米结构表面等离激元的激发特性,并给出了微扰场沿着扶手椅边界和Z字边界激发时锑烯纳米结构的吸收光谱.结果表明沿不同的方向激发,吸收光谱不同.距锑烯纳米结构表面0.9处的能量共振点的电荷密度分布表明,在低能共振区,等离激元共振属于键合二聚体的等离激元模式(BDP).  相似文献   
220.
本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射(XRD)以及慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同退火温度下氦在钨体中的行为以及相关缺陷的演化.实验结果表明:低温退火并未改变相关缺陷的类型,样品S参数的下降表明低温退火导致了缺陷浓度的降低;当退火温度达到700℃时,样品S-W参数线性分布的变化表明缺陷类型逐渐发生改变;随着退火温度的进一步升高,He相关缺陷的演化程度加剧并向更深处迁移.  相似文献   
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