用于集成超声传感阵列的PVDF—MOSFET新结构

本文报道一种用聚酰亚胺膜垫高扩展栅的聚偏氟乙烯压电膜－ＭＯＳ晶体管传感器单元结构。和一般ＰＯＳＦＥＴ结构相比。这种新结构大大减少了扩展栅电容，明显地提高了器件灵敏度。详述了这种结构的制造过程，特别是ＰＩ膜制备条件对ＣＥＧ和器件性能的影响。     

静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化的分析出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结。另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同：对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。     

硅单电子晶体管制备及特性

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流，电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单子隧穿效应，该器件的工作温度可达到77K。     

Pulsed metal organic chemical vapor deposition of InAlN-based heterostructures and its application in electronic devices

As a promising group III-nitride semiconductor material, InAlN ternary alloy has been attracted increasing interest and widespread research efforts for optoelectronic and electronic applications in the last 5 years. Following a literature survey of current status and progress of InAlN- related studies, this paper provides a brief review of some recent developments in InAlN-related III-nitride research in Xidian University, which focuses on innovation of the material growth approach and device structure for electronic applications. A novel pulsed metal organic chemical vapor deposition （PMOCVD） was first adopted to epitaxy of InAlN-related heterostructures, and excellent crystalline and electrical properties were obtained. Furthermore, the first domestic InAlN-based high-electron mobility transistor （HEMT） was fabricated. Relying on the PMOCVD in combination with special GaN channel growth approach, high-quality InAlN/GaN double-channel HEMTs were successfully achieved for the first time. Additionally, other potentiality regarding to AlGaN channel was demonstrated through the successful realization of nearly lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructures suitable for high-voltage switching applications. Finally, some advanced device structures and technologies including excellent work from several research groups around the world are summarized based on recent publications, showing the promising prospect of InAlN alloy to push group III-nitride electronic device performance even further.     

基于IGBT的低频水声功放技术

主动声纳通过水声发射换能器将水声功率放大器产生的电信号转换成声信号辐射到水中。提高水声功率放大器的输出电功率、降低声纳的工作频率是提高声纳作用距离的重要途径。介绍了功率放大器的工作原理和基本构成,对水声功率放大器工作方式和IGBT器件等关键技术进行了分析,结合工程实际需求设计出低频、大功率水声功率放大器,完成了采用乙类和D类工作方式共两套功率放大器电路系统的硬件设计和安装调试。实验室测试和水池试验表明,低频功率放大器工作性能良好,方案可行,达到了设计要求。     

2,6-薁和双噻吩酰亚胺共聚物的设计合成及载流子传输性能

本文通过聚合单体的理性设计和直接芳基化聚合策略,实现了薁基聚合物主链中薁单元偶极取向排列方式的精准调控,合成了3个基于2,6-薁和双噻吩酰亚胺的共轭聚合物P(AzBTPD-1)、P(AzBTPD-2)和P(AzBTPD-3),其主链中薁单元偶极排列方式分别为无规、偶极相反和偶极高度一致.通过紫外-可见吸收光谱和循环伏安法对聚合物的光谱和电化学性质进行研究.基于3个聚合物的有机场效应晶体管(OFET)器件均表现出n-型半导体特性,其中薁单元偶极取向排列高度一致的聚合物P(AzBTPD-3)表现出最优的器件性能,电子迁移率可达0.027 cm²V^-1s^-1.本工作精准调控了2,6-薁共轭聚合物主链中薁单元偶极取向的排列方式,为薁基聚合物的合成化学和结构-性能关系研究提供了新思路.     

高性能双极型晶体管器件研制成功

毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段（26．5～40GHz）之后，3毫米波段（75～111GHz）成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米渡单片集成电路（MMIC）由于具有体积小、重量轻、高性能及低成本等优势而被广泛应用于军事和民用领域。     

基于栅极功能化捕获甲胎蛋白的溶液栅控石墨烯晶体管生物传感器

甲胎蛋白(AFP)被认定为肝癌的生物标志物，因此开发出一种操作简单、灵敏度高的AFP检测手段对肝癌的检测具有重要的临床意义。本研究设计了无标记电位型溶液栅石墨烯晶体管(SGGT)生物传感器，在栅电极上电沉积纳米金用来捕获抗体AFP,使用牛血清白蛋白(BSA)来封闭活性位点，最终抗原AFP被抗体特异性识别结合在电极上。在该研究中，抗体AFP、BSA和AFP的等电点均小于中性的PBS测试液，因此带负电荷，导致界面电势发生变化，最终引起转移曲线中性点的偏移。实验表明该生物传感器对甲胎蛋白的检测具有较好的线性关系：ΔI_DS=45.42lgc+4.98,在5～200 ng/mL的检测范围内，检测限低至1.00 ng/mL。该方法为甲胎蛋白的检测分析提供了一个可行的方法，并期望构建便携式传感器，实现高通量的分析检测。     

高性能电控太赫兹幅度调制器研究

设计了一种由具有高谐振强度的四开口圆环超材料结构和高电子迁移率晶体管(high electron mobility tran-sistor,HEMT)复合结构构成的电控太赫兹幅度调制器.将HEMT巧妙地设计在四开口圆环超材料结构的开口处,通过外加电压的方式调节HEMT沟道中的二维电子气浓度,改变超材料结构的谐振模式,进...     

纳米氧化铈掺杂菊芋桔杆芯碳材料的制备及对日落黄的检测

文章采用热解经硝酸铈浸渍的菊芋秸秆芯(Jerusalem artichoke straw, JAS)制备负载氧化铈纳米颗粒的生物碳材料，表征CeO₂/JAS材料的理化性质，并分析其在电化学应用方面的潜力。该材料被修饰在电解质溶液栅控石墨烯场效应晶体管(solution-gated graphene field-effect transistor, SGGT)的栅极上，在模拟的软饮料体系中完成对色素的检测，其中对日落黄的响应最好，该修饰的栅极对日落黄的检测限为300 nmol/L,灵敏度曲线斜率为29.2。一系列实验结果表明，CeO₂/JAS材料可以很好地提升对日落黄的检测性能。因此，该研究为其在电化学领域的应用提供了一定参考，并且对农业废弃物资源再利用与食品安全检测均具有一定的意义。