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22.
23.
本文介绍了利用晶体管组成的滞留稳压电源。由于串联型直流稳压电源可以输出大的电流和高的电压,又采用负反馈电路,能够克服由于负载变动而产生输出电压的变化,从而能够经常保持一定值的输出电压。 相似文献
24.
Variable supply voltage-clustered voltage scaling (VS-CVS) scheme can be very effective in reducing power consumption of CMOS circuits without degrading system performance. Level converting flip-flops (LCFFs) are key elements in the CVS scheme. In this paper, a new explicit-pulsed double-edge triggered level converting flip-flop (nEP-DET-LCFF) is proposed, which employs double-edge triggering technique, dynamic structure, explicit pulse generator,conditional discharge technique and proper arrangement of stacked nMOS transistors to efficiently perform latching and level converting functions simultaneously. The proposed nEP-DET-LCFF combines merits of both conventional explicit-LCFFs and implicit-LCFFs. Simulation shows the proposed nEP-DET-LCFF has improvement of 19.2%~46% in delay, and 19.4%~52.9% in power-delay product (PDP) as compared with the published LCFFs. 相似文献
25.
26.
《科技导报(北京)》2011,(14)
建立检测单碱基多态性方法中国科学院长春应用化学研究所电分析化学国家重点实验室董绍俊研究员课题组利用化学法,通过血红素与石墨烯之间π-π相互作用合成了血红素功能化的石墨烯纳米杂 相似文献
27.
从使用角度出发,在分析BJT的开关过程的基础上,重点讨论BJT的驱动保护技术,提出了一种兼有驱动、保护功能、通过性较强的设计方案,并给出部分实验结果。 相似文献
28.
本文针对硅中杂质、缺陷对器件制作和性能的影响进行研究,提出控制杂质与缺陷的不良影响和提高器件的成品率和优品率的途径。 相似文献
29.
对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量,结果表明:与室温相比1/f噪声显著增大,根据1/f噪声理论,并参照器件室温和低温下IB-VBE曲线的不同,认为在低温下EB结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件1/f噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因。 相似文献
30.
高玉民 《西安理工大学学报》1994,10(3):190-195,214
本文从物理概念出发,推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式,并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及pn结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。 相似文献