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11.
在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后,采用低能量氩离子束轰击芯片背面,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明,晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关,而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。 相似文献
12.
研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性,用低能量(550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面,能有效地改善其线性区的直流特性,如跨导,沟道电导,阈值电压,表面有效迁移率以及低频噪声等,实验结果表明,随着轰击时间的增加,跨导,沟道电导和表面有效迁移率光增大,然后减小,阈值电压先减小,随后变大;而低频噪声在轰击后明显减小,实验证明,上述参数的变化是硅-二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。 相似文献
13.
本文以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础,推导出RG-MOSFET一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。 相似文献
14.
于东海 《东南大学学报(自然科学版)》1996,26(2):121-123
雪崩晶体管产生窄脉冲用于探地雷达于东海(东南大学毫米波国家重点实验室,南京210018)近年来,晶体管在雪崩区的运用越来越广泛,采用雪崩效应后,可以很方便地产生具有毫微秒甚至亚毫微秒上升时间以及很大峰值功率的脉冲.由于专用雪崩晶体管的出现,使得实用的... 相似文献
15.
生物光色材料细菌视紫红质(bR)分子的光循环具有两个主要光活性态-基态B(568nm)和最稳中间态M(412nm)。用它们吸收带波长的光照射bR将分别引起分子的异构(B→M)和复构(M→B)光反应。本文首先研究了化学增强bR膜的互补调制饱和吸收,即多光束照射引起B、M各态粒子数比例变化,多光束之间互补调制输出光强。研究发现,当568nm和412nm双光束同时入射长M态寿命的bR膜时,存在阈值光强I 相似文献
16.
氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注.也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力电子领域中具有很大的发展和广泛的应用前景.本文列出了氮化镓材料和其他半导体材料主要的物理参数、氮化镓单晶制备及其外延生长的主要方法,阐述了氮化镓功率器件在目前环境下的优势.针对器件结构,列出了横向器件本身存在的问题和垂直器件的优点,解释了垂直器件为何能够成为未来功率器件的主流结构.在此基础上,详细介绍了氮化镓电流孔径垂直晶体管、垂直氮化镓沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、基于原位氧化物氮化镓夹层的垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管和垂直氮化镓鳍式场效应晶体管的结构、工作原理、研究进展及所存在的一些问题,并将文中所提及的垂直氮化镓功率晶体管的性能参数按器件种类和时间顺序进行归纳为未来氮化镓功率晶体管的发展提出了大致的方向.针对集成电路系统,归纳了氮化镓功率器件在驱动芯片方面的特殊要求和关键技术.最后,针对当下的市场环境,列举了垂直氮化镓功率晶体管在中、低压范围内比较热门且发展前景较好的应用场景. 相似文献
17.
本书是结合分析力学和系统动力学发展起来的一种新的多学科动力学系统建模方法。这种新的建模技术基于拉格朗日能量法,依次生成一系列适合数值积分的微分代数方程。本书适用的建模方法是能建模和仿真的六连杆闭链机构或晶体管功率放大器等系统。 相似文献
18.
为了让学生理解单管共射放大电路的设计过程,进而掌握关于放大电路的基础知识,建立工程性思维方式,采用理论分析和软件Multisim结合的方法,对给定性能指标的单管共射放大电路进行设计.通过理论分析和仿真计算,首先确定满足设计要求的电路元器件参数,在此基础上通过小信号等效模型对该电路的动态性能指标进行估算.对所设计的电路进... 相似文献
19.
摩擦电子学作为摩擦电与半导体耦合的新研究领域,可以通过机械运动产生的摩擦电荷调控半导体中的电传输与转化特性,建立外界环境与半导体器件的直接交互机制,实现各种主动式功能器件,为人机交互、微纳机电系统、传感和自驱动系统等应用提供全新的思路和途径.本文系统地综述了摩擦电子学的研究进展,首先介绍了摩擦电调控场效应作用机理以及摩擦电子学晶体管基础器件;其次介绍了研制的各种摩擦电子学功能器件,展示了其对于外部环境的主动式机械感知;最后对摩擦电子学领域的研究进展及待解决的问题的进行了总结,并展望了该领域未来的发展方向. 相似文献