B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究

B~+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B_(Ga)V_(As)和Si的相互作用,促使Si占据As的位置,形成受主,从而降低了n(Si)-GaAs层中的载流子浓度。我们认为B注入n(Si)-GaAs层光发光测量中观察到的1.33 eV峰与B,Si相关。     

阶梯量子阱中极化子效应的增强

电离杂质在低温半导体的输运过程中起了一个重要的角色 .因此最近几年对极性半导体 (例如异质结、量子点、量子线和量子阱 )内的极化子效应讨论很多 .一些通常的量子阱往往由极性化合物组成 ,我们需要对其中的电子和光学声子之间的相互作用进行详细研究 ,因为极化子效应能强烈影响异质结构的光学和输运特征 .因而在这样的结构中 ,电子态是通过势阱来描述的 .在低维量子系统 ,由于电子的束缚产生的基态杂质束缚能比体材料相比要大得多 .这个如 Greene和 Bajij[1] 所说的那样 ,量子阱中浅施主杂质的详细研究对杂质能级的性质以及量子阱本身性…     

Neutral Donors in Quantum Wells with Strong Magnetic Fields

研究了强磁场条件下有限深量子阱中的中性施主．计算了中性施主的基态能量和束缚能，讨论了阱宽对中性施主束缚能的影响．     

砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响

采用5种经不同砷压但相同生长温度（1000℃）和时间(5h)处理的半绝缘（SI）GaAs样品，利用表面光伏（SPV）方法，测量和计算了SI－GaAs在室温（300K）下的主要施主浓度EL2、禁带宽度Egг和双极扩散长度La，并从理论上给相应的解释。     

闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态

在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增加,杂质束缚能保持着先增加,然后不变的趋势.     

锑铌施主掺杂对BaTiO_3基LPTC电阻的影响

研究了 Sb2 O3,Nb2 O5 不同施主掺杂 Ba Ti O3基热敏 LPTCR性能 ,对掺 Sb2 O3和掺Nb2 O5 的热敏陶瓷复合制得的 LPTC进行了研究 ,对其机理进行了讨论。     

一撮生命的清茶

一个屡屡失意的年轻人千里迢迢来到普济寺,慕名寻到老僧释圆,沮丧地对他说:人生总不如意,活着也是苟且,有什么意思呢?释圆静静听着年轻人的叹息和絮叨,末了才吩咐小和尚说:施主     

巧防饲料氧化

西瓜贮藏保鲜的方法很多，有恒温库如藏法、土窑窑藏法、通风库藏法等。如贮藏时间短，也可以在通风良好的室内贮藏。无论采用哪种贮藏法，西瓜入库前都必须进行预冷，贮藏的场所和西瓜的表面都要进行消毒灭菌处理。西瓜最适宜的贮藏温度为4℃～10℃，空气相对湿度75％～85％，氧气3％-5％，二氧化碳0.5％-2％．     

表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析

利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2 dimensional electron gas,2DEG）形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明：施主表面态为2DEG的电子来源;Al-GaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。     

施主掺杂的（MgCoNi）O系材料的高温电导研究

研究了掺杂Ｌａ２Ｏ３施主的（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系氧敏材料性能．ｘ－ｒａｙ衍射分析表明少量施主的掺入并不改变材料的晶体结构．材料在高温时的电导与氧分压关系表明施主对材料的缺陷结构具有相当重要的影响．在高温下，施主掺杂样品的缺陷仍以金属缺位为主，在１００＞ＰＯ２≥１０－１０区间，金属缺位补偿占优，此时表现为电导对氧分压不太敏感．用缺陷化学的方法对施主的行为进行了合理的解释．