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对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子、杂质与声子的相互作用 ,利用改进的 LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量 .对 Zn1-xCdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系 .结果表明 ,杂质 -声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负 . 相似文献
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文章对具有电子施主和电子受主的π共轭有机分子的分子二阶非线性光学极化率β进行计算，计算中采用ＨＭＯ方法计算分子能级，用多能级模型计算分子二阶非线性光学极化率。从计算结果得到，分子中电子施主和电子受主基团的推拉电子能力越强，对β值的贡献越大；分子中π共扼链长对β的影响比较复杂，随着链长的增加，β值的总趋势是增大，但β值既存在大起伏又存在小起伏． 相似文献
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半导体异质结中施主结合能的磁场效应 总被引：1，自引：0，他引：1
对单异质结界面系统，引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势，利用变分法讨论磁场对界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量的影响，对磁场中的A1xGax-xAs／GaAs异质结系统的杂质态结合能作了数值计算，给出结合能随Al组合分、电子面密度和杂质位置的变化关系，结果表明：杂质态结合能随磁场强度的增大而显著增大。 相似文献
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研究了各向异性施主杂质态和半导体结构束缚下,各向异性施主杂质态中电子运动的经典行为.研究发现:由于对称性发生了破缺,电子在原子附近的运动呈现了混沌特性.在半导体结构的作用下,原子附近的轨道在很短时间看有近似的规律,但长时间观察,运动仍是混沌的.如果体系的能量很大,电子逃离到离原子很远处,此时半导体结构开始起主导作用,混沌行为逐渐消失.根据计算结果和量子混沌理论可以定性地了解该模型高激发态的一些性质. 相似文献
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张亿良 《上饶师范学院学报》2000,20(3):41-45
采用交流阻抗和白光电流测量法,研究了锑在恒电位1.2V(VS.SCE)于0.025mol.dm-3Na2CO3+0.025mo1.dm-3Na2HCO3+0.500mol.dm-3Na2SO4(PH=9.98,30℃)缓冲溶液中阳极形成膜半导体性质.实验证明,该阳极氧化膜是一种n-型半导体,其平带电位Efb和施主密度ND分别为-0.53V(VS.SCE)和2.86×1018cm-3. 相似文献
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对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量 .对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区别 相似文献
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研究了掺杂Ｌａ２Ｏ３施主的（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系氧敏材料性能．ｘ－ｒａｙ衍射分析表明少量施主的掺入并不改变材料的晶体结构．材料在高温时的电导与氧分压关系表明施主对材料的缺陷结构具有相当重要的影响．在高温下，施主掺杂样品的缺陷仍以金属缺位为主，在１００＞ＰＯ２≥１０－１０区间，金属缺位补偿占优，此时表现为电导对氧分压不太敏感．用缺陷化学的方法对施主的行为进行了合理的解释． 相似文献
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谢道华 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》1994,(2)
研究了不同Ｎｄ３＋浓度（０．１ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％）掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷的电性能．结果表明，当Ｎｄ３＋浓度为０．１ｍｏｌ％～０．２ｍｏｌ％时，轻度Ｎｄ３＋掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷是半导性，而当Ｎｄ３＋为０．６ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％时呈绝缘性．ＢａＴｉＯ３陶瓷室温下的体电阻车ρＶ随Ｎｄ３＋浓度的变化呈Ｕ型特性曲线，当Ｎｄ３＋＝０．１５ｍｏｌ％时材料具有最低的ρＶ和最佳的正温系数（ＰＴＣＲ）效应，相应于最大的平均晶粒尺寸ＡＧＳ和介电常数ε。随着Ｎｄ３＋浓度的增加．材料的ε和居里常数Ｃ下降，同时ε与Ｃ值密切相关．ＳＥＭ照片显示了Ｎｄ３＋含量对材料晶粒尺寸的强烈影响．此外，还分析了ＺｒＯ２对（Ｂａ１－ｘＮｄｘ）ＴｉＯ３系陶瓷电性能的影响． 相似文献
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刘汉忠 《聊城大学学报(自然科学版)》2001,14(1):52-53
通过对La0.5-xYxBa0.5CoO3系导电陶瓷的导电性、导电机制和微观形貌的研究,探讨了元素对该系导电陶瓷各方面性能的影响.发现稀土元素Y和La0.5Ba0.5CoO3系导电陶瓷的导电性有较大的影响. 相似文献