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磁场对Ga1-xAlxAs/GaAs异质结系统中施主结合能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
对半导体单异质结系统,引入三角势近似异质结势,考虑外界恒定磁场对界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量的影响,利用变分法对磁场下Gal-xAlxAs/GaAs异质结系统中杂质态的结合能进行了数值计算,并讨论了结合能随杂质位置、电子面密度和Al组分的变化关系及磁场对结合能的影响。结果表明:杂质态结合能随磁场的增强而显著增大。 相似文献
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研究了读出光对BSO类晶体中运动全息图衍射率的影响,指出读出光对BSO类晶体中运动全息图的衍射率有显著的降低作用。 相似文献
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用BaTiO3 粉体,采用多施主Y3 、Nb5 等掺杂对受主杂质进行补偿的方式,控制造粒和成型工艺,一次法固相合成具有低室温电阻率、高升阻比及更大PTC效应特性的CPTC热敏电阻. 相似文献
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研究了Sb2O3,Nb2O3不同施主掺杂BaTiO3基热敏LPTCR性能,对掺Sb2O3和掺Nb2O3的热敏陶瓷复合制得的LPTC进行了研究,对其机理进行了讨论。 相似文献
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系统地研究了施主掺杂对多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的影响。SEM观察表明:掺杂不同施主,对多晶SrTiO_3晶粒生长起着不同的作用。施主掺杂量影响多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3晶凿的半导化程度及试样介电特性。 相似文献
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研究了不同Nd^3^+浓度(0.1mol%-2mol%)掺杂的BaTiO3陶瓷的电性能。结果表明,当Nd^3^+逍度为0.1mol%-0.2mol%时,轻度Nd^3^+掺杂的BaTiO3陶瓷呈半导性,而当Nd^3^+为0.6mol%-2mol%时呈绝缘性,BaTiO3陶恣室温下的体电阻率ρv随Nd^3^+浓度的变化呈U型特性曲线,当Nd^3^+=0.15mol%时材料具有最低的ρv和最佳的正温系数 相似文献
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在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs/Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响:计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响,发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强;体系束缚能随线宽显示出非线性行为,并且在线宽较小时体系束缚能有一最大值,所得结果和前人计算符合很好。 相似文献
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