掺氧多晶硅薄膜退火特性的研究

掺氧多晶硅薄膜作为钝化膜己成功地应用于半导体器件。为了适应器件制造过程中的高温热处理,有必要探讨膜的高温热退火物理效应。本文从薄膜的腐蚀速率、膜的厚度以及膜的折射率随不同退火温度的变化,显示了掺氧多晶硅薄膜经高温退火的致密效应。而从膜的红外吸收谱测量表明膜中含氧量基本不变,但Si-O键吸收峰随着退火温度的升高向高频方向移动,并且愈益接近SiO_2的红外吸收谱。由此说明高温热退火使无定形的生长层薄膜再结构为Si多晶颗粒和SiO_2。使膜中SiO_2成份随着退火温度升高也跟着增加。     

掺钕PLZT电光陶瓷的光辐射特性

研究了掺钕锆钛酸铅(PLZT)电光陶瓷的光学特性,利用Judd-O fe lt(J-O)理论计算该材料的强度参量:Ω2=0.7747×1-0 20cm2,Ω4=0.9856×1-0 20cm2,Ω6=0.9264×1-0 20cm2,并用强度参量计算了4F3/2亚稳态的辐射寿命(394μs)、受激发射截面iσj、荧光分支比,测量了4F3/2亚稳态的荧光寿命(168μs)并计算了该能级的荧光量子效率.同时还研究了该材料在803 nm激发下的上转换荧光特性.分析表明掺钕PLZT电光陶瓷在多功能器件、集成光学等方面有潜在的应用价值.     

掺铝氧化锌薄膜的光电性能

采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备掺铝氧化锌薄膜,研究不同工艺参数对薄膜组织结构、光学性质和电学性质的影响。从薄膜的结构、载流子浓度和迁移率等方面分析掺铝氧化锌薄膜的透射率和电阻率的变化机理。研究结果表明:掺铝氧化锌薄膜具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长,衬底温度和氧分压对薄膜的电阻率和透射率具有很大影响。在衬底温度为200℃、氧气与氩气的分压比为1%时,薄膜具有最优电阻率和平均透射率,分别达到1.13×10-3Ω.cm和86.5%。     

可见光诱导铌酸锂晶体畴反转

研究了在可见光诱导条件下的近化学计量比掺镁铌酸锂的反转电压与光强之间的关系.并实现了利用可见光对晶体畴反转进行可控操作和实时监测.发现晶体的反转电压随光强增大而下降,最大降幅达到70%左右.探寻了可见光诱导铌酸锂晶体畴反转的形成机制,认为光诱导晶体畴反转的主要原因是光激载流子迁移改变了晶体内部的局域电场,造成了晶体极化反转电压的降低.     

基于全国产器件的大模面积掺镱双包层光纤放大器的实验研究

报道了一种后向泵浦的大模面积掺镱双包层光纤放大器,输出功率为1.12 W,放大后信号光的3 dB线宽为0.028 nm,并保持了输入信号光的优良光谱特性.首次从实验上深入研究了在该种放大器中,前向输出功率、后向输出功率随泵浦功率变化的规律,为更高效率和更高功率的双包层光纤放大器的研制提供了重要的实验数据.     

关于光孤子通信的思考

介绍了光孤子的产生,光孤子通信的基本原理,从非线性薛定谔方程入手阐述了光脉冲在光纤中克服光纤色散保持波形不变、长距离、稳定传输的过程,提出了光孤子进入实用阶段的一些困难及解决办法,指出光孤子通信是全新的超高速、大容量、超长距离的通信技术,其前景无限广阔。     

全光纤掺Yb3+光纤光栅激光器及其输出特性

采用光纤光栅作为光纤激光器的谐振腔, 利用中心波长为970 nm的半导体激光器（LD）作为抽运源. 对准圆形内包层的掺Yb³⁺双包层光纤进行泵浦, 其抽运功率为11.8 W, 实现了7.5 W的单模激光输出, 输出波长为1 080 nm, 斜效率63.5%.     

粉煤灰对高流态混凝土抗裂性能的影响

在新拌混凝土工作性能、硬化后抗压强度相当的条件下,通过平板法试验研究粉煤灰掺量及其品种高 流态混凝土抗裂性能的影响,并确定不同品种粉煤灰最佳掺量,为配制抗裂性能较好的高流态混凝土提供参考．     

高功率双包层光纤激光器温度分布的数值分析

对高功率光纤激光器热效应问题进行了理论研究,在分析热效应产生原因的基础上,建立了一套双包层光纤激光器稳态温度分布模型,数值模拟了光纤轴向和径向的温度分布,得出了不同的光纤长度、截面半径和制冷条件下光纤端面中心温度随激光输出功率的变化关系.结果表明,单根光纤在输出千瓦级激光情况下对光纤端面附近区域沿轴向制冷将显著降低热效应的影响.     

倾斜磁场下感生单轴磁各向异性对静磁正向体波激发的影响

研究了在倾斜磁场下感生单轴磁各向异性对静磁正向体波激发的影响，并考虑了易磁化轴垂直和平行于磁性薄膜两种情形，数值计算表明，在适当的倾斜磁场下，掺铋钇铁石榴石薄膜中的感生单轴磁各向异性能够显著降低静磁正向体波的插入损耗，增加激发带宽，因此，在静磁波器件和以静磁波为基础的磁光器件中，使用具有感生单轴各向异性的磁性薄膜可以显著提高器件的性能。