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611.
本文结合安庆石化催化裂化装置MIP工艺技术改造后运行情况,分析原料性质、MIP工艺、操作参数等对掺渣的影响,提供了优化MIP工艺,提高装置掺渣量的几点措施。 相似文献
612.
油管掺液稠液泵井筒流体温度分布计算 总被引:1,自引:1,他引:0
根据传热学和能量平衡原理,考虑环空产出液与油管掺入液及地层之间的双重热传导作用,同时考虑了由流体相变导致的焦耳-汤姆森效应,建立了稠油泵井筒流体温度分布数学模型,并研究了温度分布随时间的变化规律,编制了计算程序,该程序能用于计算任意生产时间及井筒深度下掺入液及产出液的温度,计算结果表明,在一定条件下,生产时间及焦耳-汤姆森效应对井筒温度分布有明显的影响。 相似文献
613.
大庆石化公司炼油厂RFCCU装置没计生产能力为140万吨/年,设计掺渣比为60%。由于装置掺渣比较高,生焦量大,再生系统产生热量多,且装置一再为贫氧操作,烟气中CO含量达5~8%,故设计两台CO焚烧炉,将烟气中能量回收, 相似文献
614.
通过对荣乌高速公路第四合同段构造物砼施工中外掺剂的应用进行了总结,着重从减水剂、阻锈剂、超细粉3种外掺剂对提高钢筋混凝土的耐久性和抗腐性进行分析. 相似文献
615.
本文就高液限粘土的工程性质,充当高速公路路基填料的可能性及技术措施等作了较详细的探讨,并简要介绍了施工工艺。 相似文献
616.
虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P~ 和n/n~ 外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加工64k RAM以来,MOS电路的衬底已开始从体单晶向外延片的过渡.同时,也激发了研究重掺衬底氧本征吸杂(IG)工艺的兴趣.本实验室通过对重掺砷衬底氧本征吸杂工艺的摸索,体内缺陷的观察,外延层上MOS C-t寿命以及二极管反向特性曲线的测定,以探讨高掺杂情况下,衬底硅材料的本征吸杂能力. 相似文献
617.
618.
大掺量磷渣水泥的凝结硬化特性与力学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
结合XRD、SEM等微观测试手段,从磷渣粉磨特性出发,实验研究了磷渣细度、磷渣掺量等因素对中热硅酸盐水泥凝结硬化性能的影响,测定了磷渣水泥胶砂的力学性能,并分析了其变化规律. 相似文献
619.
用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了较高结晶质量的ZnO: Mn薄膜,继而进行N离子注入和退火处理,成功实现了ZnO薄膜的Mn-N两步法共掺杂和p型转变.利用X射线衍射(XRD)、Hall测试、分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对其性能进行了分析.结果表明:所测样品均具有单一的c轴择优取向,薄膜在退火后没有检测到其它杂质相的生成;薄膜在650 ℃经10~30 min退火时均可实现p型转变,空穴浓度可达1016~1017cm-3,表明650℃可能为ZnO: Mn-N体系中N离子达到电激活成为有效受主的温度;XPS能谱证明了Mn2+、N3-离子的掺入;在热退火作用下,部分间隙位N离子达到电激活通过扩散进入O空位,形成N-Zn或N-Mn键,是样品转变为p型的依据; p型ZnO: Mn-N薄膜室温下的禁带宽度为3.16 eV,相对未掺杂ZnO的禁带宽度3.29 eV明显减小. 相似文献
620.
掺铒聚合物光波导放大器的制备与测试 总被引:2,自引:0,他引:2
研究掺铒有机聚合物材料Er(DBM)3Phen/PMMA-GMA的光学性质, 并测试了该聚合物的吸收光谱和折射率等参数, 通过光刻结合反应离子刻蚀技术, 利用该材料制备了掺铒聚合物光波导放大器. 采用光纤与波导放大器的直接端面耦合方法测试了光波导放大器的特性, 结果表明, 当输入信号功率为0.2 mW, 抽运功率为150 mW时, 在1.24 cm长的器件上获得了0.9 dB的相对增益. 相似文献