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231.
王大林 《山西师范大学学报:自然科学版》2005,19(3):71-73
通过选择合适的原料配比(L i2O占48.6%,Nb2O5占51.4%,并掺入3%的钠),控制固液界面处的温度梯度,选择合适的晶体生长速度,采用提拉法成功地生长出了具有良好光学均匀性的掺钠L iNbO3晶体,用X射线粉末衍射获得了晶体的晶胞常数,结果表明掺钠后晶体常数a增大c减少,并讨论了掺钠L iNbO3晶体生长存在的主要问题、发展前景及今后的研究方向. 相似文献
232.
岳喜成 《徐州师范大学学报(自然科学版)》2004,22(3):37-40
测定了未注入掺碘聚醚砜(PES)膜和离子注入掺碘PES膜的红外光谱.发现两红外光谱不同.离子注入使掺碘PES膜的C—S键和C—O键断裂,但对掺碘PES膜的苯环没有破坏作用.Ar(苯环)—O—Ar吸收峰经离子注入后向低波数位移是由于离子注入导致键断裂.挥发性物质放出和富碳层的出现,并伴随着膜的致密化,使分子间的作用力显增大.膜结构的变化引起了膜的电学和光学性质的变化。 相似文献
233.
以锰锌铁氧体与树脂的复合物为基质,以片式电感为手性掺杂体,制备了手性复合吸波材料。用网络分析仪在30MHz~1000MHz范围内测定了材料的透过衰减,分析了电感吸波材料的吸波机理及电感掺量和感量对材料吸波性能的影响规律。 相似文献
234.
根据陷波滤波器均衡法的原理,用光无源器件耦合器来修正掺铒光纤放大器增益谱线的不平坦,并探索出一种可以方便快捷地得到耦合器相关参数的方法。利用该方法可以对任何一个掺铒光纤放大器的增益谱进行优化设计,从而得到耦合器的相关参数,使得通过耦合器后的掺铒光纤放大器增益谱线的起伏小于给定阈值。 相似文献
235.
236.
掺硼纳米TiO2的制备及其光催化降解二甲酚橙的性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以硼酸和钛酸丁酯为原料,用溶胶-凝胶法制备了硼掺杂纳米TiO2光催化剂,通过红外光谱,漫反射光谱, XRD,SEM对催化剂进行了表征。以紫外光对二甲酚橙的降解,考察了制备、实验条件对掺硼纳米TiO2的光催化性能影响。实验表明,掺硼纳米TiO2光催化剂的活性大于纯纳米TiO2,最佳掺B2O3质量分数为2.5wt%,最佳煅烧温度为700℃下1h。用溶胶-凝胶法制备的纳米粒子有较高的相转变温度,低的团聚程度,在700℃下焙烧1h,TiO2粒径为18nm。在紫外光降解二甲酚橙中,催化剂的最佳用量为1.00-1.25g·L-1,酸性条件下降解率大于碱性条件。掺硼纳米TiO2的最佳制备条件为:无水乙醇用量:V钛酸丁酯:V无水乙醇=5:1;钛酸丁酯浓度为0.25 mol·L-1;搅拌时间为1h;通过对光生电子-空穴的俘获方式及有机物在光催化剂上的吸附行为分析,掺硼TiO2光催化剂的活性提高,与硼的缺电子特性有关。 相似文献
237.
用硬脂酸/钛酸四丁酯复合改性剂对掺锑二氧化锡(ATO)纳米粉体进行表面有机化改性处理。通过润湿性、分散稳定性测试研究处理温度、分散介质以及钛酸四丁酯与硬脂酸的量比对改性效果的影响。采用热重分析、透射电镜分析、红外光谱分析、X射线光电子能谱等测试方法对改怀后粉体的表面包覆率、形貌、分散状态以及改性机理进行研究。研究结果表明,提高处理温度、适当增加复合改性剂中硬脂酸的量并选用极性弱的有机溶剂可达到比较理想的改性效果;钛酸四丁酯的作用是与粉体粒子表面的羟基以及吸附水反应产生偶联点,如M-O-Ti-OH,这些偶联点易于与羧酸反应;在低温时RCOO^-与偶联点的Ti(Ⅳ)之间以配合物的形式发生作用,在回流温度下处理时,主要发生酯化反应,使硬脂酸更牢固地嫁接到粉体粒子表面,改性效果更好。 相似文献
238.
报道多孔硅掺稀土的一种新的电化学方法恒压电解法,和一种新的稀土硝酸盐-支持电解质-有机溶剂的电解体系.这种方法和体系除具有“恒流电解法”原有长处外,还具有易于控制电解产物,重现性好并显著增强多孔硅光致发光的优点.优化了恒压电解法制备掺铽多孔硅的条件,获得了光致发光强度高于多孔硅的掺铽多孔硅,并讨论了多孔硅和掺铽多孔硅的光致发光机制 相似文献
239.
报道了采用σ偏振钛宝石激光端面泵浦a切割掺钕钒酸钇薄片激光器中的偏振热透镜补偿特性研究,在常温下获得2mW低阈值、大于50%的高光-光转换效率的连续基横模运转,在880mW注入泵浦功率下,输出440mW的TEM00模激光.同时,研究了随着泵浦功率的增加,激光的纵模演化特性.结果表明,以σ偏振泵浦时,π偏振的1.064μm激光功率相对波动度小于1%. 相似文献
240.
湿化学法制备钙钛矿型La1—xSrxMnO3的电学性能及其晶体学研究 总被引:4,自引:1,他引:4
采用湿化学法制备了粒度在0.2~0.8μm范围的钙钛矿型La1-xSrxMnO3粉末,用室温和高温X衍射法测定其晶体结构,发现其在1 200℃高温发生了四方→立方的相变;制备的粉末粒度与水浴温度有一定的关系,在室温时电阻率在6.0×10^-3~6.9×10^-3Ω.cm范围内,在温度大于450℃后,随着温度的升高,电阻率亦升高。 相似文献