弱左型B半群的真覆盖

弱型B半群是在半富足半群范围内的广义逆半群.该文利用弱左型B半群真覆盖的定义,给出了弱左型B半群真覆盖的相关性质.特别地,得到了相应于弱左型B半群作用在幂单幺半群上的真覆盖的结构定理.     

完全不可约算子的近期研究

总结近两年来有关完全不可约算子更深入的工作。它包括了如下几个方面：（１）完全不可约算子的谱图形和精致的完全不可约算子的存在性;（２）算子的完全不可约分解的唯一性;（３）完全不可约算子的紧扰动和（ｕ＋Ｋ）轨道。文中列出的一些结果回答了江泽坚、Ｈｅｒ－ｒｅｒｏ有关完全不可约算子的部分猜测和问题。     

多个从方主从对策的仿射型诱导策略

讨论当主从对策中存在多个从方时,主方对多个从方的诱导策略的设计问题．给出了最优诱导策略和可诱导域的定义,研究了仿射型诱导策略的存在条件及解的结构形式,并探讨了当主方只具有对从方决策的部分观测时的诱导问题．     

B值随机场的收敛性与B空间的型

讨论多指标Ｂ值随机变量族（Ｘｎ,ｎ∈Ｎ＾ｄ）在ｌｉｎｘ＾ｐｘ→∞ｓｕｐ│ｎ│＾－∑ｋ≤ｎＰ（‖Ｘｋ‖≥ｘ）＝０等条件下的收敛性,当０〈ｐ〈１时,得到了任意随机变量族的弱收敛性和敛速度的一般结果。当１〈ｐ〈２时,揭示了零均值独立随机变量的族的弱收敛性,收敛速度与Ｂａｎａｃｈ空间几何性质的关系。     

兰道定理中的一个新上界

对在单位园盘Ｄ中正则的函数ｆ（ｚ）＝ａ０＋ａ１ｚ＋…,且ｆ（ｚ）≠０,１,证明了｜ａ１｜≤２｜ａ２｜｜ｌｏｇ｜ａ０｜｜＋Ａ－Ｍ｜ｌｏｇ｜ａ０｜｜＋Ａ－４πＫ１１＋｜ａ０｜Ｋ｜ａ０｜１＋｜ａ０｜［］｛｝,其中Ａ是海曼常数,Ｍ是绝对常数．     

氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态

研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.     

CPML截断2.5维问题中圆柱波导开放边界的应用

为了解决高功率微波(HPM)源模拟中圆柱波导开放边界的截断问题，研究了柱坐标系下卷积完全匹配层(CPML)吸收边界，给出了CPML中电磁场的差分方程和轴边界条件，并进行了数值验证．在不同频率和模式的激励源作用下，模拟了2．5维问题中CPML截断圆柱波导开放边界的性能，相对误差最大值都小于-90dB在2．5维电磁PIC软件中引入CPML方法，模拟计算了相对论返波管．结果表明，CPML在截断波导开放边界方面的性能远好于Mur型吸收边界条件。     

基于 CFX软件的氮化硅反应炉内热过程的数值模拟

利用大型商业软件CFX建立了高温氮化硅反应炉内温度场的数学模型,采用拟流体模型数值模拟炉内的层流流动,分析了氮气体积流量、各向异性散射和辐射特性等因素对温度场和产物质量浓度的影响.计算结果表明,为确保反应充分完全,预热段温度控制显得非常重要,而氮气体积流量起着决定性的作用;各向异性散射对径向温度、产物质量浓度有一定的影响;散射率对温度场影响很小;计算值与实验值相比较,误差在10%之内.     

LF-拓扑空间的强拟紧性

本文将文[1]给出的拟紧概念推广到α-拓扑空间，证明了它是L-好的推广并且它对于正则闭子集是可遗传的．在LF-半正则空间中讨论了强拟紧集与强F紧集的等价性。     

依赖注入技术及其执行过程的形式化描述

依赖注入技术指由构件运行平台在运行期根据系统配置文件中定义的构件间的依赖关系，将被调用构件实例化，并注入到调用构件之中。本文在分析研究依赖注入技术的基础上，用完全格工具形式化地描述依赖注入的执行过程。