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171.
讨论了Γ-近环的素理想与完全素理想之间的关系,侧重于各种根(素根,完全素很),特别是下列Γ-近环类:素根等于幂零元集作成的Γ-近环类。给出了此类Γ-近环的性质。 相似文献
172.
完全信息与不完全信息下的古诺模型之比较 总被引:2,自引:0,他引:2
通过介绍完全信息与不完全信息下的两个静态博弈古诺模型,导出这两种模型的具体解法和特定答案,并比较完全信息与不完全信息条件下博弈双方的最优产量,从而指出模型在现实经济中的指导意义. 相似文献
173.
174.
一种基于身份分层结构加密算法的广播加密方案 总被引:2,自引:0,他引:2
现今大部分的广播加密方案使用对称密钥作为用户密钥.为了解决消息发布方和用户持有相同对称密钥所带来的密钥泄漏问题,本文使用基于Weil配对性质的HIBE算法,利用子集覆盖框架下的完全子树方法构造了一种基于身份的广播加密方案.该方案使用用户的身份作为加密的公共密钥,因此无须单独的公钥/证书发布系统.同时该算法利用HIBE中的层次密钥算法,使得用户所需的私钥存储空间从O(logN)减少到O(1).本文最后对该方案的安全性、效率和动态可扩展性进行了讨论和分析.这种基于身份分层结构加密算法的广播加密方案是一种很有应用前景的适用于无状态接收装置的广播加密方案. 相似文献
175.
令H是任意非Abel有限群G的完全正规子群,记△n(G)为整群环ZG的n次增广理想,Qn(G)为增广商群△n(G)/△n 1(G).当G/H为循环群或基本p-群时,给出了△n(G)的一组基底,确定其增广商群Qn(G)的结构. 相似文献
176.
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立一维无序材料电子跳跃输运直流电导率计算模型,并推导其直流电导率计算公式;通过计算材料的直流电导率,分析不同无序形式下无序度对材料直流电导率的影响,探讨无序在材料电子输运中的本质作用。计算结果表明,在对角无序情况下,无序材料的直流电导率随着无序度的增加而减小;当无序度较小时,电导率随材料无序度的变化有振荡行为;非对角无序材料的电导率小于对角无序材料的电导率,同时,在无序度较小的区域,材料的电导率呈现先增大后减小的特性;完全无序材料的电导率大于非对角无序材料的电导率而小于对角无序材料的电导率,且在完全无序情况下材料的电导率随无序度的变化关系与非对角无序情况下电导率随无序度的变化关系很相似;在无序度较大时,无论是对角无序、非对角无序还是完全无序情况下,无序度对电导率的影响均不明显。 相似文献
177.
对杉木多代连栽地经柳杉长期轮栽后凋落物的组成及归还动态进行了研究,结果表明:柳杉林分的年凋落量是杉木多代连栽林的2.18倍,两树种凋落物年组成成分的变化规律不同,但杉木和柳杉年凋落物主要都来源于叶、枝和花果,其余的组分归还较少.柳杉林凋落物的归还模式为主峰出现在5月份和8月份,这两个月的凋落量占年凋落量的49.69%,可见,柳杉凋落物主要发生在5月和8月这两个月,而杉木则主要发生在8月份,仅8月份这1个月的凋落量就将近占年凋落量的一半.柳杉各月的凋落物中都以柳杉叶为多,但其他组分的归还顺序各月亦不完全一样,杉木亦有相似的变化规律.凋落物的季节归还模式亦不同:柳杉林凋落物的季节变化呈适现出夏季(35.13%)>秋季(30.39%)>春季(26.33%)>冬季(7.57%),而杉木多代连栽林则呈现出秋季(53.06%)>春季(24.07%)>夏季(15.76%)>冬季(6.48%). 相似文献
178.
将信用风险、利率期限结构引入到二叉树定价模型中,建立以股价和利率为标的变量的二叉树定价模型.在给定的边界条件和具体参数下,对我国的可转换债券进行定价研究,并用市场数据对模型做了实证检验.对比标的股价二叉树定价模型的计算结果,发现基于双因素的可转债定价模型的计算精确度较高,同时,计算得到的理论价值的走势跟市场价格的走势较为相似. 相似文献
179.
川西前陆盆地须家河组沉积相及岩相古地理演化 总被引:5,自引:0,他引:5
川西前陆盆地上三叠统须家河组是油气勘探的重点层位.依据新的地层划分方案、大量钻井、露头及岩芯资料,结合区域地质特征,详细研究了须家河组沉积相、岩相古地理特征及其演化.结果表明:研究区内主要发育了冲积扇、湖相三角洲、湖泊、海相三角洲、滨岸和海湾六种主要的沉积相类型;古地理演化经历了由海相环境-海陆过渡相环境-陆相环境的转变;在须四早期,受安县运动的影响,龙门山褶皱成山,使研究区与阿坝海域完全隔绝,整个四川盆地真正进入了陆相沉积环境. 相似文献
180.
电子封装用高体积分数SiCp/Al复合材料的制备 总被引:4,自引:0,他引:4
采用粉末注射成形制备SiC预成形坯和Al合金无压熔渗相结合的工艺,用单一粒度的粉末成功地制备出了致密度为98.7%的60%SiCp/Al高体积分数复合材料. SEM分析表明,所制备的复合材料增强体和基体分布均匀,组织致密,热膨胀系数在100℃到400℃范围内介于(7.10~7.75)×10-6K-1之间,室温热导率为170W·m-1·K-1,能够完全满足电子封装的技术要求. 相似文献