355 nm YAG皮秒脉冲激光晶化非晶硅薄膜的研究

 使用355 nm YAG皮秒脉冲激光对250 nm厚的非晶硅薄膜进行激光晶化的研究,并利用金相显微镜、拉曼光谱和X射线能谱（EDS: energy dispersive spectrometer）等对晶化样品进行了分析。结果表明：随着激光脉冲能量的增加,完全熔区和部分熔区的宽度均明显增大。在所研究的脉冲能量范围内（15 μJ—860 μJ）,所有样品的完全熔区的拉曼光谱均无非晶硅或晶体硅的特征峰,而位于完全熔区边缘的部分熔区的拉曼光谱却显示出晶体硅的特征峰,这可能是因为完全熔区接受到的激光能流密度过大,造成区内绝大部分非晶硅薄膜气化蒸发。这个推测进一步得到了X射线能谱分析结果的证实。X射线能谱分析结果表明,完全熔区的成份主要是玻璃与硅反应生成的硅化物,其表面被二氧化硅层所覆盖。     

关于大型光伏电站接入电网稳定经济运营分析和实践的探讨

本文主要通过青海省两年来GW级光伏发电基地建设和运营管理的实践,总结分析和探讨青海省GW级光伏发电基地对电网稳定运营的影响。通过GW级光伏发电基地接入电网稳定经济运营的技术方案的比较,从实践中总结形成一套技术方案和管理模式,为电网的稳定运营安全供电和节能减排起到重要作用。     

一体化全自动净水器在多晶硅行业的应用

江苏中能硅业大技改给水系统中广泛采用一体化全自动净水器,该设备将混凝反应、斜管沉淀、重力式无阀自动反冲过滤等工艺有机组合在一起,具有耐冲击负荷能力强、水头损失少、全自动反冲洗、故障率低、运行稳定和操作管理简便等优点。     

多晶硅材料消解方法的探究

探究了多晶硅样品的酸溶消解法.优化了氢氟酸、硝酸建立的酸解体系,并针对多晶硅粉末状样品给出了最优消解V（H2O）〖KG-1.5mm〗∶〖KG-1mm〗V（HF）〖KG-1.5mm〗∶〖KG-1mm〗V（HNO3）约为20〖KG-0.7mm〗∶〖KG-1mm〗28〖KG-1mm〗∶〖KG-1mm〗10.比较了室温密闭消解、超声辅助消解、水浴加热辅助消解和微波消解对消解效果的影响,结果表明,对于多晶硅粉末样品室温密闭消解1 h为最简便有效的消解方式.     

科技创新视角下衢州市氟硅产业十二五转型升级浅议

一、绪论十七届五中全会审议通过的关于制定"十二五"规划的建议,核心是两个字——"转型"。所谓转型首先是增长方式的转型,其内容很多,原来我国出口导向型的增长方式和投资拉动     

头盔用微显示技术的发展

头盔显示器采用微显示器作为信息输出元件,技术发展日新月异,并逐步向高分辨率、高画质、高集成度以及小型化方向发展,在消费类领域和特种领域有着广泛的应用市场。目前常见的头盔微显示技术主要有硅基OLED、高温多晶硅LCD和透射式硅基LCD三种．本文对这三种微显示技术进行了较为详细的分析,并介绍了最新的技术发展情况和发展趋势。     

浅谈多晶硅项目竣工验收监测

通过对多晶硅项目的竣工验收监测,阐释多晶硅项目的主要产污环节及监测项目要点。     

光伏系统基于全生命周期碳排放量计算的环境与经济效益分析

以上海临港某光伏发电项目为案例,同时结合光伏发电系统全生命周期碳排放模型和各阶段实际过程,对各个阶段碳排放的独特性、独特来源进行分析和计算,进而明细其计算结果.根据该系统的碳排放周期、碳交易经济回收期以及光伏发电上网电量的经济回收期对光伏发电系统进行客观的评价.     

在不同温度下退火制备多晶硅薄膜的研究

通过PECVD法,用玻璃作衬底在30℃、350℃和450℃下直接沉积非晶硅（a—Si：H）薄膜,在600℃和850℃下退火三个小时,把前后样品用拉曼光谱和XRD分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃下好。     

一种高温下测量薄膜电阻温度特性的方法

介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪。该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻率的不足。制备并测试了多晶硅及铂薄膜的电阻温度特性,用多项式拟合了在该温度范围内电阻温度系数,并分析了方法可靠性。