GaP1-χNχ混晶（χ-0．24％～3．1％）发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制．GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征，表现出明显的带隙降低的趋势．测量结果显示，在组分χ≥0．24％的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态，在低组分的混晶中，只存在一种激活能，仍然保持有束缚激子的特征；而在高组分样品(χ≥0．81％)中存在两种激活能．高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征．另一方面也表现出新的发光机制．     

飞行器三轴姿态测量方法

介绍了到目前为止常用飞行器三轴姿态测量敏感器.详述了这些姿态敏感器的工作原理.根据这些原理分析了它们的优缺点,并比较了它们的性能指标.给出了具有指导意义的结论.     

[(Hnbc)_2Ag_2(en)_2]_∞制备、结构和红外光谱分析

标题化合物是由两部分组成的 ,他们分别是Ag(1)原子连接的两个 1,2 -乙二胺 (en)中的氮原子和Ag(2 )原子连接的两个对硝基苯甲酸 (Hnbc)中的氧原子 ,两部分之间是通过Ag…Ag原子间的弱相互作用相连的 .该配合物为三斜晶系 ,a =6 .346 (3) ,b =7.0 2 2 (3) ,c =2 3.0 4 4 (11) ,V =94 0 .5 (8) 3 ,单位晶胞中的分子个数Z =2 .标题化合物结构目前尚未见报导 ,红外光谱分析表明 ,结构与本文报道的一致 .     

化探样品中砷锑联合测定方法的应用

利用氢化物发生一原子荧光分析技术(HG-AFS)，对化探样品中砷(As)、锑(Sb)联合测定进行了有益的探索．通过一系列条件实验，设定出了合理有效的样品前处理方法、仪器测定条件以及主要试剂的浓度．并对其最低检出下限、精密度和准确度进行了评估，结果表明：该方法用于化探样品中砷、锑元素的同时测定具有很好的可行性和适用性。     

用L—S藕合的蒙特—卡罗模型模拟复杂光谱

阐述了L—S耦合情况下的Monte—Carlo理论模型．在局域热动平衡条件下，用Monte—Carlo模型模拟Hf等离子体复杂光谱的部分光谱：类钇铪的光谱，其主要方法是：由统计方法计算出类钇铪等离子体的4d^3—d^26p束缚束缚跃迁的跃迁阵的谱线数目，从高斯分布中随机确定每条谱线的能量。再根据L—S耦合时能量与强度的关系来确定每条谱线的强度，从而模拟未分辨跃迁阵Hf^33 4d^3—d^26p的光谱线。     

串行红外链路接入协议关键参数的优化

给出了使串行红外链路接入协议(IrLAP)吞吐量最大的关键参数的最优化数值解法．在该方法所得的发送窗口大小和信息帧信息字段长度下，IrLAP的吞吐量大于相关文献中的理论近似结果，并得到发送窗口大小是决定IrLAP吞吐量性能最关键参数的结论。     

5,10,15,20-四-(对苄氧基苯基)卟啉的合成

以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)作溶剂,在无水AlCl3催化下由吡咯和对苄氧基苯甲醛缩合,制备了5,10,15,20-四-(对苄氧基苯基)卟啉.找到了合成该化合物的较佳条件.     

近距离红外无线数据通信技术研究

无线电通信技术得到了前所未有的发展，而红外无线数据通信相对于无线电数据通信具有低功耗、低价格、低电磁干扰、高保密性等优点，目前发展迅猛，尤其在近距离无线数据通信中得到了广泛的应用．随着编码调制技术的发展，红外无线数据通信的数据速率越来越高，成为许多移动设备、室内办公设备以及手持设备无线数据通信的一个重要途径．本介绍了红外数据通信的原理，分析了红外数据通信技术中关于收发器、控制器、通信协议等关键环节的技术现状，总结了红外数据通信技术的研究进展，并对红外无线通信技术的工程应用前景进行了展望。     

一种基于高维空间凸面单形体体积的高光谱图像解混算法

基于三角形中一个简单的含量与体积比的关系:三角形ABC内的任何一点P与三角形任意两个顶点(比如B,C)构成的面积PBC与整个三角形ABC的面积之比即为另一个顶点A在P中的含量.将其推广并且严格证明了上述规律对于高维空间中凸面单形体仍然成立.基于上述结论,对在Cuprite获取的AVIRIS数据进行了光谱解混的实验验证,取得了良好的实验效果.     

掺Pr3+钛酸盐红色长余辉发光性质比较

通过荧光光谱和磷光衰减曲线比较了CaTiO3∶Pr3+(CaTP),Ca0.8Zn0.2TiO3∶Pr3+ (CaZnTP)和Ca2Zn4Ti15O36Pr3+(Ca2Zn4TP)掺Pr3+钛酸盐的红色长余辉发光性质.测定了它们的热释光曲线.CaTP,CaZnTP和Ca2Zn4TP的热释光峰值分别是49 ℃,62 ℃和75 ℃,热释峰相对强度分别是220,186和1 254,这表明掺Pr3+钛酸盐晶体中的缺陷陷阱能级深度为Ca2Zn4TP>CaZnTP>CaTP,陷阱中电子的逸出速率是CaZnTP>CTP>Ca2Zn4TP.从理论上解释了余辉时间顺序为Ca2Zn4TP > CaZnTP > CaTP,起始发光强度顺序为CaZnTP>CTP>Ca2Zn4TP的变化规律.