小型光伏半导体冰箱制冷/制热性能研究

提出了一种光伏半导体冰箱系统,分别在直流和交流供电的情况下对该系统的制冷、制热性能进行了实验研究．实验表明,制冷时该系统能维持箱内温度在5．0～10．0℃,制热时能维持箱内温度在62．0～68．0℃．此外,直流供电时的性能比较稳定,环境温度对其影响较小．该冰箱系统可用于户外缺电地区的食物、食品等进行保鲜或保温．     

《半导体器件》课程中GaN基光电器件差异性教学探讨

在《半导体器件》课程中加强宽禁带半导体器件的教学是科学技术与国民经济快速发展对高等学校基本职能所提出的根本要求。本文阐述了把第三代宽禁带半导体GaN基光电器件作为新型半导体器件进行重点教学的必要性和意义．同时也指出需要采用差异化的教学方法来讲授新型器件在结构、工作原理与光电性能等方面的特殊表现。     

氮掺杂p型MgxZn1-xO薄膜的制备及其表征

采用不同氮分压（RN2）的氩气和氮气混和气体溅射Mg0．18Zn0.82O合金靶材,在石英衬底上生长了MgxZn1-xO（MgZnO）合金薄膜,研究了氮分压对薄膜组分、结构和光学、电学性质．结果表明：薄膜中的Mg含量（x）随着RN2的增加呈线性增加,导致其结构和光学带隙（Eg）随氮分压变化．Mg含量随氮分压的变化归因于：当氮分压增加时,与N反应形成NO2的O原子数目增加,导致与Mg、Zn反应的O原子数目减少．而Mg比Zn优先与剩下的O原子结合形成MgO,导致只有部分Zn能够跟O结合形成ZnO．未反应的Zn将以原子的形式沉积到衬底上继而因高的衬底温度发生二次蒸发离开衬底,导致薄膜中Zn含量减小,即Mg含量增大．当对由氮分压不为零制备的高阻MgZnO薄膜进行真空退火后,薄膜呈p型导电,说明这种p型导电与氮掺杂有关．本文讨论了Vegard定理用于估算MgZnO中Mg含量的正确表达式．     

单分散的硫化银纳米粒子的一步合成及性质表征

提出了一个简单的、温和的条件下合成高产量的、均匀的、单分散的硫化银纳米粒子的方法.该化学方法采用硫脲作硫源和稳定剂,室温下与硝酸银反应一步即可获得Ag2S纳米粒子,因而不需采用任何模板和基底.采用X-射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线光电子能谱(XPS)以及紫外-可见光谱(UV-Vis)等手段对所合成的产物进行表征.XRD结果表明产物为单斜相的硫化银,TEM可以看出产物为直径约为50±10 nm左右的球状纳米粒子.XPS分析表明产物中Ag为 1价而S为-2价,它们的原子个数比为AgS = 10.489.UV-Vis观察到合成的硫化银纳米粒子在292 nm处有特征吸收峰.     

Mn掺杂CuCrO2纳米粉体的室温铁磁性

利用固相反应与球磨相结合的方法,制备了(Cu_1-xMn_x)CrO₂ (0≤x≤6 at%) 和 Cu(Cr_1-yMn_y)O₂ (0≤y≤6 at%)两个系列的纳米粉体.结果表明,所有样品都具有3R-CuCrO₂铜铁矿单相结构.晶格膨胀说明Mn离子已分别固溶到(Cu_1-xMn_x)CrO₂的Cu亚晶格中和Cu(Cr_1-yMn_y)O₂的Cr亚晶格中,这在X射线光电子能谱的分析中得到了进一步的证实.B位Mn掺杂样品具有室温铁磁性,磁性源于Cr³⁺-Mn³⁺离子对间以空穴为媒介的双交换相互作用.CuMO₂(M=Cr,Mn)铜铁矿纳米粉体的饱和磁化强度比文献值高出约一个数量级,并随着Mn含量的增大而逐渐减小,主要受到3个因素的共同影响:M-M离子对数目、M-M离子间距及空穴浓度.     

半导体致冷控湿系统的研究

设计基于半导体致冷的湿度控制系统,包括湿度线性检测变送电路、半导体致冷器件的驱动电路、制冷模块的最佳工作状态设计.在60%-90%(RH)湿度范围内,系统的控湿精度达±3%(RH).     

无电弧混合式交流接触器的研究

一、引 言 所谓混合式交流接触器是指传统有触点接触器和无触点半导体接触器的结合体。这种新型电器保留了有触点接触器和半导体接触器各自的优点,而避免了双方各自的一些弱点.众所周知,有触点常规接触器主要优点是结构简单、操作方便和价格低廉.在技术指标方面,有触点接触器在闭合状态下压降小,损耗低和过载能力高,但是在频繁通断过程中电弧时间长,触头烧损熔焊,严重影响接触可靠性和电气寿命.目前国内外交流接触器在JK3工作制下的电气寿命大体是机械寿命的～士.一般大容量接触器的机械为5*万次,这就是说。 ”’『-”’”’””””””’…     

2010年创新报告：12个重要技术领域及其创新情况

1引言《2010年创新报告》是汤森路透知识产权解决方案事业部发布的第二份年度报告,此报告对12个重要技术领域的全球专利活动进行了分析。数据来源于汤森路透德温特世界专利索引(Derwent World Patents Index~,     

半导体激光引信光束准直技术研究

文中介绍了半导体激光引信的工作原理及其光学系统的工作原理,并通过对半导体激光引信的光束特性进行分析,设计出使用柱透镜的方法对半导体激光引信光束进行准直。通过使用ZEMAX软件进行仿真模拟验证,得到结果满足设计要求。     

基于超表面的宽带太赫兹热释电探测器设计

为了解决传统太赫兹（THz）探测器吸收效率低,频率范围小的问题,提出将双层超表面吸收阵列结构与钽酸锂热释电探测器相贴合,构成宽带太赫兹超表面热释电探测器。采用MATLAB和CST联合仿真的优化方法对超表面结构进行按需优化;使用ANSYS对热释电探测器进行仿真分析,得到敏感层、绝热层等特征参数对太赫兹热释电探测器的温度变化率以及响应电流的影响。结果表明,采用超表面阵列结构提高了全THz波段的探测性能,凳型热释电探测器在给定条件下的平均热释电电流输出为31.52 pA。使用超表面作为吸收结构可以使热释电探测器具有连续且高效的吸波特性,为宽带太赫兹探测器的设计提供参考。