半导体晶圆节能分布式制造与预维护联合优化

针对半导体晶圆节能分布式制造与预维护联合优化问题,构建了同时考虑制造阶段和检测修复阶段,以最小化最大完工时间、总碳排放和总预维护成本为优化目标的两阶段绿色调度模型,提出了改进的混合多目标灰狼优化(improved hybrid multi-objective grey wolf optimization,IHMGWO)算法,设计了工厂分配策略、机器分配策略以及考虑维修工人柔性的同步调度维护策略的解码方案。通过设计初始化种群融合策略、捕食行为搜索策略、子种群变异策略,提高了算法的寻优性能。360个测试算例的对比实验表明,所提出的IHMGWO算法针对SP指标能够实现大部分占优,针对IGD和Ω指标能够实现全部占优,对于解决该类问题具有显著的优势和竞争力。     

辐射对半导体霍尔器件输入电阻的影响

用60Co、137Cs、90Sr-90Y放射源低剂量率对恒流激励、无磁场作用时的InSb、GaAs、Si、Ge等半导体霍尔器件进行短时辐照,测量了辐照过程中各器件输入电阻的变化。结果表明:因为位移效应所引起的辐射缺陷,三种辐照均导致各器件输入电阻增加,并与辐照时间成正比。比较相同射线、相同时间辐照所引起的输入电阻变化量,可以判定Ge器件的抗辐射能力最强,Si器件次之,InSb、GaAs器件最差。     

特种气体报警系统安装调试要点

前言 半导体电子厂房等洁净空调场所，工艺上会用到各种气体如氢气（可燃、用于光刻）、砷化氢AsH3（有毒、用于沉积植入）、矽烷SiH4（有毒、用于蚀刻）等。但由于此类气体本身的特性，一旦泄露，将会产生严重后果，如氢气在空气中的浓度达到4％时，遇明火就会发生爆炸，砷化氢在空气中的浓度达到0.2mg／m^3时，人会感到头疼、晕眩、呼吸困难、腹部、背部疼痛、反胃、呕吐，引起血尿症、黄胆等疾病。     

半导体应变片式传感器应用研究

应变片式传感器由于自身所具有的灵敏度、测量精度和可靠性高、动态响应快、抗干扰性强等特性，已在许多领域获得广泛应用。本文仅就实际使用的一个方面，做一系统介绍，供应用者进一步开发研究。     

半导体除湿机的化工过程

本实用新型的半导体除湿机是以半导体致冷器件代替以氟里昂为工作介质的压缩制冷的 小型系统．免除污染源，结构简化，工作稳定，根据对空气除湿流程的特点．机内半导体致冷器 件工作于最高致冷效率（ηｍａｘ）状态，其致冷效率在８３％左右．除湿效率在８０％左右．     

我国LED技术发展及应用

<正>LED(Light Emitting Diode)是一种借外加电压激发电子而发光的光电半导体组件,其基本结构是将一块电致发光器件置于一个有引线托架上,四周用环氧树脂密封并保护内部芯线。由于不同材料禁带宽度不同,LED可发     

用RF磁控溅射法制备锂氮共掺p型氧化锌

采用RF磁控溅射技术,以掺杂氮化锂的氧化锌陶瓷为靶材,用不同物质的量比的高纯氩气和氧气混合气体为溅射气体,在石英衬底上生长锂氮共掺氧化锌薄膜,并在600℃真空热退火30min,研究生长气氛对锂氮共掺氧化锌导电类型、晶体结构与低温光致发光的影响规律和机制.结果表明,当以n(氩气):n(氧气)=60的混合气体为溅射气体时,可得到稳定的p型锂氮共掺氧化锌薄膜.X射线衍射谱表明,样品具有高度的c轴择优取向.由变温光致发光分析可知,该薄膜的p型导电来源于LiZn受主缺陷,其光学受主能级位于价带顶131.6meV处.     

Ge_2Sb_2Te_5薄膜及其存储特性研究

采用磁控溅射制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.通过XRD以及四探针法研究薄膜在退火过程中的微结构演变以及电导率变化规律.通过电流-电压特性研究了存储器的存储转变机制.