科学新闻

在纳米光学等离子激元网络中实现级联逻辑门光学计算作为一个可突破半导体基电子装置性能限制的未来战略技术已经被探索了数十年,但在芯片上集成逻辑单元和级联装置仍未见报道。中科院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室(筹)徐红星研究组与合作者在先期工作基础上,演示了一种等离子激元或非(NOR)     

半导体激光器显现墙壁上潜在手印效果及原理探究

目的介绍利用半导体激光器显现墙壁上汗液手印、油脂手印、唾液手印、化妆品手印的新方法。方法探究半导体激光器对各类手印直接观察,湿抹布擦拭、常用洗涤剂冲洗后的显现效果,并探究遗留时间的影响,探讨影响因素。结果直接观察及洗涤剂冲洗后观察,手印发出橙色荧光,随着擦拭次数的增多,显现效果逐渐减弱。墙壁上不同种类手印随遗留时间的变化不同,油脂手印遗留30天左右,汗液手印遗留1~3周,唾液手印遗留1~5周,化妆品手印遗留1周左右,细节特征较多,纹线清晰,效果较好。显现效果受氨基酸浓度,遗留时间长短,墙壁表面的光滑程度、吸湿和渗透能力的影响,并且与性别、生活习惯、饮食结构、年龄,温度和湿度等因素有关。     

科技博览

石墨烯在室温和普通光照下可产生电流美国麻省理工学院及哈佛大学的研究人员发现,石墨烯可以对光产生不同寻常的反应,在室温和普通光照射下,就可以发生热载流子效应,产生电流。这一发现不仅为石墨烯再添新奇属性,更有希望使其在太阳能电池、夜视系统、天文望远镜及半导体传感器等应用领域发挥作用。     

N掺杂ZnO的研究进展

ZnO是一种宽禁带,高激子能的半导体,N掺杂能够减小禁带宽度,极大的改变ZnO的电子和光学性能。本文介绍了目前对ZnO进行N掺杂的方法,并比较了各种方法的优缺点及N掺杂对ZnO性质的影响。     

离子液体中氮化物半导体材料的电沉积机理及取向控制研究

"离子液体中氮化物半导体材料的电沉积机理及取向控制研究"是沈阳师范大学化学与生命科学学院田鹏教授主持的国家自然科学基金面上项目(项目批准号:     

Design of radiation hard phase-locked loop at 2.5 GHz using SOS-CMOS

Abstract: A radiation hard phase-locked loop (PLL) is designed at 2.5 GHz using silicon on sapphire complementary metal-oxide-semiconductor process. Radiation hardness is achieved through improving circuit design without sacrificing real estate. Stability is guaranteed by a fully self-bias architecture. The lock time of PLL is minimized by maximizing the loop bandwidth. Frequency tuning range of voltage controlled oscillator is significantly enhanced by a novel load configuration. In addition, multiple bias stages, asynchronous frequency divider, and silicon on sapphire process jointly make the proposed PLL more radiation hard. Layout of this PLL is simulated by Cadence Spectre RF under both single event effect and total induced dose effect. Simulation results demonstrate excellent stability, lock time < 600 ns, frequency tuning range [1.57 GHz, 3.46 GHz], and jitter < 12 ps. Through comparison with PLLs in literatures, the PLL is especially superior in terms of lock time and frequency tuning range performances.     

WO_3-TiO_2复合半导体光催化剂的制备和应用

使用溶胶-凝胶法制备得复合半导体WO3-TiO2。分别使用钨酸钠和WO3为掺杂剂,以亚甲基蓝降解为模型,分别在紫外光灯下和暗光下反应测光催化和吸附性能。结果表明:两种掺杂剂皆为在WO3质量分数为2%时,WO3-TiO2的光活性最高。在WO3质量分数为5%时,WO3-TiO2的吸附效率最高。     

PN结在大注入条件下的数学分析

本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。     

市场占有率下降严重——台湾芯片企业面对的艰难道路

<正>由于芯片行业从2007年起陷入有史以来最严重的滑坡,再加上海外竞争企业在技术和产业链上双重优势的联合打击,台湾的芯片产业已透不过气来。南亚科技及台湾力晶半导体股份有限公司(下文简称简称力晶)等台湾芯片行业的支柱企业已在亏损中鏖战多年。尽管近期芯片价格出现反弹,     

半导体制冷技术及其在电冰箱中的应用

阐述了半导体制冷的技术特点及其在电冰箱中的应用。半导体制冷具有许多优越性,随着半导体制冷技术的进步,其应用有着广阔的前景。