等离子体技术净化CF4及其生成物机理的探讨

讨论了利用等离子体技术净化CF4及其生成物的方法,分析了净化机理。由四极质谱仪的分析结果发现,CF4等生成物的谱峰强度随射频(RF)功率的增加几乎线性地减小。RF功率达到1．8kW时,已检测不到CF4及其生产物对应的各个谱峰。在净化装置中放置CaO作为吸附剂,在室温下CaO对F有明显的净化作用。采用等离子体技术和化学吸附相结合处理有害气体的方法对环境保护有实际意义。     

图案化SiC和SiCN陶瓷微结构的制备

采用毛细管微模塑技术和转移微模塑技术, 以硅片为栽片, 以图案化聚二甲基硅氧烷(PDMS)弹性体为模板, 以聚碳硅烷(PCS)和聚硅氮烷(PSZ)为先驱体, 经过先驱体的渗入、先驱体的交联固化、弹性模板的去除以及图案化先驱体的无机化, 制备了图案化SiC和SiCN陶瓷微结构. 研究结果表明, 所制备的陶瓷微结构的尺寸和形状受模板的图案化尺寸和形状控制. 由于SiC和SiCN非氧化物陶瓷自身的优良性能将使得所制备的图案化SiC和SiCN陶瓷微结构在高温、高压等环境下具有非常广泛的应用前景.     

MEMS器件用叠层镍间结合强度的研究

针对MEMS器件用叠层镍间结合强度差这一难题,开展了基于盐酸化学刻蚀提高叠层镍间结合强度的工艺研究.主要考查了不同盐酸浓度、处理温度等对镍层层间结合强度的影响规律.借助SEM、Veeco轮廓分析仪等观察断面,分析结合强度改善的原因.结果表明:在45℃的温度下,经过50%HCl、10 min的化学刻蚀,叠层镍间结合强度达到567.7 MPa,比未经化学刻蚀处理的叠层镍间结合强度提高了6倍.通过SEM、Veeco等分析手段,初步解释了结合强度提高的原因.     

新型微通道板的进展与研究

这里介绍一种新型光电器件－新型微通道板（AT－MCP），阐述了目前还原铅硅玻璃微通道板（RLSG－MCP）存在的局限性及与其比较AT－MCP所具有的优点。     

一种快速高效渲染水下刻蚀和光束的方法

为了快速渲染大面积水域的水下刻蚀及光束,将刻蚀图技术引入水下光照的渲染,结合FFT水面的周期性对刻蚀图进行改进.采用物理光学方程估算光子到达水下某深度时的强度,从光源视角以点图元渲染光子构造刻蚀图,然后通过投影纹理技术渲染水下地形的刻蚀,利用光线行进技术渲染水下光束,光束和刻蚀的渲染都是基于对刻蚀图的采样,且全部在GPU中执行.该方法易于实现,效率高,适合交互式应用.     

有机玻璃的反应离子深刻蚀

以有机玻璃薄片为原料,进行反应离子深刻蚀,探讨了有机玻璃的刻蚀反应机理,着重研究了工作气压和功率密度对刻蚀速率、图形形貌的影响.结果表明,O2反应离子刻蚀有机玻璃是以化学刻蚀为主,同时离子碰撞作用也很重要.刻蚀速率开始随气压增大而加快,刻蚀速率主要受氧活性粒子浓度控制;气压超过一定值时,刻蚀速率反而减小,气压太高不利于各向异性刻蚀.刻蚀速率随功率增加而增大,适当增大功率有利于各向异性刻蚀.通过优化刻蚀工艺,可以获得侧壁较陡直光滑的有机玻璃微结构,扩展了加工微结构的方法.     

紫外压印光刻中阻蚀胶残膜刻蚀工艺

针对紫外（UV）压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点，采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀（RIE）工艺方法，研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响，得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图．实验结果表明，减小反应气体压力和气体流速可以降低刻蚀速率，提高刻蚀各向异性．通过对刻蚀参数的优化配置，当射频功率在200W、反应气体流速在30mL／min、反应腔室压力为0．6Pa时，刻蚀速率可以稳定在265nm／min，各向异性值可以达到13，因此实现了对压印图质形的高质量转移．     

纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术的研究

对100kV高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究,针对正性电子束抗蚀剂ZEP520A进行了工艺参数的优化,在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获得了占空比为1：1,线宽为50nm的光栅图形.针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为100nm,占空比为1：1,深度为900nm的光栅图形,光栅的边壁波纹起伏小于5nm.100nm以下深硅刻蚀技术的发展,有利于工作区域在可见光范围的纳米光学器件的制备.     

碱液刻蚀的多晶硅不同晶面微结构实验研究

多晶硅碱液刻蚀技术一直是多晶硅太阳能电池研究的关键性技术之一.在普通的碱刻蚀液中加入一种添加剂,在温度78~80°C之间刻蚀多晶硅表面20min,用SEM观察多晶体硅表面结构.在多晶硅表面上首次观察到了碱液刻蚀出的密集均匀分布的陷阱坑,只是样品不同晶面上的陷阱坑形貌稍有不同.[100]晶面上主要由纵横交错的致密的小硅山脉构成,小硅山脉之间存在长长的峡谷式的陷阱坑（沟）;[110]晶面上密布大量的畸变三角形陷阱坑或矩形坑（洞）;[111]晶面则分布蚯蚓状的陷阱坑.用积分反射仪测量了样品表面光反射率,在400~900nm波段平均反射率下降到20.5%.实验研究表明：添加剂能调节碱的刻蚀特性,经过添加剂调剂的碱液能在多晶硅表面刻蚀出具有良好陷光效应的绒面,添加剂调节的碱液刻蚀技术是一种有前途的多晶硅制绒技术.